應(yīng)用材料推出面向3D設(shè)備的高性能原子層沉積(ALD)技術(shù)

21ic訊—2015年7月13日消息，應(yīng)用材料公司今天宣布推出全新的Olympia™原子層沉積(atomic layer deposition, ALD)系統(tǒng)。該系統(tǒng)采用獨(dú)特的模塊化架構(gòu)，為先進(jìn)3D內(nèi)存和邏輯芯片制造商帶來了高性能ALD技術(shù)。3D設(shè)備的興起推動(dòng)了對新型圖形轉(zhuǎn)移薄膜和新共型材料的需求，以及降低材料熱預(yù)算的要求。在這一背景下，ALD技術(shù)得到了迅速發(fā)展。Olympia系統(tǒng)可以在不犧牲ALD沉積性能的前提下，充分滿足所有這些要求，從而解決行業(yè)挑戰(zhàn)，并具有極高的工藝靈活性，可精確設(shè)計(jì)并有效沉積各類低溫、高品質(zhì)薄膜材料，適合眾多應(yīng)用領(lǐng)域。

應(yīng)用材料公司介質(zhì)系統(tǒng)及模塊事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理Mukund Srinivasan博士表示：“Olympia系統(tǒng)對3D設(shè)備的演進(jìn)而言無疑是一項(xiàng)重大的技術(shù)創(chuàng)新。它克服了芯片制造商在使用傳統(tǒng)ALD技術(shù)時(shí)所面臨的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，如單硅片解決方案的化學(xué)控制性不佳以及反應(yīng)爐加工周期過長等問題。因此，市場對Olympia系統(tǒng)的反響十分熱烈，目前該系統(tǒng)已成功安裝于多家客戶的生產(chǎn)線中，支持他們制造出10納米級甚至以下的芯片。”

獨(dú)特的適應(yīng)性模塊化架構(gòu)使Olympia系統(tǒng)可支持靈活、快速的工藝順序，因而能有效控制下一代ALD薄膜所需的復(fù)雜化學(xué)物質(zhì)。此外，模塊化設(shè)計(jì)也實(shí)現(xiàn)了化學(xué)物質(zhì)的完全分離，減少了傳統(tǒng)ALD技術(shù)為提高產(chǎn)量而加入的泵/吹掃工序。憑借這些優(yōu)勢，Olympia系統(tǒng)能帶來比傳統(tǒng)ALD系統(tǒng)更優(yōu)異的解決方案，這也使其擁有了更廣闊的應(yīng)用前景。

* ALD=原子層沉積