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“聯(lián)合創(chuàng)新”模式助力中國(guó)集成電路工藝創(chuàng)新與演進(jìn)
在中國(guó)全面實(shí)現(xiàn)工業(yè)化的今天，幾乎所有人都將目光集中在飛機(jī)發(fā)動(dòng)機(jī)、集成電路、生物工程等重點(diǎn)行業(yè)。這其中，集成電路行業(yè)發(fā)展尤為引人注目。工信部在解讀《中國(guó)制造2025》時(shí)稱，“集成電路是工業(yè)的‘糧食
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英特爾列出集成電路工藝節(jié)點(diǎn)縮小的五個(gè)挑戰(zhàn)
芯片尺寸將會(huì)在未來(lái)幾年持續(xù)減小，但芯片制造商會(huì)面臨一系列挑戰(zhàn)。在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上，英特爾的高級(jí)技術(shù)專家，工藝架構(gòu)和集成總監(jiān)MarkBohr指出了挑戰(zhàn)和有潛力的挑戰(zhàn)方案，Bohr列出了32nm和之下工藝節(jié)點(diǎn)的
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英特爾列出集成電路工藝節(jié)點(diǎn)縮小的五個(gè)挑戰(zhàn)
芯片尺寸將會(huì)在未來(lái)幾年持續(xù)減小，但芯片制造商會(huì)面臨一系列挑戰(zhàn)。在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上，英特爾的高級(jí)技術(shù)專家，工藝架構(gòu)和集成總監(jiān)MarkBohr指出了挑戰(zhàn)和有潛力的挑戰(zhàn)方案，Bohr列出了32nm和之下工藝節(jié)點(diǎn)的
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中芯國(guó)際攻關(guān)3D集成電路工藝
作為國(guó)內(nèi)最大、最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造商，中芯國(guó)際(SMIC)已經(jīng)成立了新的“視覺(jué)、傳感器與3D集成電路”(CVS3D)研發(fā)中心，集中力量重點(diǎn)攻關(guān)硅傳感器、TSV硅通孔和其它中端晶圓處理(MEWP)技術(shù)。為了進(jìn)一步提升晶體管集成度
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中芯國(guó)際攻關(guān)3D集成電路工藝
作為國(guó)內(nèi)最大、最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造商，中芯國(guó)際(SMIC)已經(jīng)成立了新的“視覺(jué)、傳感器與3D集成電路”(CVS3D)研發(fā)中心，集中力量重點(diǎn)攻關(guān)硅傳感器、TSV硅通孔和其它中端晶圓處理(MEWP)技術(shù)。為了進(jìn)一步提升晶
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中科院集成電路工藝研發(fā)取得進(jìn)展 但科研和生產(chǎn)脫節(jié)問(wèn)題依舊
據(jù)新華社消息，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心最近在22納米技術(shù)代集成電路關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)上取得突破性進(jìn)展。消息稱該中心的研究人員摒棄了傳統(tǒng)的二氧化硅、多晶硅等材料，采用高K材料、金屬柵等新材料
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聯(lián)華電子計(jì)劃收購(gòu)大陸和艦科技
據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)報(bào)道，聯(lián)華電子將在4月初召開的董事會(huì)上修改該公司將其在中國(guó)大陸和艦科技持股比例由15%提高至100%計(jì)劃的條款。該報(bào)稱，依據(jù)修改后的計(jì)劃條款，聯(lián)華電子將以現(xiàn)金加庫(kù)存股的方式收購(gòu)和艦科技的上述股權(quán);而
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TSMC推出高整合度LED驅(qū)動(dòng)集成電路工藝，降低零組件數(shù)量
TSMC推出模組化BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工藝，將可為客戶生產(chǎn)高電壓之整合LED驅(qū)動(dòng)集成電路產(chǎn)品。此一新的BCD工藝特色在于提供12伏特至60伏特的工作電壓范圍，可支持多種LED的應(yīng)用，包括： LCD平面顯示器的背光源、LE
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TSMC推出高整合度LED驅(qū)動(dòng)集成電路工藝
TSMC昨日推出模組化 BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工藝，將可為客戶生產(chǎn)高電壓之整合LED驅(qū)動(dòng)集成電路產(chǎn)品。此一新的BCD工藝特色在于提供12伏特至60伏特的工作電壓范圍，可支持多種LED的應(yīng)用，包括： LCD平面顯示器的背光源
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TSMC推出高整合度LED驅(qū)動(dòng)集成電路工藝，降低零組件數(shù)量
TSMC推出模組化BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工藝，將可為客戶生產(chǎn)高電壓之整合LED驅(qū)動(dòng)集成電路產(chǎn)品。此一新的BCD工藝特色在于提供12伏特至60伏特的工作電壓范圍，可支持多種LED的應(yīng)用，包括： LCD平面顯示器的背光源、LE
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TSMC推出高整合度LED驅(qū)動(dòng)集成電路工藝，降低零組件數(shù)量
TSMC推出模組化BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工藝，將可為客戶生產(chǎn)高電壓之整合LED驅(qū)動(dòng)集成電路產(chǎn)品。此一新的BCD工藝特色在于提供12伏特至60伏特的工作電壓范圍，可支持多種LED的應(yīng)用，包括： LCD平面顯示器的背光源、LE
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英特爾列出集成電路工藝節(jié)點(diǎn)縮小的五個(gè)挑戰(zhàn)
芯片尺寸將會(huì)在未來(lái)幾年持續(xù)減小，但芯片制造商會(huì)面臨一系列挑戰(zhàn)。 在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上，英特爾的高級(jí)技術(shù)專家，工藝架構(gòu)和集成總監(jiān)Mark Bohr指出了挑戰(zhàn)和有潛力的挑戰(zhàn)方案，Bohr列出了32nm和之下工藝節(jié)
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英特爾列出集成電路工藝節(jié)點(diǎn)縮小的五個(gè)挑戰(zhàn)
芯片尺寸將會(huì)在未來(lái)幾年持續(xù)減小，但芯片制造商會(huì)面臨一系列挑戰(zhàn)。在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上，英特爾的高級(jí)技術(shù)專家，工藝架構(gòu)和集成總監(jiān)Mark Bohr指出了挑戰(zhàn)和有潛力的挑戰(zhàn)方案，Bohr列出了32nm和之下工藝節(jié)點(diǎn)
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英特爾列出集成電路工藝節(jié)點(diǎn)縮小的五個(gè)挑戰(zhàn)
英特爾列出集成電路工藝節(jié)點(diǎn)縮小的五個(gè)挑戰(zhàn)
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元器件知識(shí)大全：模擬集成電路幾種特性
模擬集成電路是在分立元件的模擬電路理論和數(shù)字集成電路工藝的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。 在電路構(gòu)成方面，模擬集成電路具有以下持點(diǎn)： (1)電路結(jié)構(gòu)與元件參數(shù)具有對(duì)稱性盡管集成電路工藝制作的元件、器件的參數(shù)精度不高，
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