近日,IP公司力旺電子旗下的OTP存儲器硅智財(cái)NeoFuse按照預(yù)期已經(jīng)成功導(dǎo)入華邦電25納米DRAM制程平臺,這一措施的實(shí)現(xiàn),將對未來有很大影響,也將推動(dòng)存儲器行業(yè)、半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展。
摘要:設(shè)計(jì)了一種用于OTP存儲器的片上時(shí)序信號產(chǎn)生電路。由地址變化探測電路和脈沖寬度調(diào)整電路組成。地址變化檢測電路檢測地址信號的變化,再由脈沖寬度調(diào)整電路產(chǎn)生一個(gè)寬度適中的時(shí)序信號,用于內(nèi)部時(shí)序控制。其具
21ic訊 Sidense與安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)宣布,Sidence已將其180納米(nm) OTP存儲器SLP產(chǎn)品線移配到安森美半導(dǎo)體的180 nm數(shù)字及混合信號技術(shù)平臺ONC18。此特許協(xié)議將使SLP宏模塊能夠用于安森美半導(dǎo)體的專用標(biāo)