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手機(jī)熱賣(mài)面板轉(zhuǎn)虧為盈三星Q3獲利暴增91%創(chuàng)新高

南韓科技業(yè)巨頭三星(Samsung)(005930-KR) 周五(26 日) 公布上季財(cái)報(bào)終值，獲利幾乎翻倍成長(zhǎng)至空前新高，并超越分析師預(yù)期。歸功于利潤(rùn)高的智慧手機(jī)銷(xiāo)售亮眼，加上電視及面板業(yè)績(jī)改善。三星公布，至9 月底結(jié)束的第三季

顯示光電
2013-08-08

三星 DRAM NAND
《材料》DRAM/封測(cè)連動(dòng)高，華立/長(zhǎng)華Q3樂(lè)觀

晶圓代工大廠臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電(2303)法說(shuō)落幕，分別釋出Q3旺季效應(yīng)僅溫和，營(yíng)收估將微幅季增4~6%、3~4%的營(yíng)運(yùn)展望，也牽動(dòng)半導(dǎo)體材料商后續(xù)訂單狀況。整體而言，半導(dǎo)體材料商對(duì)Q3營(yíng)運(yùn)看法也隨著客戶(hù)群分布的不同，

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2013-08-08

晶圓代工半導(dǎo)體材料 IC DRAM
利基型封測(cè)撐腰，華東Q3營(yíng)收/毛利率估同增

記憶體封測(cè)廠華東(8110)今召開(kāi)法人說(shuō)明會(huì)，總經(jīng)理于鴻祺指出，華東今年Q2的利基型記憶體封測(cè)營(yíng)收比重已升至74%，且終端需求持續(xù)看增，華東預(yù)期Q3營(yíng)收將較Q2的22.26億元增長(zhǎng)，毛利率也有回升空間。于鴻祺表示，下半年

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2013-08-08

封裝 PID MICRON DRAM
金士頓內(nèi)存要大降價(jià) 庫(kù)存積壓？

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道稱(chēng)，由于市場(chǎng)需求疲軟，金士頓正在準(zhǔn)備大幅調(diào)低DRAM內(nèi)存條的報(bào)價(jià)，但是官方拒絕就此發(fā)表評(píng)論。PC市場(chǎng)的整體低迷自然是主要因素，不過(guò)智能手機(jī)、平板機(jī)市場(chǎng)雖然火爆，但是自年中以來(lái)的銷(xiāo)量也未達(dá)到預(yù)期

智能硬件
2013-08-08

內(nèi)存金士頓內(nèi)存條 DRAM
瑞薩關(guān)閉鶴崗工廠或影響Wii供應(yīng)鏈

日本半導(dǎo)體巨頭瑞薩電子（Renesas Electronics）在本月2日召開(kāi)的季度財(cái)務(wù)會(huì)議上正式確認(rèn)了將關(guān)閉日本鶴崗工廠的決定，這對(duì)于任天堂來(lái)說(shuō)可謂是一則極壞的消息，因?yàn)辁Q崗工廠在Wii U供應(yīng)鏈中具有不可替代的地位。據(jù)了解

消費(fèi)電子
2013-08-08

供應(yīng)鏈瑞薩電子游戲機(jī) DRAM
美光/爾必達(dá)合體年內(nèi)量產(chǎn)20nm DRAM

美國(guó)記憶體大廠美光科技(Micron Technology Inc.)最高營(yíng)運(yùn)負(fù)責(zé)人(CEO)Mark Duncan于7月31日接受訪談時(shí)表示，在獲得美光的奧援下，正進(jìn)行破產(chǎn)重整的全球第3大DRAM廠爾必達(dá)

嵌入式動(dòng)態(tài)
2013-08-05

美光爾必達(dá) 晶圓廠 DRAM
合并后的美光前進(jìn)的步伐更加小心謹(jǐn)慎

雖然美光成功并購(gòu)日本DRAM廠爾必達(dá)，擠下韓國(guó)SK海力士，躍居全球第2大DRAM廠，但美光全球總裁Mark Adams對(duì)于下半年存儲(chǔ)器市場(chǎng)景氣，看法上卻是"小心謹(jǐn)慎"。他表示，全球總體經(jīng)濟(jì)環(huán)境仍不穩(wěn)定，在未見(jiàn)到需求明顯擴(kuò)張情

智能硬件
2013-08-05

美光 MARK ADAM DRAM
觸控新戰(zhàn)略化零為整

TPK宸鴻上周大動(dòng)作對(duì)諾基亞、蘇寧、歐菲光與中博貿(mào)易等業(yè)者提出專(zhuān)利訴訟，震驚業(yè)界，讓國(guó)際社會(huì)看到國(guó)人力挺觸控產(chǎn)業(yè)的決心。隨著臺(tái)灣觸控產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立，凝聚產(chǎn)業(yè)資源與力量，讓臺(tái)灣觸控業(yè)更發(fā)光發(fā)熱。隨著臺(tái)灣觸控

顯示光電
2013-08-05

諾基亞蘇寧 DRAM
新美光正式成立：超越海力士直逼三星

吞下日本爾必達(dá)之后，新的美光集團(tuán)將在DRAM內(nèi)存市場(chǎng)上占據(jù)更重要的地位，市場(chǎng)規(guī)模將一舉超越SK海力士，并無(wú)限逼近三星電子。新美光的DRAM晶圓月產(chǎn)能將有最多35萬(wàn)塊，相比之下SK海力士才27萬(wàn)塊，三星電子也不過(guò)36萬(wàn)塊

智能硬件
2013-08-02

美光海力士三星 DRAM
聯(lián)電12寸URAM獲陸商高拓訊達(dá)訂單

聯(lián)電（2303）昨（29）日宣布，12寸URAM嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)獲得中國(guó)大陸數(shù)碼電視解調(diào)器芯片設(shè)計(jì)公司高拓訊達(dá)（AltoBeam）的訂單，未來(lái)將運(yùn)用在高拓訊達(dá)推出的DVB-T2/T/C/S2/S解調(diào)器ATBM7812，以因應(yīng)未來(lái)數(shù)碼電視市場(chǎng)需求

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2013-07-30

聯(lián)電數(shù)碼 RAM DRAM
宏觀經(jīng)濟(jì)低迷世界半導(dǎo)體業(yè)下調(diào)

據(jù)市調(diào)公司IC Insights日前報(bào)告，今年在美國(guó)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)率僅能與去年持平(仍增長(zhǎng)2.2%)的影響下，導(dǎo)致世界GDP從原來(lái)預(yù)計(jì)的增長(zhǎng)3.1%調(diào)整為3.0%(去年為2.7%)。從過(guò)去幾年看，世界半導(dǎo)體市場(chǎng)的成長(zhǎng)與GDP成長(zhǎng)存在著密切的關(guān)系

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-07-30

存儲(chǔ)器半導(dǎo)體市場(chǎng) DRAM
聯(lián)電12寸URAM獲陸商高拓訊達(dá)訂單

聯(lián)電（2303）昨（29）日宣布，12寸URAM嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)獲得中國(guó)大陸數(shù)碼電視解調(diào)器芯片設(shè)計(jì)公司高拓訊達(dá)（AltoBeam）的訂單，未來(lái)將運(yùn)用在高拓訊達(dá)推出的DVB-T2/T/C/S2/S解調(diào)器ATBM7812，以因應(yīng)未來(lái)數(shù)碼電視市場(chǎng)需求

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2013-07-30

聯(lián)電數(shù)碼 RAM DRAM
臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)晶圓廠西進(jìn)政策

臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)晶圓廠西進(jìn)政策，在8寸晶圓廠時(shí)代是以「總量管制、技術(shù)領(lǐng)先」為兩大原則，其中總量管制是至2005年以核準(zhǔn)3座8寸晶圓廠為上限，當(dāng)時(shí)是晶圓代工廠臺(tái)積電，以及記憶體廠茂德和力晶申請(qǐng)。技術(shù)領(lǐng)先的規(guī)定是指

消費(fèi)電子
2013-07-22

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 臺(tái)積電晶圓廠 DRAM
DRAM平均售價(jià)緣何一路飆升？

根據(jù)IC Insights的最新報(bào)告指出，2013年上半年，DRAM平均銷(xiāo)售價(jià)格(ASP)逐月上升，最后一次出現(xiàn)這種狀況是在2010年10月。與去年同期相比，DRAM平均銷(xiāo)售價(jià)格第二季度跳增42%，而今年第一季度增長(zhǎng)值為22%。IC Insights預(yù)

消費(fèi)電子
2013-07-22

低功耗 INSIGHT SOURCE DRAM
全球主要存儲(chǔ)大廠最新動(dòng)態(tài)及趨勢(shì)

【導(dǎo)讀】以手機(jī)、平板電腦及可穿戴設(shè)備等移動(dòng)終端的興起，不斷侵蝕PC市場(chǎng)份額，人們對(duì)SSD的需求銳減，內(nèi)存、硬盤(pán)亦是前行道路坎坷，然而，移動(dòng)裝置的盛行，為NAND Flash開(kāi)辟了新的市場(chǎng)。面對(duì)新的市場(chǎng)，各大存儲(chǔ)廠商也

半導(dǎo)體
2013-07-20

東芝 SSD SANDISK DRAM
半導(dǎo)體下半年設(shè)備商按贊

微影設(shè)備大廠荷商艾司摩爾第2季財(cái)報(bào)符合市場(chǎng)預(yù)期，執(zhí)行長(zhǎng)PeterWennink表示，行動(dòng)裝置需求強(qiáng)勁，帶動(dòng)晶圓代工廠及存儲(chǔ)器廠擴(kuò)大投資，其中晶圓代工廠已著手準(zhǔn)備20納米以下先進(jìn)制程產(chǎn)能，DRAM廠則擴(kuò)大MobileDRAM的擴(kuò)產(chǎn)，

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2013-07-18

半導(dǎo)體晶圓代工 EUV DRAM
NAND合約價(jià) 8月看漲

市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，7月上旬OEM和通路端需求力道同時(shí)趨緩，NAND Flash合約價(jià)持平開(kāi)出。不過(guò)，因?yàn)榈?季NAND Flash位元消耗量將較上季增加逾10％，供給端位元成長(zhǎng)僅6~7％，隨

消費(fèi)電子
2013-07-18

OEM EXCHANGE DRAM NAND
晶圓廠西進(jìn)

臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)晶圓廠西進(jìn)政策，在8寸晶圓廠時(shí)代是以「總量管制、技術(shù)領(lǐng)先」為兩大原則，其中總量管制是至2005年以核準(zhǔn)3座8寸晶圓廠為上限，當(dāng)時(shí)是晶圓代工廠臺(tái)積電，以及記憶體廠茂德和力晶申請(qǐng)。技術(shù)領(lǐng)先的規(guī)定是

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2013-07-17

臺(tái)積電晶圓廠 DRAM
華芯：發(fā)揮本土優(yōu)勢(shì) 實(shí)現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)夢(mèng)

長(zhǎng)久以來(lái)，作為PC產(chǎn)品一個(gè)必不可少的部分，DRAM生產(chǎn)成為所有集成電路的產(chǎn)品中，追求先進(jìn)工藝最迫切的產(chǎn)品，是集成電路工藝的指標(biāo)，更維持了摩爾定律的長(zhǎng)期不衰。但由于技術(shù)所限，我國(guó)的DRAM產(chǎn)業(yè)基本上是依靠進(jìn)口，三

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2013-07-17

CPU 奇夢(mèng)達(dá) 集成電路產(chǎn)業(yè) DRAM
晶圓廠西進(jìn)

臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)晶圓廠西進(jìn)政策，在8寸晶圓廠時(shí)代是以「總量管制、技術(shù)領(lǐng)先」為兩大原則，其中總量管制是至2005年以核準(zhǔn)3座8寸晶圓廠為上限，當(dāng)時(shí)是晶圓代工廠臺(tái)積電，以及記憶體廠茂德和力晶申請(qǐng)。技術(shù)領(lǐng)先的規(guī)定是

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2013-07-17

臺(tái)積電晶圓廠 DRAM

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手機(jī)熱賣(mài)面板轉(zhuǎn)虧為盈三星Q3獲利暴增91%創(chuàng)新高

《材料》DRAM/封測(cè)連動(dòng)高，華立/長(zhǎng)華Q3樂(lè)觀

利基型封測(cè)撐腰，華東Q3營(yíng)收/毛利率估同增

金士頓內(nèi)存要大降價(jià) 庫(kù)存積壓？

瑞薩關(guān)閉鶴崗工廠或影響Wii供應(yīng)鏈

美光/爾必達(dá)合體年內(nèi)量產(chǎn)20nm DRAM

合并后的美光前進(jìn)的步伐更加小心謹(jǐn)慎

觸控新戰(zhàn)略化零為整

新美光正式成立：超越海力士直逼三星

聯(lián)電12寸URAM獲陸商高拓訊達(dá)訂單

宏觀經(jīng)濟(jì)低迷世界半導(dǎo)體業(yè)下調(diào)

聯(lián)電12寸URAM獲陸商高拓訊達(dá)訂單

臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)晶圓廠西進(jìn)政策

DRAM平均售價(jià)緣何一路飆升？

全球主要存儲(chǔ)大廠最新動(dòng)態(tài)及趨勢(shì)

半導(dǎo)體下半年設(shè)備商按贊

NAND合約價(jià) 8月看漲

晶圓廠西進(jìn)

華芯：發(fā)揮本土優(yōu)勢(shì) 實(shí)現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)夢(mèng)

晶圓廠西進(jìn)

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