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Diodes 40V 閘極驅(qū)動器減少 IGBT 開關(guān)損耗
21ic訊 Diodes 公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動器（gate driver） ，有助于提高太陽能逆變器、電機驅(qū)動和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。當(dāng)輸入電流為 1mA 時，該閘極驅(qū)動器通?？商峁?4A 的驅(qū)動電
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Diodes 超勢壘整流器提高汽車應(yīng)用可靠性
21ic訊 Diodes 公司推出首款針對汽車應(yīng)用的超勢壘整流器（Super Barrier Rectifier，簡稱SBR）系列。與同類肖特基或超快二極管相比，該系列器件擁有更低的正向電壓降、改善了雪崩額定值以及更高的安全運行區(qū)（SOA）。
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Diodes 超勢壘整流器提高汽車應(yīng)用可靠性
21ic訊 Diodes 公司推出首款針對汽車應(yīng)用的超勢壘整流器（Super Barrier Rectifier，簡稱SBR）系列。與同類肖特基或超快二極管相比，該系列器件擁有更低的正向電壓降、改善了雪崩額定值以及更高的安全運行區(qū)（SOA）。
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Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機損耗
21ic訊 Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流（BLDC）電機控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻（Rdson）性能，以確保平衡分配電機負(fù)載的直流損耗
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Diodes推出超小型MOSFET
21ic訊 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間，其結(jié)點至環(huán)境熱阻 (ROJA) 為256ºC/W，在連續(xù)條件
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Diodes推出超小型MOSFET
21ic訊 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間，其結(jié)點至環(huán)境熱阻 (ROJA) 為256ºC/W，在連續(xù)條件
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Diodes推出全新DFN3020封裝MOSFET
21ic訊 Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補器件。這些雙DFN3020 MOSFET的電學(xué)性能與較大的SOT23封裝器件不相上下，可以替代
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Diodes推出AP9050專用保護接口
21ic訊 Diodes公司推出AP9050專用保護接口，為新一代電源管理IC (PMIC) 提供過壓保護。新器件包含一個LDO穩(wěn)壓器和一個N溝道功率場效應(yīng)晶體管（FET），能夠妥善控制供給PMIC的電流，在出現(xiàn)有效的墻上適配器或USB電源
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Diodes推出高速CMOS邏輯器件
21ic訊 Diodes公司推出完整的先進高速CMOS邏輯器件系列，實現(xiàn)比現(xiàn)有同類高速CMOS邏輯器件更優(yōu)越的功耗和開關(guān)速度。全新74AHC1Gxx邏輯系列的工作電壓為2.0V至5.5V，可輕易替代用于各種消費電子產(chǎn)品的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)邏輯器件
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Diodes公司推出新型APX4558雙通道運算放大器
21ic訊 Diodes公司推出新型APX4558雙通道運算放大器，其輸入噪聲低至8nV/√Hz，無需增加物料清單成本也可滿足更高的音頻性能要求。APX4558的先進性能加上高達3MHz的單位增益帶寬，使其適用于成本特別敏感的各種
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Diodes推出采用緊湊PowerDI5封裝的整流器
21ic訊 Diodes公司推出采用緊湊PowerDI5封裝的額定12A和15A器件，擴展了其專利的超勢壘整流器（SBR）系列。新器件可用作空間有限的開關(guān)模電源設(shè)計的輸出整流器，具備超低正向壓降特性，無論在效率或冷卻運行方面都超
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Diodes開發(fā)出制造高壓整流器的專用平臺
Diodes公司宣布開發(fā)出一種用于制造下一代高壓整流器的專有工藝平臺。這種命名為DIODESTAR的工藝是由Diodes設(shè)在英國奧爾德姆(Oldham)的晶圓制造廠開發(fā)的，并已開始交付第一款器件——一款用于LCD-LED電視電
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Diodes 為下一代高壓整流器開發(fā)全新工藝平臺
21ic訊 Diodes公司宣布開發(fā)出一種用于制造下一代高壓整流器的專有工藝平臺。這種命名為DIODESTAR的工藝是由Diodes設(shè)在英國奧爾德姆（Oldham）的晶圓制造廠開發(fā)的，并已開始交付第一款器件——一款用于LCD-
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Diodes 為下一代高壓整流器開發(fā)全新工藝平臺
21ic訊 Diodes公司宣布開發(fā)出一種用于制造下一代高壓整流器的專有工藝平臺。這種命名為DIODESTAR的工藝是由Diodes設(shè)在英國奧爾德姆（Oldham）的晶圓制造廠開發(fā)的，并已開始交付第一款器件——一款用于LCD-
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線性LED驅(qū)動器控制器AL8400（Diodes）
Diodes公司推出AL8400線性LED驅(qū)動器控制器。它能通過一個外部晶體管精確調(diào)節(jié)各種高亮度LED電流。該控制器適用于照明、指示或標(biāo)牌系統(tǒng)中不同類型的LED串，可直接在2.2V至18V的電壓下工作，并能驅(qū)動N溝道MOSFET或NPN雙
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線性LED驅(qū)動器控制器AL8400（Diodes）
Diodes公司推出AL8400線性LED驅(qū)動器控制器。它能通過一個外部晶體管精確調(diào)節(jié)各種高亮度LED電流。該控制器適用于照明、指示或標(biāo)牌系統(tǒng)中不同類型的LED串，可直接在2.2V至18V的電壓下工作，并能驅(qū)動N溝道MOSFET或NPN雙
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線性LED驅(qū)動器控制器AL8400（Diodes）
Diodes公司推出AL8400線性LED驅(qū)動器控制器。它能通過一個外部晶體管精確調(diào)節(jié)各種高亮度LED電流。該控制器適用于照明、指示或標(biāo)牌系統(tǒng)中不同類型的LED串，可直接在2.2V至18V的電壓下工作，并能驅(qū)動N溝道MOSFET或NPN雙
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中美晶Globitech晶圓2廠開幕問鼎全球最大
中美晶(5483)旗下子公司美國磊晶廠Globitech將于美國時間21日舉行Fab 2晶圓二廠的中美晶Globitech晶圓2廠開幕，問鼎全球最大。 開幕典禮，中美晶董事長盧明光表示，Globitech加計1廠和2廠擴充完畢后，磊晶月產(chǎn)能
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中美晶Globitech晶圓2廠開幕，問鼎全球最大
中美晶(5483)旗下子公司美國磊晶廠Globitech將于美國時間21日舉行Fab2晶圓二廠的開幕典禮，中美晶董事長盧明光表示，Globitech加計1廠和2廠擴充完畢后，磊晶月產(chǎn)能將達到60萬片(約當(dāng)6寸)的水準(zhǔn)，屆時將登上全球最大的
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中美晶Globitech晶圓2廠開幕，問鼎全球最大
中美晶(5483)旗下子公司美國磊晶廠Globitech將于美國時間21日舉行Fab 2晶圓二廠的開幕典禮，中美晶董事長盧明光表示，Globitech加計1廠和2廠擴充完畢后，磊晶月產(chǎn)能將達到60萬片(約當(dāng)6寸)的水準(zhǔn)，屆時將登上全球最大
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