長(zhǎng)鑫LPDDR4X內(nèi)存取得進(jìn)展：國(guó)產(chǎn)二線品牌手機(jī)或率先采用

據(jù)消息人士透露，位于合肥的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)公司（CXMT）正在LPDDR4X低功耗內(nèi)存的研發(fā)上取得進(jìn)展，它將吸引國(guó)產(chǎn)二線品牌在手機(jī)上采用。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)2016年5月在安徽合肥啟動(dòng)，專業(yè)從事DRAM內(nèi)存的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座300毫米晶圓廠并投產(chǎn)，并通過(guò)專用研發(fā)線快速迭代研發(fā)，結(jié)合當(dāng)前先進(jìn)設(shè)備大幅度改進(jìn)工藝，開(kāi)發(fā)出了獨(dú)有的技術(shù)體系。

根據(jù)此前消息，長(zhǎng)鑫內(nèi)存自主制造項(xiàng)目總投資1500億元，將生產(chǎn)國(guó)產(chǎn)第一代10nm工藝級(jí)8Gb DDR4內(nèi)存芯片，并獲得了工信部旗下檢測(cè)機(jī)構(gòu)中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院的量產(chǎn)良率檢測(cè)報(bào)告。

本月初，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)從Polaris獲得了大量DRAM技術(shù)專利的實(shí)施許可，而這些專利來(lái)自Polaris 2015年6月從奇夢(mèng)達(dá)母公司英飛凌購(gòu)得的專利組合。