電容式MEMS麥克風(fēng)讀出電路設(shè)計(jì)
掃描二維碼
隨時(shí)隨地手機(jī)看文章
1 引言
與傳統(tǒng)的駐極體電容式麥克風(fēng)相比,電容式MEMS麥克風(fēng)具有以下優(yōu)勢(shì):1)性能穩(wěn)定,溫度系數(shù)低,受濕度和機(jī)械振動(dòng)的影響小;2)成本低廉;3)體積小巧,電容式MEMS麥克風(fēng)的背極板和振膜僅有最小的駐極體電容式麥克風(fēng)的1/10左右;4)功耗更低。以上幾方面的優(yōu)勢(shì)使電容式MEMS麥克風(fēng)得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。
然而,電容式MEMS麥克風(fēng)也給設(shè)計(jì)人員提出了挑戰(zhàn):1)麥克風(fēng)在聲壓作用下產(chǎn)生的小信號(hào)幅度非常微小,要求讀出電路的噪聲極低;2)電容式MEMS麥克風(fēng)的靜態(tài)電容是pF量級(jí),讀出電路需要GΩ量級(jí)的輸入電阻才能實(shí)現(xiàn)極點(diǎn)頻率低于20Hz的高通濾波器,因此,高阻值電阻的實(shí)現(xiàn)是讀出電路的又一挑戰(zhàn);3)電容式MEMS麥克風(fēng)通常應(yīng)用于電池供電的產(chǎn)品,因此低功耗設(shè)計(jì)也是讀出電路設(shè)計(jì)時(shí)必須考慮的約束。
基于以上考慮,在分析電容式MEMS麥克風(fēng)工作原理的基礎(chǔ)上,提出了一種低功耗、低噪聲、高分辨率的電容式MEMS麥克風(fēng)讀出電路。
2 電容式MEMS麥克風(fēng)
2.1 工作原理
電容式MEMS麥克風(fēng)的主要結(jié)構(gòu)包括一個(gè)薄而有彈性的聲學(xué)振膜及一個(gè)剛性的背極板。振膜、背極板以及它們之間的空氣隙共同組成一個(gè)平行板電容器,故有:
V=Q/C,C=εS/x (1)
式中,C 為電容量,S 為極板的面積,Q 是極板間的電壓為V 時(shí)存儲(chǔ)的電荷量,ε是極板間介質(zhì)(空氣)的介電常數(shù),x 為兩極板間的距離。當(dāng)dP 大小的聲壓變化作用于振膜時(shí),將引起兩極板間的電壓變化:
因?yàn)閐x∝dP,所以輸出電壓dV∝dP。這就是電容式MEMS麥克風(fēng)的聲電轉(zhuǎn)換工作原理。
這一原理成立的條件是:在聲電轉(zhuǎn)換過(guò)程中,必需保持麥克風(fēng)電容所儲(chǔ)電荷量Q 不變,因此需要外加一個(gè)穩(wěn)定的直流電壓給電容充電,使之保持恒定的充電狀態(tài)。這一功能由電荷泵來(lái)實(shí)現(xiàn)。
2.2 麥克風(fēng)讀出電路結(jié)構(gòu)
電容式MEMS麥克風(fēng)及其讀出電路組成的系統(tǒng)如圖1所示。
圖1 麥克風(fēng)及其讀出電路結(jié)構(gòu)
電荷泵為麥克風(fēng)提供穩(wěn)定的直流電壓,以保持麥克風(fēng)電容所儲(chǔ)電荷量不變。在此基礎(chǔ)上,聲壓作用于振膜時(shí),將引起麥克風(fēng)兩極板間電壓的變化,這個(gè)音頻范圍內(nèi)的電壓小信號(hào)Vmic通過(guò)麥克風(fēng)電容Cmic和讀出電路的高阻值輸入電阻組成的高通濾波器讀出。
需要特別指出,背靠背的二極管有三個(gè)作用:1)提供高阻值輸入電阻,與麥克風(fēng)電容一起實(shí)現(xiàn)低極點(diǎn)頻率的高通濾波器,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)麥克風(fēng)小信號(hào)的讀出;2)為單位增益緩沖器提供直流偏置電壓;3)起靜電保護(hù)作用,在讀出電路遭受靜電襲擊時(shí)為其提供低阻直流通路。單位增益緩沖器的作用一是屏蔽麥克風(fēng)與后續(xù)信號(hào)處理電路,避免兩者之間相互影響,二是提高讀出電路的驅(qū)動(dòng)能力。
3 讀出電路設(shè)計(jì)
3.1 低極點(diǎn)頻率高通濾波器
背靠背二極管的實(shí)際電路如圖2所示。背靠背二極管可實(shí)現(xiàn)虛擬電阻。二極管連接的PMOS管Ma,Mb的襯底與柵極相接,這種連接方式不會(huì)產(chǎn)生寄生三極管,可以保證兩個(gè)二極管串始終只有一組導(dǎo)通(飽和導(dǎo)通或亞閾值導(dǎo)通)。在正常工作狀態(tài)下,Ma1,Ma2亞閾值導(dǎo)通。仿真結(jié)果表明,當(dāng)節(jié)點(diǎn)IN與節(jié)點(diǎn)A之間的電壓差絕對(duì)值小于0.2V時(shí),背靠背二極管可以實(shí)現(xiàn)GΩ量級(jí)的電阻,如圖3所示。
圖2 背靠背二極管的電路
圖3 背靠背二極管的電阻-電壓特性
背靠背二極管還可以為單位增益緩沖器提供直流偏置電壓。電流源Ib的電流流過(guò)電阻Rb,從而在節(jié)點(diǎn)A形成固定的電壓,單位增益緩沖器的輸入直流偏置也就被固定于IbRb。
背靠背二極管具有ESD保護(hù)作用,在讀出電路遭受靜電襲擊時(shí)為其提供低阻直流通路。需要注意的是,因?yàn)樽x出電路對(duì)輸入阻抗要求很高,所以在設(shè)計(jì)中使用了ESD保護(hù)電路與讀出電路內(nèi)部功能性電路復(fù)用的電路,這樣可以避免在設(shè)計(jì)完功能性電路后再加上ESD保護(hù)電路而對(duì)電路性能產(chǎn)生重大影響。
3.2 低噪聲低功耗單位增益緩沖器
較之開環(huán)運(yùn)算放大器,使用單位增益緩沖器可得到比開環(huán)運(yùn)放更大的輸入阻抗和更小的輸出阻抗,從而可以更好地屏蔽麥克風(fēng)與后續(xù)信號(hào)處理電路,以避免兩者之間的相互影響;同時(shí),還可以更容易地驅(qū)動(dòng)后續(xù)信號(hào)處理電路。
只需將運(yùn)算放大器輸出端與反相輸入端短接,即可實(shí)現(xiàn)單位增益緩沖器,如圖4所示。與套筒式結(jié)構(gòu)相比,使用折疊結(jié)構(gòu)的運(yùn)算放大器最大的優(yōu)點(diǎn)在于易于使運(yùn)放的輸出與輸入短接,共模電平的選取也更加容易。
圖4 運(yùn)算放大器
輸入管使用尺寸較大的PMOS管,其原因主要有兩個(gè):一是與NMOS管相比,PMOS管的1/f噪聲更小;二是輸入管直流偏置點(diǎn)可以設(shè)置得更低,從而使電荷泵輸出電壓大部分降落在麥克風(fēng)上。
采用不對(duì)稱的輸入管,反相輸入管尺寸更大,其優(yōu)點(diǎn)在于可以消除輸入失調(diào)電壓的影響,提高分辨率。假如設(shè)置運(yùn)放反相輸入端的直流偏壓比正相輸入端高50mV,那么,當(dāng)麥克風(fēng)小信號(hào)的幅值小于50mV 時(shí),讀出電路分辨率將不受失調(diào)電壓的影響。而且,反相輸入管面積越大,閃爍噪聲越小,進(jìn)而減小了單位增益緩沖器的等效輸入噪聲。
工作在飽和區(qū)的MOS管的跨導(dǎo)與其漏極電流的平方根成正比。但是,工作在亞閾值區(qū)的MOS管的跨導(dǎo)與其漏極電流成正比。所以,為了在降低噪聲和功耗的同時(shí)保持運(yùn)放的開環(huán)增益,設(shè)計(jì)中采用工作在亞閾值區(qū)的輸入管。忽略運(yùn)放第二級(jí)對(duì)輸入噪聲的影響,音頻范圍內(nèi)二級(jí)運(yùn)放的等效輸入噪聲電壓為:
(3) 式主要考慮了閃爍噪聲的影響。從(3)式可以看出,增大M1~M6的尺寸可以增大M1和M2的跨導(dǎo),減小M3~M6的跨導(dǎo)可以減小閃爍噪聲。需要說(shuō)明的是,在設(shè)計(jì)低功耗的二級(jí)運(yùn)放時(shí),為了降低功耗,可以讓運(yùn)放中的一些管子工作在亞閾值區(qū),但這是以增大管子面積、降低運(yùn)放速度為代價(jià)的。在電路設(shè)計(jì)過(guò)程中,往往需要考慮多方面的因素來(lái)進(jìn)行折中優(yōu)化設(shè)計(jì)。
4 電路仿真結(jié)果與分析
基于X-FAB 0.35 μm CMOS 工藝,使用Cadence軟件,對(duì)MEMS麥克風(fēng)讀出電路進(jìn)行仿真。設(shè)電荷泵輸出電壓為11V,麥克風(fēng)靜態(tài)電容為1pF,設(shè)定單位增益緩沖器輸入直流電平為200mV,負(fù)載為100pF電容和100kΩ電阻的最差負(fù)載情況。輸入管不對(duì)稱的運(yùn)放的性能參數(shù)如表1所示。
表1 開環(huán)運(yùn)算放大器的性能參數(shù)
電路仿真結(jié)果顯示,電源電壓在1.2~3.6V時(shí),讀出電路均可正常工作(當(dāng)電源電壓低于1.2V時(shí),基準(zhǔn)電流源無(wú)法正常工作,基準(zhǔn)電流會(huì)迅速下降并趨于 0,此時(shí),讀出電路因得不到合適的偏置而無(wú)法正常工作;當(dāng)電源電壓高于3.6V時(shí),超過(guò)了工藝耐壓的極限,極有可能對(duì)芯片造成毀滅性的損壞);讀出電路靜態(tài)電流小于60μA,在20Hz~20kHz的音頻范圍內(nèi),等效輸入噪聲為5.2μV,信號(hào)讀出效率大于83.6%(-1.56dB)。
電源電壓為1.2V時(shí),讀出電路的幅頻響應(yīng)曲線如圖5所示,低頻的極點(diǎn)頻率為8.6Hz。
圖5 讀出電路頻率響應(yīng)
由于運(yùn)放失調(diào)電壓的影響被不對(duì)稱輸入管消除,且電荷泵的等效輸出噪聲是nV量級(jí)(可以忽略不計(jì)),所以讀出電路可以處理的小信號(hào)幅度范圍是50μV~200mV。本文讀出電路與文獻(xiàn)[9]讀出電路的各項(xiàng)性能比較結(jié)果如表2所示。
表2 讀出電路性能比較
5 結(jié)論
設(shè)計(jì)了一種新穎的電容式MEMS麥克風(fēng)讀出電路,該電路包含低極點(diǎn)頻率的高通濾波器和低噪聲的單位增益緩沖器兩個(gè)部分。采用二極管連接的MOS管實(shí)現(xiàn)了高阻值的輸入電阻,與電容式MEMS麥克風(fēng)的靜態(tài)電容一起組成低極點(diǎn)頻率的高通濾波器,可讀出麥克風(fēng)在聲壓作用下產(chǎn)生的小信號(hào)。另外,采用兩種辦法來(lái)提高讀出電路的分辨率:一是運(yùn)放采用不對(duì)稱輸入管來(lái)消除失調(diào)電壓的影響,二是通過(guò)增大輸入管的尺寸等方法來(lái)降低運(yùn)放的輸入噪聲。在讀出電路的設(shè)計(jì)中,為了降低讀出電路的功耗,使用了工作在亞閾值區(qū)的MOS管。
本文提供的讀出電路設(shè)計(jì)方案具有噪聲小、可以處理的小信號(hào)幅度范圍廣、功耗低等特點(diǎn),可延長(zhǎng)電池供電的便攜式設(shè)備的待機(jī)時(shí)間。
參考文獻(xiàn):
[1] JAWED S A,NIELSEN J H,GOTTARDI M,et al.A multifunction low-power preamplifier for MEMScapacitive microphones[C]//Proc 35th Europ Sol StaCirc Conf.Athens,Greece.2009:292-295.
[2] HELM R.MEMS麥克風(fēng)的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)加速取代傳統(tǒng)駐極體麥克風(fēng)[J].電子與電腦,2008(3):26-29.
[3] DEC A,AKIMA H,MOHN R,et al.Audio preamplifiers for digital electret microphones in 0.18μmCMOS process [C]//IEEE Int Symp Circ Syst.Taipei,Taiwan,China.2009:2489-2492.
[4] LEINENBACH C,TEEFFELEN K,LAERMER F,et al.A new capacitive type MEMS microphone[C]//IEEE 23rd Int Conf MEMS.Hongkong,China.2010:659-662.
[5] PICOLLI L,GRASSI M,ROSSON L,et al.A 1.0mW,71dB SNDR,-1.8dBFS input swing,fourthorderΣΔinterface circuit for MEMS microphones[C]// Proc 35th Europ Sol Sta Circ Conf.Athens,Greece.2009:324-327.
[6] HARRISON R R,CHARLES C.A low-power lownoise CMOS amplifier for neural recording applications[J].IEEE J Sol Sta Circ,2003,38(6):958-965.
[7] 陳鋮穎,黑勇,胡曉宇.一種適用于傳感器信號(hào)檢測(cè)的斬波運(yùn)算放大器[J].微電子學(xué),2012,42(1):17-20.
[8] RAZAVI B.模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)[M].陳貴燦,程軍,張瑞智,等,譯.西安:西安交通大學(xué)出版社,2003:166-196.[9] HUA S, LIU Y,ZHANG J,et al. A novelpreamplifier for MEMS microphone[C]//IEEE 8thInt Conf ASIC.Changsha,China.2009:636-638.