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打破國外壟斷！新型國產(chǎn)存儲芯片發(fā)布
業(yè)內(nèi)消息，上周國內(nèi)DRAM芯片廠商長鑫存儲正式推出LPDDR5系列產(chǎn)品，并成功完成了與小米、傳音等國產(chǎn)手機品牌機型的上機驗證。包括12Gb的LPDDR5顆粒，POP封裝的12GB LPDDR5芯片以及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片。
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長鑫官方開賣DDR4/LPDDR4X內(nèi)存！單條8GB 2666MHz
對于國產(chǎn)軟硬件，我們從未如此期盼，幸運的是各項突破也是接踵而至，現(xiàn)在我們終于有了自己的內(nèi)存。 長鑫存儲官方網(wǎng)站上，已經(jīng)公開列出了自家的DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4X內(nèi)存芯片，都符合國
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長鑫官方開賣DDR4/LPDDR4X內(nèi)存 單條8GB 2666MHz
長鑫存儲官方網(wǎng)站上，已經(jīng)公開列出了自家的DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4X內(nèi)存芯片，都符合國際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
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長鑫LPDDR4X內(nèi)存取得進(jìn)展：國產(chǎn)二線品牌手機或率先采用
據(jù)消息人士透露，位于合肥的長鑫存儲公司（CXMT）正在LPDDR4X低功耗內(nèi)存的研發(fā)上取得進(jìn)展，它將吸引國產(chǎn)二線品牌在手機上采用。 長鑫存儲2016年5月在安徽合肥啟動，專業(yè)從事DRAM內(nèi)存的研發(fā)、生
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長鑫存儲19nm DDR4內(nèi)存將于明年上市 LPDDR4X正在路上
12月3日消息 根據(jù)AnandTech的報道，長鑫存儲科技有限公司已經(jīng)開始使用19納米制造技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前，該公司已經(jīng)制定了至少兩個10納米級制造工藝的路線圖，并計劃在未來生產(chǎn)所有類型的DR
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AMD 7nm銳龍APU驚喜曝光：首次支持LPDDR4X-4266
AMD銳龍?zhí)幚砥饕呀?jīng)進(jìn)化到7nm工藝和Zen 2架構(gòu)，而在人民群眾喜聞樂見的APU方面，要到明年的下一代“Renoir”(雷阿諾)才會跟進(jìn)。 此前的Linux驅(qū)動補丁顯示，Renoir APU的圖形核
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手機內(nèi)存超越電腦！三星開始量產(chǎn)12GB LPDDR4X手機內(nèi)存
三星今天宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)業(yè)界首款12G LPDDR4X手機內(nèi)存，新的移動DRAM具有比大多數(shù)超薄筆記本電腦更高的容量，使用戶能夠充分利用下一代智能手機的性能。
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單片12Gb容量！美光發(fā)布第二代4266MHz LPDDR4X內(nèi)存
近日，美光（Micron）宣布推出旗下首款單片容量12Gb（1.5GB）的LPDDR4X低電壓內(nèi)存芯片，速度為4266Mbps，即4266MHz。相較第一代LPDDR4X-4266內(nèi)存，第二代產(chǎn)品的功
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三星第二代10nm工藝LPDDR4X內(nèi)存量產(chǎn) 性能不變更省電
內(nèi)存漲價給三星帶來了利潤的飆升，也促使三星加快內(nèi)存產(chǎn)品的推出和量產(chǎn)。現(xiàn)在智能手機都免不了日日充這一尷尬局面，所以手機產(chǎn)品對功耗的要求也是越來越高，三星第二代10nm級別工藝的LPDDR4X內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn)，在性能方面和第一代相當(dāng)，但功耗大降10%，整體封裝厚度減少20%，非常貼合現(xiàn)在智能手機的發(fā)展趨勢。
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2017年手機內(nèi)存從LPDDR3升級到LPDDR4X
在三星、SK海力士及美光集團(tuán)三大原廠的納米制程轉(zhuǎn)進(jìn)及智能手機主流AP(應(yīng)用處理器)的搭載需求下，LPDDR4X的產(chǎn)出比重持續(xù)增加，出貨數(shù)量在第二季開始將超越LPDDR4...
