業(yè)內(nèi)消息,上周北京大學(xué)彭練矛院士/張志勇教授團(tuán)隊(duì)研究出一款基于陣列碳納米管的 90nm 碳納米管晶體管,該技術(shù)可使碳納米晶體管工藝高度集成,并在該基礎(chǔ)上探索將碳基晶體管進(jìn)一步縮減到 10nm 節(jié)點(diǎn)的可能性。
據(jù)業(yè)內(nèi)信息,今年Q1季度的時(shí)候,格羅方德發(fā)布了FotonixTM新平臺(tái)用300mm芯片生產(chǎn)的規(guī)模效率控制工藝,芯片集成了高性能射頻、數(shù)字CMOS以及硅光子(SiPH)電路,而硅光子是硅芯片的巨大突破。
在以美國(guó)為首的西方國(guó)家對(duì)俄羅斯的封鎖攔截下,俄羅斯的半導(dǎo)體技術(shù)受到了極大的限制。因?yàn)槎砹_斯的半導(dǎo)體芯片主要依靠進(jìn)口,自身研究芯片的能力并不足,這導(dǎo)致近半年來(lái)俄羅斯出現(xiàn)在芯片荒,俄羅斯也不得不加大芯片產(chǎn)業(yè)的投入。
在先進(jìn)芯片工藝上,美國(guó)廠商也落后于臺(tái)積電、三星了,這兩家量產(chǎn)或者即將量產(chǎn)的7nm、5nm及3nm遙遙領(lǐng)先,然而美國(guó)還有更多的計(jì)劃,并不一定要在先進(jìn)工藝上超越它們,甚至準(zhǔn)備逆行,復(fù)活90nm工藝,制造出來(lái)的芯片性能是7nm芯片的50倍。
在先進(jìn)芯片工藝上,美國(guó)廠商也落后于臺(tái)積電、三星了,這兩家量產(chǎn)或者即將量產(chǎn)的7nm、5nm及3nm遙遙領(lǐng)先,然而美國(guó)還有更多的計(jì)劃,并不一定要在先進(jìn)工藝上超越它們,甚至準(zhǔn)備逆行,復(fù)活90nm工藝,制造出來(lái)的芯片性能是7nm芯片的50倍。
中國(guó)大陸有眾多的晶圓代工企業(yè),其中有三大晶圓代工企業(yè),進(jìn)入了全球前10名,分別是中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)、晶合集成。按照2021年Q4的排名,中芯第五、華虹第六、晶合集成第十名,這也是大陸首次有3家企業(yè)入榜Top10,這說(shuō)明中國(guó)芯片制造產(chǎn)業(yè),確實(shí)是在飛速發(fā)展之中。