英特爾:重構FinFET
FinFETs + FD-SOI 方案:可以更節(jié)省電力
臺積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈,積極投入2nm研發(fā):終于告別FinFET
英特爾第三次專利無效申請失??!中科院微電子所再度獲勝
Nerissa Draeger博士:全包圍柵極結構將取代FinFET
車用SoC如何克服多重圖形與FinFET挑戰(zhàn)
物聯(lián)網(wǎng)應用帶動FD-SOI制程快速增長
三星將加速推動5G商用化
中芯國際披露第二代14nm:性能提升20%、功耗降低60%
摩爾定律延壽數(shù)十年 FinFET晶體管發(fā)明人胡正明獲IEEE榮譽獎章
基于C#和.net開發(fā)的window應用的bug修復和完善
預算:¥3000