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[導(dǎo)讀]3月22日消息,據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,國(guó)產(chǎn)DRAM芯片廠商合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)將在今年二季度試產(chǎn)17nm工藝的DDR5內(nèi)存芯片,并尋求擴(kuò)大產(chǎn)能。報(bào)道稱(chēng),目前合肥長(zhǎng)鑫的17nm工藝DDR5內(nèi)存芯片良率已經(jīng)達(dá)到了40%,預(yù)計(jì)在今年二季度試產(chǎn),出樣片給到客戶。雖然目前40%的良率較低,不過(guò)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)將會(huì)在接下來(lái)的時(shí)間里持續(xù)改進(jìn)良率。根據(jù)此前長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)公布的路線圖也顯示,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)目前正計(jì)劃推出17nm DDR5/LPDDR5,后續(xù)還將推出10nm制程的產(chǎn)品。

3月22日消息,據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,國(guó)產(chǎn)DRAM芯片廠商合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)將在今年二季度試產(chǎn)17nm工藝的DDR5內(nèi)存芯片,并尋求擴(kuò)大產(chǎn)能。報(bào)道稱(chēng),目前合肥長(zhǎng)鑫的17nm工藝DDR5內(nèi)存芯片良率已經(jīng)達(dá)到了40%,預(yù)計(jì)在今年二季度試產(chǎn),出樣片給到客戶。雖然目前40%的良率較低,不過(guò)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)將會(huì)在接下來(lái)的時(shí)間里持續(xù)改進(jìn)良率。根據(jù)此前長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)公布的路線圖也顯示,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)目前正計(jì)劃推出17nm DDR5/LPDDR5,后續(xù)還將推出10nm制程的產(chǎn)品。

DDR5是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比,DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng),功耗更低。其它變化還有,電壓從1.2V降低到1.1V,同時(shí)每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。目前還沒(méi)有正式支持DDR5內(nèi)存的平臺(tái),AMD預(yù)計(jì)會(huì)在2021年的Zen4處理器上更換插槽,支持DDR5內(nèi)存,而Intel這邊14nm及10nm處理器都沒(méi)有明確過(guò)DDR5內(nèi)存支持,官方路線圖顯示2021年的7nm工藝Sapphire Rapids處理器才會(huì)上DDR5,而且是首發(fā)服務(wù)器產(chǎn)品,消費(fèi)級(jí)的估計(jì)還要再等等。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司于2017年11月16日成立。法定代表人趙綸,公司總部在合肥,公司經(jīng)營(yíng)范圍包括:存儲(chǔ)技術(shù)服務(wù);集成電路設(shè)計(jì)、制造、加工、技術(shù)開(kāi)發(fā)、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)咨詢(xún)、技術(shù)服務(wù)、技術(shù)培訓(xùn)及技術(shù)檢測(cè);電子產(chǎn)品銷(xiāo)售并提供售后服務(wù)及技術(shù)服務(wù);半導(dǎo)體集成電路芯片研發(fā)、設(shè)計(jì)、委托加工、銷(xiāo)售;計(jì)算機(jī)軟硬件及網(wǎng)絡(luò)軟硬件產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā);計(jì)算機(jī)軟硬件及輔助設(shè)備、電子元器件、通訊設(shè)備的銷(xiāo)售;設(shè)備、房屋租賃;產(chǎn)業(yè)并購(gòu);股權(quán)投資;自營(yíng)和代理各類(lèi)商品和技術(shù)的進(jìn)出口業(yè)務(wù)(但國(guó)家限定企業(yè)經(jīng)營(yíng)或禁止進(jìn)出口的商品和技術(shù)除外)等

與集成電路其他產(chǎn)品相比,存儲(chǔ)芯片的收入近年內(nèi)將經(jīng)歷最快速的增長(zhǎng),預(yù)計(jì)2020年至2025年的復(fù)合年增長(zhǎng)率將超過(guò)9%。截至2020年末長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得全球接近1%市場(chǎng)份額,全資子公司武漢新芯聚焦Nor flash,與長(zhǎng)存NAND補(bǔ)齊Flash版圖。本土需求疊加外部因素催生本土廠商產(chǎn)能躍進(jìn),未來(lái)五年長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)存產(chǎn)能有望持續(xù)提升,形成較高的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。NAND與DRAM存儲(chǔ)芯片為全國(guó)最大市場(chǎng)體量的芯片,且國(guó)內(nèi)需求巨大,以長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等為代表的存儲(chǔ)企業(yè)成立歷史尚短,但通過(guò)持續(xù)技術(shù)迭代,已取得不斷突破。

根據(jù)IC Insights數(shù)據(jù),2021年,全球存儲(chǔ)器IC市場(chǎng)超過(guò)1550億美元,其中56%預(yù)計(jì)將來(lái)自于DRAM產(chǎn)品,約41%由NAND存儲(chǔ)器的銷(xiāo)售產(chǎn)生。伴隨云計(jì)算、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等重要趨勢(shì)推動(dòng)數(shù)據(jù)大爆炸時(shí)代的來(lái)臨,并助推了未來(lái)幾年存儲(chǔ)需求的強(qiáng)勁增長(zhǎng)。與集成電路其他產(chǎn)品相比,存儲(chǔ)芯片的收入近年內(nèi)將經(jīng)歷最快速的增長(zhǎng),預(yù)計(jì)2020年至2025年的復(fù)合年增長(zhǎng)率將超過(guò)9%。DRAM作為是存儲(chǔ)最大細(xì)分市場(chǎng),在電動(dòng)車(chē)和智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)的推動(dòng)下、全球居家辦公需求延續(xù)、5G、人工智能大發(fā)展的背景下,DRAM需求也隨之不斷攀升。合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)作為一體化存儲(chǔ)器制造商,專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片(DRAM)的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售,目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)此前與Polaris Innovations Limited簽署了專(zhuān)利協(xié)議,使其可以利用奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)的DRAM技術(shù),而奇夢(mèng)達(dá)曾是世界第二大DRAM制造商。隨后長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)又與Rambus合作,通過(guò)專(zhuān)利許可協(xié)議獲得了不少DRAM專(zhuān)利。雖然雙方都沒(méi)有公布交易的細(xì)節(jié),不過(guò)作為一項(xiàng)長(zhǎng)期協(xié)議,至少會(huì)持續(xù)數(shù)年的時(shí)間,這使得長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的產(chǎn)品組合變得更加多樣化。

根據(jù)企查查所披露的公司股東信息顯示,公司目前的股東包括有建信股權(quán)、大灣區(qū)共同家園發(fā)展基金、中郵保險(xiǎn)、東方資管、和諧健康、騰訊以及阿里等48位。將這中間的各路資本細(xì)分后,公司的股東主要分為代表合肥地方國(guó)資的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)和安徽省投;代表產(chǎn)業(yè)資本的國(guó)家大基金二期以及一眾財(cái)務(wù)投資者。2020年12月,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)存儲(chǔ)母公司睿力集成電路有限公司完成156億元融資,投資方包括“大基金”二期、安徽國(guó)資、兆易創(chuàng)新、小米長(zhǎng)江產(chǎn)業(yè)基金等機(jī)構(gòu)和龍頭公司。不到一年,2021年9月長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)又迎來(lái)了新一輪的融資,投資方陣容的豪華程度相較于前次有過(guò)之而無(wú)不及,其中包括兆易創(chuàng)新、創(chuàng)投、美的資本等產(chǎn)業(yè)資本。

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