文章將介紹如何拆焊Flash芯片,設(shè)計及制作相應(yīng)的分線板。該系列將詳細講解及實踐對嵌入式設(shè)備的非易失性存儲的簡單有效攻擊手段。這些攻擊包括:(1)讀取存儲芯片內(nèi)容;(2)修改芯片內(nèi)容;(3)監(jiān)視對存儲芯片的讀取操作并遠程修改(中間人攻擊)。想想,當(dāng)你拆開一個嵌入式產(chǎn)品,卻被擋在F...
(全球TMT2021年8月20日訊)當(dāng)下,互聯(lián)網(wǎng)已經(jīng)滲透到世界的每個角落,與我們的學(xué)習(xí)、工作、生活等各個領(lǐng)域密切結(jié)合,帶來便利的同時,也給信息安全帶來嚴重的挑戰(zhàn)。服務(wù)器作為信息化的基石,關(guān)系到信息安
在單機架系統(tǒng)中,用戶交換機與Blade通過RJ45的千兆網(wǎng)接口進行連接,用戶經(jīng)用戶交換機接入Blade服務(wù)器進行數(shù)據(jù)交換,可以在全球任何地方,由Intemet接入到用戶交換機。
下面,瑞生介紹一種方法給大家,只利用一顆FLASH芯片W25Q16即可用你的單片機把圖片顯示到TFT液晶屏上。原理:W25Q16是一顆FLASH芯片,可以存儲數(shù)據(jù),共2M字節(jié)。把圖片搞成二進制bin文件,通過串口調(diào)試助手把這個文件
根據(jù)研調(diào)機構(gòu)集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,NAND Flash合約價在8月上旬下跌6~8%后,8月下旬續(xù)跌5~10%,亦即8月合約價較7月重跌11~18%。集邦科技表示
【導(dǎo)讀】2007年半導(dǎo)體業(yè)充滿了不確定因素 半導(dǎo)體芯片廠商都對2008年充滿信心,不過,半導(dǎo)體廠商首先得先面對2007年的不確定性。 通常1月份為電子業(yè)傳是否步入統(tǒng)淡季的指標(biāo)。若當(dāng)月份消費性電子商品銷售不
IBM預(yù)計將在明年利用新創(chuàng)公司Diablo Technologies的技術(shù),為伺服器雙列直插式存儲器模組(DIMM)插槽加入NAND flash。該公司并計劃在DIMM埠中采用自行設(shè)計的控制器芯片。此外,IBM并加倍擴增去年從Texas Memory System
受到諸多全球總體經(jīng)濟復(fù)蘇的不確定變數(shù)干擾,2011 部份的NAND Flash終端應(yīng)用產(chǎn)品出貨量將不如預(yù)期,及3Q11受過剩庫存去化影響而使傳統(tǒng)備貨旺季效應(yīng)遞延等因素的綜合影響下,8月上旬NAND Flash芯片市場買氣依然疲弱,
歷經(jīng)過去2個月的不斷地交涉協(xié)商后,7月底時多數(shù)的NANDFlash買賣雙方業(yè)者,終于就多數(shù)的NANDFlash芯片合約價格大致達成了共識。由于6月到7月期間正值記憶卡和UFD通路市場及系統(tǒng)產(chǎn)品OEM客戶的傳統(tǒng)淡季,再加上2Q季底效
歷經(jīng)過去2個月的不斷地交涉協(xié)商后,7月底時多數(shù)的NAND Flash買賣雙方業(yè)者,終于就多數(shù)的 NAND Flash芯片合約價格大致達成了共識。由于6月到7月期間正值記憶卡和UFD通路市場及系統(tǒng)產(chǎn)品OEM客戶的傳統(tǒng)淡季,再加上2Q季底
由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增,三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。 據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo),三星和海力士2011年NAND Flash位元成長率(Bi
據(jù)了解,由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(TabletPC)需求暴增,三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)2011年雙雙提升NANDFlash芯片產(chǎn)量。據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo),三星和海力士2011年NANDFlash位元成長率(
二月的深圳,花紅草綠,鶯歌燕舞。IIC 2011在深圳會展中心隆重開幕,來自國內(nèi)外半導(dǎo)體廠商匯聚一堂,熱鬧非凡。 在國內(nèi)外一線半導(dǎo)體廠商的光芒照耀下,一些國內(nèi)廠商的展位顯得樸實無華,但卻也不影響他們的雄心壯
據(jù)華爾街日報(WSJ)報導(dǎo),韓國半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲器市場表現(xiàn),將提升資本支出并擴張產(chǎn)能。 海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-KapKim)表示,2009年12月為第1次DRAM合約價在11月后并未下滑,此外,預(yù)期2010
據(jù)臺灣媒體報道,東芝日前發(fā)生日本晶圓廠遭到雷擊短暫停電事件,盡管NAND Flash產(chǎn)能并未受到影響,然令業(yè)界意外的是,由于該廠房主要生產(chǎn)包含快閃記憶卡控制芯片的邏輯IC產(chǎn)品,因此,使得東芝microSD卡供應(yīng)量驟降,帶
受全球金融風(fēng)暴重擊,NAND型快閃存儲器(Flash)買氣陷入長期停滯期,然屋漏偏逢連夜雨,繼新帝(SanDisk)祭出專利訴訟,近期飛索半導(dǎo)體(Spansion)亦控告三星電子(Samsung Electronics)所生產(chǎn)NAND Flash芯片侵權(quán),并將蘋
以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例,對比NAND Flash和NOR Flash的異同;介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強型單片機系統(tǒng)中的應(yīng)用,完成了硬件接口設(shè)計和軟件設(shè)計,并給出硬件連接圖和部分程序代碼。