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醫(yī)療IC設(shè)計(jì)工藝:雙極性與CMOS
可植入、可消化、可互動(dòng)、可互操作以及支持因特網(wǎng)，這些醫(yī)療設(shè)備現(xiàn)在及未來(lái)獨(dú)特的需求都要求合適的IC工藝技術(shù)與封裝。本文將對(duì)醫(yī)療半導(dǎo)體器件采用的雙極性（bipolar）與CMOS工藝進(jìn)行比較，并
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美國(guó)研發(fā)出可替代CMOS器件的低功耗隧道晶體管
21ic電子網(wǎng)訊：一種新型晶體管使更快、更低功耗的計(jì)算器件成為可能，可用于類似敏捷傳感器網(wǎng)絡(luò)、植入式醫(yī)療電子技術(shù)和高機(jī)動(dòng)式計(jì)算等能量受限領(lǐng)域。近帶隙隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體這種新型器件采用量子機(jī)制，電子遂穿超薄
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美國(guó)研制出可替代CMOS器件的低功耗隧道晶體管
[據(jù)美國(guó)固態(tài)技術(shù)網(wǎng)站2013年12月18日?qǐng)?bào)道]一種新型晶體管使更快、更低功耗的計(jì)算器件成為可能，可用于類似敏捷傳感器網(wǎng)絡(luò)、植入式醫(yī)療電子技術(shù)和高機(jī)動(dòng)式計(jì)算等能量受限領(lǐng)域。近帶隙隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體這種新型器件采用量
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美國(guó)研制出可替代CMOS器件的低功耗隧道晶體管
[據(jù)美國(guó)固態(tài)技術(shù)網(wǎng)站2013年12月18日?qǐng)?bào)道]一種新型晶體管使更快、更低功耗的計(jì)算器件成為可能，可用于類似敏捷傳感器網(wǎng)絡(luò)、植入式醫(yī)療電子技術(shù)和高機(jī)動(dòng)式計(jì)算等能量受限領(lǐng)域。近帶隙隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體這種新型器件采用量
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英特爾展望微細(xì)化極限和后CMOS
英特爾在“IEDM 2012”上展望了使CMOS晶體管的微細(xì)化持續(xù)至極限水平所需要的要素技術(shù)、相關(guān)課題以及后CMOS器件技術(shù)（論文編號(hào)：8.1）。要想使CMOS晶體管的微細(xì)化能夠持續(xù)發(fā)展至極限水平，抑制短溝效應(yīng)、導(dǎo)入高遷移率
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使用CMOS器件的文氏電橋振蕩器電路圖
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用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效
我們發(fā)現(xiàn)日益改進(jìn)的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機(jī)功耗。要做到這一點(diǎn)，新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計(jì)空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過(guò)構(gòu)成一個(gè)由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會(huì)繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時(shí)發(fā)揮關(guān)鍵作用。
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采用CMOS器件的數(shù)字式倍頻器
