高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器

基本電路組成與“3_gn相同，第二差動(dòng)級(jí)是輸出用的
功率MOSFET,2SJ77,電流密勒電路使用了2SK214。
雖然工作電流只有6mA,但是，因?yàn)殡娫措妷焊哌_(dá)±sov,
晶體管會(huì)發(fā)熱，于是安裝了小型散熱片。
    輸出級(jí)栗用直接驅(qū)動(dòng)方式，由于不經(jīng)射極輸出器緩沖，
驅(qū)動(dòng)電路的負(fù)載就加重了，如果轉(zhuǎn)換速度需要提高，可在
Tri-*的允許損耗范圍內(nèi)盡量加大漏極倡置電流。
    功率MOSFET經(jīng)常產(chǎn)生高額振蕩，要抑制振蕩比較困
難，簡(jiǎn)單的措施是在柵極（位置盡量靠近柵極）串聯(lián)電阻(★
標(biāo)志的Ro,但這要犧牲一些高頻特性，Ra的阻值隨所用元
件而異，通常在50Q~500Q之間。