采用高頻特性的OP放大器的寬帶表頭驅動放大器
高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器
電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器,其轉換速度比單級晶體管快,適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉換速度的激勵器,而且還在輸出級采用了MOSFET,使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
電路的功能由分立元件組成的功率放大器很容易獲得高性能,適用于大功率,但這種電路元件數量多,制作困難。而單片混合功率IC絕大部分的高頻特性又不大令人滿意,供工業(yè)上應用的產品也不多。本電路已被三洋電機公司的
電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器,其轉換速度比單級晶體管快,適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉換速度的激勵器,而且還在輸出級采用了MOSFET,使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
電路的功能模擬電壓的測量,頻率在100KHZ以下時可以使用數字萬用表的交流電壓檔測量,但多數采用電平測量儀或毫伏級電壓計。電平測量儀的電路通常采用晶體管寬帶放大器。本電路介紹一種采用高頻特性好的OP放大器,以
電路的功能模擬電壓的測量,頻率在100KHZ以下時可以使用數字萬用表的交流電壓檔測量,但多數采用電平測量儀或毫伏級電壓計。電平測量儀的電路通常采用晶體管寬帶放大器。本電路介紹一種采用高頻特性好的OP放大器,以
電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器,其轉換速度比單級晶體管快,適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉換速度的激勵器,而且還在輸出級采用了MOSFET,使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
電路的功能由分立元件組成的功率放大器很容易獲得高性能,適用于大功率,但這種電路元件數量多,制作困難。而單片混合功率IC絕大部分的高頻特性又不大令人滿意,供工業(yè)上應用的產品也不多。本電路已被三洋電機公司的
電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器,其轉換速度比單級晶體管快,適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉換速度的激勵器,而且還在輸出級采用了MOSFET,使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
大日本印刷(DNP)為促進采用TSV(硅通孔)的硅轉接板(Interposer)封裝技術的實用化,于2010年1月推出了設計評測用標準底板。該公司此前曾為不同項目個別提供過評測底板,而此次標準底板的價格為原來的一半以下。并