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消息稱國產(chǎn)17nm工藝內(nèi)存芯片良率已達40%
經(jīng)過幾年的追趕，國產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片由合肥長鑫在2019年量產(chǎn)，首發(fā)的是19nm工藝，今年合肥長鑫就要推出下一代的17nm工藝內(nèi)存芯片了，不過首發(fā)產(chǎn)品不是傳聞中的DDR5，而是DDR4。
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合肥長鑫有望成全球第四大DRAM廠 17nm內(nèi)存明年問世
2019年在內(nèi)存及閃存領(lǐng)域國內(nèi)各有一個重大突破，長江存儲量產(chǎn)了64層3D閃存，合肥長鑫則量產(chǎn)了DDR4內(nèi)存，后者今年有望成為全球第四大DRAM內(nèi)存芯片廠。 在DRAM內(nèi)存芯片市場上，三星、SK海力士及
小軒窗
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