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GlobalFoundries、三星攜手投產(chǎn)28nm HKMG高性能工藝
GlobalFoundries、三星電子今天聯(lián)合宣布，計(jì)劃在雙方的全球晶圓廠內(nèi)同步制造基于28nm HKMG高性能低漏電率工藝的芯片。據(jù)稱，這種新工藝是專為移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用處理器而設(shè)計(jì)的，包括高性能智能手機(jī)、平板機(jī)、筆記本、上網(wǎng)
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Intel 22nm晶圓廠升級(jí)速度減緩？
今天有多份業(yè)界分析人士的報(bào)告指出，Intel旗下晶圓廠升級(jí)為22nm工藝的速度可能會(huì)有所放緩，尤其是愛爾蘭的Fab 24將不會(huì)享受此待遇。Intel今年初宣布了龐大的22nm工藝升級(jí)計(jì)劃，計(jì)劃在2011-2012年間將旗下五座晶圓廠升
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分析稱英特爾可能削減明年資本支出 今年計(jì)劃不變
北京時(shí)間8月31日早間消息，華爾街分析師認(rèn)為，鑒于PC需求疲軟，英特爾可能削減今年和2012年的資本設(shè)備支出。巴克萊資本分析師穆斯(C.J.Muse)周二引用消息稱，英特爾已經(jīng)將其在愛爾蘭萊克斯利普(Leixlip)的Fab 24晶圓
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“震”出心得 瑞薩供應(yīng)鏈策略大轉(zhuǎn)彎
日本311強(qiáng)震讓瑞薩電子(Renesas Electronics)8寸和12寸晶圓廠嚴(yán)重受創(chuàng)，連帶拖累其第二季營收；而歷經(jīng)此次災(zāi)難的洗禮，瑞薩電子除已逐漸恢復(fù)正常營運(yùn)外，亦決定改變?cè)械漠a(chǎn)品生產(chǎn)與供應(yīng)策略，未來供應(yīng)模式將以分散產(chǎn)
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代工廠需謹(jǐn)防供過于求 新興應(yīng)用將推動(dòng)產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇
盡管2011年全球半導(dǎo)體銷售收入預(yù)計(jì)將成長7.2%，但Mentor Graphics CEO Walden Rhines警告道，你得注意2012年是否仍能維持此一成長態(tài)勢(shì)。Rhines指出，與過去兩年相較，包括臺(tái)積電、GlobalFoundries和三星電子在內(nèi)的代
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明導(dǎo)CEO：晶圓代工恐供過于求
盡管2011年全球半導(dǎo)體銷售收入預(yù)計(jì)將成長7.2%，但MentorGraphicsCEOWaldenRhines警告道，你得注意2012年是否仍能維持此一成長態(tài)勢(shì)。IHSiSuppli發(fā)布的修正版預(yù)測指出，全球半導(dǎo)體銷售收入在2011年將從前一年的3,041億
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飛兆：為便攜產(chǎn)品帶來更響亮更清晰的音質(zhì)
據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)iSuppli預(yù)測，2011年，全球手機(jī)出貨量將達(dá)到14億部，其中，中高端智能手機(jī)的出貨量將接近4億部。 圖：2010-2014手機(jī)出貨量預(yù)測（來源：iSuppli）“中高端智能手機(jī)是未來幾年增長最快的市場，
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東芝Sandisk 共慶300mm級(jí)NAND閃存廠Fab 5在日投產(chǎn)
東芝株式會(huì)社與SanDisk公司今日共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。 由于消費(fèi)者對(duì)于智能手機(jī)、平板電腦和其他電子設(shè)備的巨大需求推動(dòng)著NAND閃存的全球需求
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臺(tái)積電法說前夕 瑞信看衰Q3營收將負(fù)成長6.5%
臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)明(28)日下午將舉辦第2季法人說明會(huì)，瑞信證券搶在法說前會(huì)前出具研究報(bào)告指出，本次法說會(huì)將聚焦3大點(diǎn)，考量Fabless及IDM客戶訂單削減，將早先預(yù)測的臺(tái)積電第3季營收成長調(diào)降9.9個(gè)百分點(diǎn)，從
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東芝Sandisk 共慶300mm級(jí)NAND閃存廠Fab 5在日投產(chǎn)
東芝株式會(huì)社與SanDisk公司今日共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。 由于消費(fèi)者對(duì)于智能手機(jī)、平板電腦和其他電子設(shè)備的巨大需求推動(dòng)著NAND閃存的全球需求
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英特爾升級(jí)芯片廠獲以色列2.95億美元補(bǔ)貼
英特爾升級(jí)芯片廠獲以色列2.95億美元補(bǔ)貼
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200mm晶圓的金屬接合時(shí)間減半，三菱重工推出常溫接合裝置
展示的樣品為了便于觀察，由150mm和75mm不同尺寸（直徑）的晶圓接合而成。對(duì)各自表面上形成的銅層進(jìn)行了常溫接合。筆者拍攝。（點(diǎn)擊放大） 在形成有硅貫通電極（TSV）的LSI的三維積層中，晶圓表面上形成的金屬層之
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三星電子韓國新NAND廠預(yù)計(jì)9月投產(chǎn)
三星電子一家新的存儲(chǔ)半導(dǎo)體制造廠將于9月投入運(yùn)營。消息人士說，新廠編號(hào)為“Line-16”，主要生產(chǎn)NAND芯片。2010年5月時(shí)，三星在韓國京畿道(Gyeonggi Province)華城(Hwaseong)破土動(dòng)工，建立新的工廠。此前三星曾透
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三星電子韓國新NAND廠預(yù)計(jì)9月投產(chǎn)
三星電子一家新的存儲(chǔ)半導(dǎo)體制造廠將于9月投入運(yùn)營。消息人士說，新廠編號(hào)為“Line-16”，主要生產(chǎn)NAND芯片。2010年5月時(shí)，三星在韓國京畿道(GyeonggiProvince)華城(Hwaseong)破土動(dòng)工，建立新的工廠。此前三星曾透露
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報(bào)道稱Intel已查明Fab22工廠爆炸事故起因
據(jù)報(bào)道，Intel公司已經(jīng)查明了上月亞利桑那州chandler Fab22芯片廠發(fā)生爆炸事故的原因，據(jù)稱是由于工廠當(dāng)時(shí)正在使用一套“臨時(shí)系統(tǒng)”來進(jìn)行生產(chǎn)用溶劑的清洗處理，而intel則認(rèn)為這套所謂的“臨時(shí)系統(tǒng)”存在嚴(yán)重問題。
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東芝與Sandisk共慶NAND閃存工廠Fab5正式投產(chǎn)
東芝株式會(huì)社 與Sandisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。由于消費(fèi)者對(duì)于智能手機(jī)、平板電腦和其他電子設(shè)備的巨大需求推動(dòng)著NAND閃存的全球需求總量進(jìn)
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300mm級(jí)NAND閃存工廠Fab 5在日本正式投產(chǎn)
2011年7月12日，日本三重縣四日市 —— 東芝株式會(huì)社 (TOKYO：6502) 與SanDisk公司 (NASDAQ：SNDK) 今日共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。
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東芝啟動(dòng)NAND閃存新廠房Fab5，將成為后NAND存儲(chǔ)器的主力工廠
竣工儀式的剪彩儀式（點(diǎn)擊放大） 在竣工宴會(huì)上致辭的東芝佐佐木（點(diǎn)擊放大） 東芝宣布，該公司在四日市工廠（三重縣四日市市）內(nèi)建設(shè)的NAND閃存新制造廠房“Fab5”已經(jīng)竣工并投產(chǎn)。該廠房將成為24nm工藝以后的
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東芝Sandisk 共慶300mm級(jí)NAND閃存廠Fab 5在日投產(chǎn)
東芝株式會(huì)社與SanDisk公司今日共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。 由于消費(fèi)者對(duì)于智能手機(jī)、平板電腦和其他電子設(shè)備的巨大需求推動(dòng)著NAND閃存的全球需求總量進(jìn)
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東芝和新帝Fab 5新廠
連于慧 NAND Flash大廠東芝(Toshiba)和快閃記憶卡大廠新帝(SanDisk) 于日本三重縣四日市合資新12吋晶圓廠Fab 5，此座新廠是采用2層式鋼結(jié)構(gòu)混凝土建筑，共達(dá)5層樓，建筑面積約38,000平方米，使用面積約187,000平方米
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