3月22日消息,據臺灣媒體報道,國產DRAM芯片廠商合肥長鑫存儲將在今年二季度試產17nm工藝的DDR5內存芯片,并尋求擴大產能。報道稱,目前合肥長鑫的17nm工藝DDR5內存芯片良率已經達到了40%,預計在今年二季度試產,出樣片給到客戶。雖然目前40%的良率較低,不過長鑫存儲將會在接下來的時間里持續(xù)改進良率。根據此前長鑫存儲公布的路線圖也顯示,長鑫存儲目前正計劃推出17nm DDR5/LPDDR5,后續(xù)還將推出10nm制程的產品。
挑戰(zhàn)趣味測試,驗證您是存儲達人還是內存大神
UART,SPI,I2C串口通信
linux中的文件IO
玩轉電子制作DIY
C 語言靈魂 指針 黃金十一講 之(10)
內容不相關 內容錯誤 其它
本站介紹 | 申請友情鏈接 | 歡迎投稿 | 隱私聲明 | 廣告業(yè)務 | 網站地圖 | 聯(lián)系我們 | 誠聘英才
ICP許可證號:京ICP證070360號 21IC電子網 2000- 版權所有 用戶舉報窗口( 郵箱:macysun@21ic.com 電話:010-82165003 )
京公網安備 11010802024343號