21ic電子網(wǎng)訊：一種新型晶體管使更快、更低功耗的計算器件成為可能，可用于類似敏捷傳感器網(wǎng)絡、植入式醫(yī)療電子技術和高機動式計算等能量受限領域。近帶隙隧道場效應晶體這種新型器件采用量子機制，電子遂穿超薄能量勢壘，可以低電壓產生高電流。
賓夕法尼亞州立大學、美國國家標準技術研究院以及專業(yè)晶片制造商IQE公司在國際電子器件會議（IEDM）上聯(lián)合宣布了這一發(fā)現(xiàn)。IEDM會議匯集了全部來自主要芯片公司的代表，是一個廣受認可的論壇，用于報告半導體和電子技術方面取得的突破性進展。
芯片制造商正在尋找繼續(xù)縮小晶體管尺寸的方法，并力圖在給定的面積內封裝更多晶體管。隧道場效應晶體管被認為有望替代當前的CMOS器件。當前面對的主要技術挑戰(zhàn)是隨著尺寸減少，晶體管工作所需的功耗未能同步減少，結果導致電池消耗更快，產生更多熱量，給電路帶來不利影響。多種采用非標準硅材料的新型晶體管結構正被研究，用于克服能耗挑戰(zhàn)。
賓夕法尼亞大學的研究生BijeshRajamohanan表示：“此前，該晶體管已在我們的實驗室進行開發(fā)，用于在邏輯電路中替代MOSFET晶體管，可克服功耗問題。目前，我們的研究又向前邁進了一步，展示了該晶體管的高頻工作能力，使其可用于功率極其受限的應用，如植入到人體中的用于處理和收發(fā)信息的電子器件。”
產生更多的功耗和熱量的植入式器件會傷害被監(jiān)控的機體組織，同時會更快耗盡電池，需要更頻繁的電池更換手術。電子工程教授SumanDatta領導的研究團隊利用銦鎵砷和鎵砷銻材料使能帶接近于零—或稱為近帶隙，使電子能夠按預期遂穿通過勢壘。為改善放大率，研究人員將所有連接轉移到垂直晶體管頂部的同一外表面上。
該器件的研究，是美國國家科學基金會通過納米系統(tǒng)工程研究中心資助“一體化傳感器及技術先進自供電系統(tǒng)”(NERC-ASSIST)這一更大計劃的一部分。ASSIST計劃的更大目標，是發(fā)展不使用電池、由人體供電的可穿戴式健康監(jiān)控系統(tǒng)。參與研究的單位包括賓夕法尼亞大學、被卡羅萊納州立大學、弗吉尼亞大學、佛羅里達國際大學。
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