-
2nm終結(jié)FinFET，蘋(píng)果A16繼續(xù)使用臺(tái)積電5nm工藝
近日，蘋(píng)果即將在9月份發(fā)布的iPhone14系列有了全新的消息。據(jù)悉，A16芯片將使用臺(tái)積電增強(qiáng)型5nm工藝制程，而非之前網(wǎng)傳的4nm制程。
-
在GPU芯片領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)已經(jīng)有多家廠商追趕AMD/nvidia？
在GPU芯片領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)已經(jīng)有多家廠商追趕AMD/nvidia，其中包括景嘉微、芯動(dòng)科技、摩爾線程、沐曦等，其中沐曦公司的GPU最為激進(jìn)，直指5nm工藝，要知道AMD及NVIDIA的5nm GPU芯片都沒(méi)有宣布。
-
2030半導(dǎo)體之王夢(mèng)碎？三星5nm工藝已量產(chǎn)多時(shí)，但良品率不到50%
半導(dǎo)體制造不是一件容易的事，特別到了尖端的先進(jìn)工藝，每一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)的遞進(jìn)都相當(dāng)不容易，即便英特爾或三星這種業(yè)界巨頭已經(jīng)過(guò)多年的技術(shù)打磨和市場(chǎng)考驗(yàn)，依然可以感受到晶圓制造方面的艱辛?？梢韵胂笈_(tái)積電(TSMC)今天在工藝技術(shù)上的穩(wěn)步推進(jìn)，背后付出了多少努力。
-
iPhone 13首發(fā)5nm+工藝：售價(jià)厚道，iPhone13會(huì)不會(huì)更香？
在國(guó)內(nèi)手機(jī)市場(chǎng)上的產(chǎn)品都在全面發(fā)展的時(shí)候，蘋(píng)果公司這一家外企卻可以依舊在手機(jī)市場(chǎng)上不緊不慢的繼續(xù)自己緩慢的發(fā)展速度。不過(guò)蘋(píng)果公司確實(shí)也有著能支持自己在市場(chǎng)上這樣緩慢發(fā)展的實(shí)力，且產(chǎn)品在市場(chǎng)上也是讓人覺(jué)得物有所值。
-
RTX 40系列顯卡橫空出世：用戶可能會(huì)成為新一代“釘子戶”
和30系顯卡的安培架構(gòu)相比，40系顯卡的流處理器超過(guò)了71%之多，傳聞稱RTX 4090的性能將在RTX 3090的基礎(chǔ)上翻番，也就是性能提升100%。據(jù)此前爆料的消息，RTX 40系列要等到2022年第四季度至2023年第一季度才會(huì)發(fā)布，也就是要再等上大概一年半。
-
ARM發(fā)布Cortex-A78：5nm、 CPU性能提升20%、功耗暴降50%
面向7nm工藝的Cortex-A77架構(gòu)發(fā)布2年多之后，ARM公司今晚正式推出了新一代CPU架構(gòu)—;—;Cortex-A78，適用于5nm工藝，性能提升20%，功耗則降低了50%。 Cortex-A7
-
傳臺(tái)積電將獨(dú)家代工蘋(píng)果A14處理器：5nm工藝的iPhone12要逆天？
日前，有消息爆料稱，蘋(píng)果將在明年推出的iPhone 12系列，采用基于臺(tái)積電5nm工藝的A14處理器。據(jù)了解，A14處理器將在明年年初開(kāi)始試產(chǎn)，而在2020年Q2將大范圍量產(chǎn)。
-
臺(tái)積電3nm工藝進(jìn)展“令人欣慰” 2nm工藝提上日程！
12月10號(hào)，最新消息稱臺(tái)積電的5nm工藝良率已經(jīng)達(dá)到了50%，比當(dāng)初7nm工藝試產(chǎn)之前還要好，最快明年第一季度就能投入大規(guī)模量產(chǎn)，初期月產(chǎn)能5萬(wàn)片，隨后將逐步增加到7-8萬(wàn)片。
-
向5nm邁進(jìn)，細(xì)數(shù)臺(tái)積電的領(lǐng)先成就！
臺(tái)積電北美技術(shù)論壇今天登場(chǎng)，臺(tái)積電指出過(guò)去兩年在先進(jìn)技術(shù)及封裝技術(shù)等領(lǐng)域共有8項(xiàng)領(lǐng)先業(yè)界的成就，包括領(lǐng)先全球量產(chǎn)7納米技術(shù)及完成5納米設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)等。
-
臺(tái)積電領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)受威脅？三星完成5nm工藝開(kāi)發(fā)
4月16日，三星電子宣布其基于EUV的5 nm FinFET工藝技術(shù)已完成開(kāi)發(fā)，現(xiàn)已可以為客戶提供樣品。
-
適用于5nm IMEC造出全球最小SRAM芯片
面積能大幅縮小的原因就在于使用了新的晶體管結(jié)構(gòu)，Unisantis與IMEC使用的是前者開(kāi)發(fā)的垂直型環(huán)繞柵極(Surrounding Gate Transistor，簡(jiǎn)稱SGT)結(jié)構(gòu)，最小柵極距只有50nm。研究表明，與水平型GAA晶體管相比，垂直型SGT單元GAA晶體管面積能夠縮小20-30%，同時(shí)在工作電壓、漏電流及穩(wěn)定性上表現(xiàn)更佳。
-
TSMC的5nm工藝預(yù)計(jì)在2019年試產(chǎn)，已著手3nm工藝研發(fā)
對(duì)TSMC臺(tái)積電來(lái)說(shuō)，他們的工藝之前確實(shí)落后Intel一兩代，但在10nm節(jié)點(diǎn)開(kāi)始彎道超車(chē)，未來(lái)的工藝發(fā)展速度更是(官方宣傳中)超過(guò)了Intel，2018年打算量產(chǎn)7nm，而2019年則會(huì)試產(chǎn)5nm工藝，現(xiàn)在也著手研發(fā)更先進(jìn)的3nm工藝了。
JWT20202
jack821119
wolfskin
206022219002
zhujun615
huang8089
nbiot
dkb
hzy41y
pengyoujianxiao
ankee
wgajf0519
andy-hui
anhuiuniversity
TQFX
callhgd
dingsujie
jls1976
huanle1030
小黑屋525
