本文主要針對用于ESD防護的SCR結構進行了研究。通過對其ESD泄放能力和工作機理的研究,為納米工藝下的IC設計提供ESD保護。本文的研究主要集中在兩種常見的SCR上,低觸發(fā)電壓SCR(LVTSCR)與二極管輔助觸發(fā)SCR(DTSCR)。本文也對以上兩種SCR結構進行了改進,使得其能夠在不同工作環(huán)境和相應電壓域下達到相應的ESD防護等級。本文的測試與分析基于傳輸線脈沖測試儀(TLP)與TCAD仿真進行,通過對SCR中的正反饋工作機理的闡述,證明了SCR結構是一種新穎有效的ESD防護器件。
摘要:本文主要針對用于ESD防護的SCR結構進行了研究。通過對其ESD泄放能力和工作機理的研究,為納米工藝下的IC設計提供ESD保護。本 文的研究主要集中在兩種常見的SCR上,