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長(zhǎng)江存儲(chǔ)或?qū)⒃?024年退出3D NAND市場(chǎng)
據(jù)業(yè)內(nèi)消息，在上周被列入美國(guó)實(shí)體名單后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)或?qū)⒃?024年退出3D NAND市場(chǎng)。
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探索用于超高密度存儲(chǔ)的基于液體的存儲(chǔ)器
從 2030 年起，新型存儲(chǔ)技術(shù)有望進(jìn)入內(nèi)存路線圖，在延遲/生產(chǎn)力空間中補(bǔ)充 3D NAND 閃存、硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器 (HDD) 和磁帶。本文介紹了兩種新的基于液體的存儲(chǔ)概念：膠體和電石存儲(chǔ)器。我們解釋了基本操作原理，展示了第一個(gè)實(shí)驗(yàn)結(jié)果，并強(qiáng)調(diào)了它們?cè)谖磥?lái)近線存儲(chǔ)應(yīng)用中的潛力。這些液態(tài)記憶最近在 2022 年國(guó)際記憶研討會(huì) (IMW) 的一篇受邀論文中提出。
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高深寬比刻蝕和納米級(jí)圖形化推進(jìn)存儲(chǔ)器的路線圖
隨著市場(chǎng)需求推動(dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)向更高密度、更優(yōu)性能、新材料、3D堆棧、高深寬比 (HAR) 刻蝕和極紫外 (EUV) 光刻發(fā)展，泛林集團(tuán)正在探索未來(lái)三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn)，以經(jīng)濟(jì)的成本為晶圓廠提供解決方案。
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