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ALD技術(shù)

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SRII重磅亮相CICD 2021，以先進(jìn)ALD技術(shù)賦能第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

功率器件作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術(shù)分類以及應(yīng)用場景。例如，傳統(tǒng)的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產(chǎn)品經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展，占據(jù)了絕對領(lǐng)先的市場份額。不過，隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、儲能、手機(jī)快充等應(yīng)用的興起，擁有更高耐壓等級、更高開關(guān)頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體功率器件逐漸嶄露頭角，獲得了業(yè)界的持續(xù)關(guān)注。

廠商文章
2021-11-10

思銳智能功率器件 ALD技術(shù)
應(yīng)用材料推出面向3D設(shè)備的高性能原子層沉積(ALD)技術(shù)

21ic訊—2015年7月13日消息，應(yīng)用材料公司今天宣布推出全新的Olympia™原子層沉積(atomic layer deposition, ALD)系統(tǒng)。該系統(tǒng)采用獨特的模塊化架構(gòu)，為先進(jìn)3D內(nèi)存和邏輯芯片制造商帶來了高性能ALD技術(shù)。3

模擬
2015-07-15

應(yīng)用材料 ald技術(shù)