HB

盛科迅速拓展海外以太網(wǎng)交換芯片市場(chǎng)

近日，盛科網(wǎng)絡(luò)（蘇州）有限公司成功簽下了美國(guó) SouthBridge 作為盛科的又一海外代理商。在此之前，已經(jīng)簽約中國(guó)大陸代理 深圳賽博聯(lián) 和 武漢藍(lán)途科技 ，今年3月簽約以色列 EMY-tech 作為在中東代理商之后又陸續(xù)簽約

盛科拓展海外有中國(guó)自主產(chǎn)權(quán)的以太網(wǎng)芯片市場(chǎng)

近日，盛科網(wǎng)絡(luò)(蘇州)有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“盛科”)成功簽下了美國(guó) SouthBridge 作為盛科的又一海外代理商。在此之前，已經(jīng)簽約中國(guó)大陸代理 深圳賽博聯(lián) 和 武漢藍(lán)途科技 ，今年3月簽約以色列 EMY-tech 作為

盛科迅速拓展海外有中國(guó)自主產(chǎn)權(quán)的以太網(wǎng)交換芯片市場(chǎng)

近日，盛科網(wǎng)絡(luò)（蘇州）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“盛科”）成功簽下了美國(guó) SouthBridge 作為盛科的又一海外代理商。在此之前，已經(jīng)簽約中國(guó)大陸代理 深圳賽博聯(lián) 和 武漢藍(lán)途科技 ，今年3月簽約以色列 EMY-tech 作為在中東

HB型心電圖機(jī)電路

粵豐YE-323HB電子熱水瓶電路圖

Luminus發(fā)布100lm/W白色HB-LED 最高達(dá)1600lm

美國(guó)Luminus Devices公司，將推出高能效，高亮度暖白色的SSM-80 led照明產(chǎn)品。該產(chǎn)品將主要面向通用照明領(lǐng)域。Luminus Devices公司已經(jīng)展出SSM-80LED樣品，大規(guī)模生產(chǎn)將在隨后的夏天展開(kāi)。 圖：SSM-80 LED。 該產(chǎn)

基于低成本微處理器的高亮度LED控制解決方案

高亮度LED（HBled）在汽車(chē)、消費(fèi)電子和工業(yè)市場(chǎng)正在快速普及。 色彩絢麗、壽命長(zhǎng)、能源效率高，這些是高亮度LED成為照明應(yīng)用未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)的部分原因。 在汽車(chē)行業(yè)，HBLED技術(shù)使車(chē)輛在造型、安全、燃油的經(jīng)濟(jì)性方

基于低成本微處理器的高亮度LED控制解決方案

高亮度LED（HBled）在汽車(chē)、消費(fèi)電子和工業(yè)市場(chǎng)正在快速普及。 色彩絢麗、壽命長(zhǎng)、能源效率高，這些是高亮度LED成為照明應(yīng)用未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)的部分原因。 在汽車(chē)行業(yè)，HBLED技術(shù)使車(chē)輛在造型、安全、燃油的經(jīng)濟(jì)性方

基于低成本微處理器的高亮度LED控制解決方案

高亮度LED（HBled）在汽車(chē)、消費(fèi)電子和工業(yè)市場(chǎng)正在快速普及。 色彩絢麗、壽命長(zhǎng)、能源效率高，這些是高亮度LED成為照明應(yīng)用未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)的部分原因。 在汽車(chē)行業(yè)，HBLED技術(shù)使車(chē)輛在造型、安全、燃油的經(jīng)濟(jì)性方

數(shù)字中頻式頻譜儀的分辨率帶寬設(shè)計(jì)

頻譜分析儀按實(shí)現(xiàn)方式可分為模擬式和數(shù)字式兩種，前者以模擬濾波器為基礎(chǔ)，后者則以數(shù)字濾波器和FFT分析為基礎(chǔ)。相比之下，模擬式頻譜分析儀不能獲得實(shí)時(shí)頻譜，且由于模擬濾波器會(huì)受到非線(xiàn)性、溫漂、老化等影響，

基于SiGe HBT的射頻有源電感的設(shè)計(jì)

本文設(shè)計(jì)了四種結(jié)構(gòu)的射頻有源電感， 其中包括兩種正電感和兩種負(fù)電感。研究結(jié)果表明由晶體管構(gòu)成的有源電感的性能受晶體管的組態(tài)及偏置影響較大。四種電路結(jié)構(gòu)中，由共射放大器與共集放大器級(jí)聯(lián)反饋構(gòu)成的有源電感性能較好。采用回轉(zhuǎn)器原理實(shí)現(xiàn)的有源電感，電感值不隨面積減小而減小。改變晶體管的偏置電壓，有源電感具有可調(diào)諧性。

數(shù)字中頻式頻譜儀的分辨率帶寬設(shè)計(jì)

頻譜分析儀按實(shí)現(xiàn)方式可分為模擬式和數(shù)字式兩種，前者以模擬濾波器為基礎(chǔ)，后者則以數(shù)字濾波器和FFT分析為基礎(chǔ)。相比之下，模擬式頻譜分析儀不能獲得實(shí)時(shí)頻譜，且由于模擬濾波器會(huì)受到非線(xiàn)性、溫漂、老化等影響，

EVG推出EVG620HBL光刻系統(tǒng)

EVG在SEMICON China 2011展會(huì)期間推出EVG620HBL光刻系統(tǒng)。 這一全新的EVG620HBL全自動(dòng)光刻系統(tǒng)以經(jīng)過(guò)實(shí)戰(zhàn)作業(yè)驗(yàn)證的EVG光刻機(jī)平臺(tái)為基礎(chǔ)，旨在優(yōu)化高亮度發(fā)光二極管(HB - LED)、復(fù)合半導(dǎo)體和動(dòng)力電子設(shè)備的生產(chǎn)制造。

【SEMICON China 2011】應(yīng)對(duì)快速增長(zhǎng)的HB-LED市場(chǎng)需求 EVG推出EVG620HBL光刻系統(tǒng)

EVG在SEMICON China 2011展會(huì)期間推出EVG620HBL光刻系統(tǒng)。 這一全新的EVG620HBL全自動(dòng)光刻系統(tǒng)以經(jīng)過(guò)實(shí)戰(zhàn)作業(yè)驗(yàn)證的EVG光刻機(jī)平臺(tái)為基礎(chǔ)，旨在優(yōu)化高亮度發(fā)光二極管（HB - LED）、復(fù)合半導(dǎo)體和動(dòng)力電子設(shè)備的生產(chǎn)制造

應(yīng)對(duì)快速增長(zhǎng)的HB-LED市場(chǎng)需求 EVG推出EVG620HBL光刻系統(tǒng)

世界領(lǐng)先的先進(jìn)半導(dǎo)體與封裝、微機(jī)電系統(tǒng)、硅絕緣體（SOI）和新興納米技術(shù)市場(chǎng)晶圓鍵合與光刻設(shè)備應(yīng)供應(yīng)商EVG宣布，其產(chǎn)品組合中再添新成員。 這一全新的EVG620HBL全自動(dòng)光刻系統(tǒng)以經(jīng)過(guò)實(shí)戰(zhàn)作業(yè)驗(yàn)證的EVG光刻機(jī)平臺(tái)為

牛津儀器攜手臺(tái)灣工研院合作開(kāi)發(fā)HB-LED封裝制程

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，看好臺(tái)灣工研院在LED、微機(jī)電的研發(fā)能力，國(guó)際儀器設(shè)備制造廠(chǎng)、英國(guó)上市公司Oxford Instruments(牛津儀器，OXIG)于今(23)日進(jìn)駐臺(tái)灣工研院的微機(jī)電開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室，成立研發(fā)中心，雙方將針對(duì)高亮度LED(H

牛津儀器攜手臺(tái)灣工研院合作開(kāi)發(fā)HB-LED封裝制程

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，看好臺(tái)灣工研院在LED、微機(jī)電的研發(fā)能力，國(guó)際儀器設(shè)備制造廠(chǎng)、英國(guó)上市公司Oxford Instruments(牛津儀器，OXIG)于今(23)日進(jìn)駐臺(tái)灣工研院的微機(jī)電開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室，成立研發(fā)中心，雙方將針對(duì)高亮度LED(H

Veeco發(fā)表生產(chǎn)HB LED的MaxBright™ GaN MOCVD

日前，Veeco宣布，其引進(jìn)的TurboDisc®MaxBright™氮化鎵（GaN）有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法（MOCVD）多反應(yīng)器系統(tǒng)，用于生產(chǎn)HBled。 Veeco介紹，MaxBright利用Veeco的FlowFlange®集群架構(gòu)自動(dòng)化技術(shù)和專(zhuān)

臺(tái)系業(yè)者投入砷化鎵晶圓代工領(lǐng)域

目前臺(tái)系砷化鎵(GaAs)晶圓代工廠(chǎng)多耕耘HBT(HeterojunctionBipolarTransistor)以及pHEMT(PseudomorphicHighElectronMobilityTransistor)制程。砷化鎵HBT的特性在于線(xiàn)性度與高電流增益，具功率放大倍率佳、待機(jī)耗電流低

臺(tái)系業(yè)者投入砷化鎵晶圓代工領(lǐng)域

胡皓婷 目前臺(tái)系砷化鎵(GaAs)晶圓代工廠(chǎng)多耕耘HBT(Heterojunction Bipolar Transistor)以及pHEMT (Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)制程。砷化鎵HBT的特性在于線(xiàn)性度與高電流增益，具功率放大倍率佳