飛兆半導體

飛兆半導體宣布推出采用SO-8封裝的80伏N溝道MOSFET器件FDS3572

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出采用SO-8封裝的80 伏 N溝道MOSFET器件FDS3572，具備綜合的性能優(yōu)勢，能同時為DC/DC轉換器的初級和次級同步整流開關電源設計提供優(yōu)異的整體系統效率。FDS3572提供7

飛兆半導體的80 V MOSFET

飛兆半導體的80 V MOSFET

Fairchild收購Raytheon射頻元件機構部

   飛兆半導體公司(FairchildSemiconductor)宣布，現已收購Raytheon公司屬下射頻元件機構的商業(yè)事業(yè)部。    通過是次收購行動，飛兆半導體得以迅速進入包括無線區(qū)域網絡和手機功率放大...

Fairchild半導體公司公布第二季業(yè)績

Fairchild任命歐良生為蘇州裝配測試廠總經理

飛兆半導體針推出采用DQFN封裝的4位和5位邏輯電平變換器

飛兆半導體公司

飛兆半導體的RF功率放大器模塊獲全球最大的主板制造商選用

全球領先的

飛兆半導體在超小型DQFN封裝中引進低電壓邏輯功能封裝尺寸較TSSOP減小達75%

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor）宣布在DQFN (縮減型超薄四方扁平無引腳封裝)中推出多個4、6和8 位LCX和VCX™ 系列低電壓邏輯功能器件。DQFN是業(yè)界用于四方、六方和八方邏輯功能的最小型封裝，較傳統

飛兆半導體榮登功率集成電路市場第三位

全球領先的高性能功率優(yōu)化產品供應商飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布榮膺2003年世界電源和功率管理集成電路產品的第三大供應商。根據市場研究公司Venture Development Corporation (VDC) 的報告，200

飛兆半導體推出串化器/解串器 (SerDes) 裝置

飛兆半導體 (Fairchild Semiconductor) 已推出四種LVDS串化器和解串器(SerDes)，能夠解決與高速寬TTL接口相關的各種電磁干擾（EMI）和線纜尺寸問題，這類接口常見于各種通信、計算、工業(yè)及汽車等應用。飛兆半導體的串

飛兆半導體推出采用SC75 FLMP封裝的低壓MOSFET

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型P溝道MOSFET器件FDJ129P，為便攜設備電源管理帶來綜合的性能和節(jié)省空間優(yōu)勢，這些設備包括移動電話、PDA、便攜音樂播放機、GPS接收裝置、低壓/低功率DC-DC轉換器及

飛兆半導體推出全新數模轉換器

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新SPT5240型高頻10-bit數模轉換器，功耗較同類競爭產品低80%以上。SPT5240在高速的400MWPS更新速率下工作，其功耗僅為149mW (typ)（@ƒCLK = 400MHz和12mA輸出）

飛兆半導體推出全新超小型高速光耦合器系列具備出色的共模抑制性能

飛兆半導體公司（Fairchild Semiconductor）推出全新高速晶體管光耦合器系列中首兩款產品FODM452和FODM453，提供業(yè)界最佳的共模抑制 (CMR) 性能和最小的封裝外形。新產品的獨特共面結構使得其CMR性能比同類器件高出3

飛兆半導體推出全新標準放大器系列減少電池供電設備的功耗達20%

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出一系列高功效CMOS放大器，專為較低功率的設備而設。全新的LMV321 (單通道)、LMV358 (雙通道) 和LMV324 (四通道) 放大器在2.7V消耗的最大供電電流為120