SMPS
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25W錄像機SMPS電路圖
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實現(xiàn)數(shù)字電源轉(zhuǎn)換的方法
模擬工程師以前在設計需要具有多路輸出、動態(tài)負載共享、熱插拔或廣泛故障處理能力的電源時，往往需要與復雜性抗爭。利用模擬電路來實現(xiàn)系統(tǒng)控制功能并非總是經(jīng)濟有效或靈活的。采用模擬技術(shù)設計電源需要使用“過
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實現(xiàn)數(shù)字電源轉(zhuǎn)換的方法
模擬工程師以前在設計需要具有多路輸出、動態(tài)負載共享、熱插拔或廣泛故障處理能力的電源時，往往需要與復雜性抗爭。利用模擬電路來實現(xiàn)系統(tǒng)控制功能并非總是經(jīng)濟有效或靈活的。采用模擬技術(shù)設計電源需要使用“過
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實現(xiàn)數(shù)字電源轉(zhuǎn)換的方法
模擬工程師以前在設計需要具有多路輸出、動態(tài)負載共享、熱插拔或廣泛故障處理能力的電源時，往往需要與復雜性抗爭。利用模擬電路來實現(xiàn)系統(tǒng)控制功能并非總是經(jīng)濟有效或靈活的。采用模擬技術(shù)設計電源需要使用“過
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以高瓦數(shù)數(shù)字放大器進行設定
數(shù)字放大器功率級提供的功率如今提升到各通道 10 W 到 315 W 的程度。功率經(jīng)過提升后，使得更多種消費性電子產(chǎn)品或其它電子產(chǎn)品能夠運用數(shù)字放大器的優(yōu)點 (高效率及數(shù)字信號完整性等)，然而，此一功率級等比增加有其
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準諧振SMPS控制器L6565功能原理及應用
1概述ST公司在近期推出的L6565單片IC，是適用于準諧振（QR）零電壓開關(guān)（ZVS）回掃變換器電流型初級控制器。QR操作依靠變壓器退磁感測輸入獲得，變換器功率容量隨主線電壓變化通過線路電壓前饋補償。在輕載時，L6565
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準諧振SMPS控制器L6565功能原理及應用
1概述ST公司在近期推出的L6565單片IC，是適用于準諧振（QR）零電壓開關(guān)（ZVS）回掃變換器電流型初級控制器。QR操作依靠變壓器退磁感測輸入獲得，變換器功率容量隨主線電壓變化通過線路電壓前饋補償。在輕載時，L6565
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功率MOSFET驅(qū)動技術(shù)詳解
功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優(yōu)點，因而非常適合用作開關(guān)電源(switch-mode powersupplies，SMPS)的整流組件，不過，在選用MOSFET時有一些注意事項。功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大，在
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RDFC——低成本單電壓輸入開關(guān)電源
離線式 AC/DC 電源廠商日益感受到成本增加的壓力,必須停止生產(chǎn)體積大、效率低的線性電源轉(zhuǎn)換器,并以結(jié)構(gòu)更小、更輕及效率更高的開關(guān)電源(SMPS)產(chǎn)品來取代。 反激式(Flyback)及自激式轉(zhuǎn)換器(Ringing choke convert
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SMPS可實現(xiàn)更高效率的方法
由于技術(shù)的不斷進步以及推薦性和強制性標準的推出，電源的能效正在不斷提高。據(jù)估計，僅美國一個國家，正在使用的電子產(chǎn)品數(shù)量就達到25億件，而每年又有4～5億個新電源售出，所以改善電源效率對于能源效率達標、降低
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全新HEXFET功率MOSFET產(chǎn)品（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來實現(xiàn)
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全新HEXFET功率MOSFET產(chǎn)品（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來實現(xiàn)
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全新HEXFET功率MOSFET產(chǎn)品（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來實現(xiàn)
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解決SMPS應用中電流模式控制的設計問題
本文討論了在SMPS應用中實現(xiàn)電流模式控制的各種方法（使用或不使用模擬比較器）。帶合適外設的DAC在實現(xiàn)SMPS時提供了多種選擇。從模擬SMPS控制到數(shù)字SMPS控制的轉(zhuǎn)換過程中的一個重要步驟是要意識到電流模式控制的期望功能是完全可以在DSC中通過各種技術(shù)實現(xiàn)的。
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150V和200V HEXFET功率MOSFET（IR）
國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開關(guān)模式電源 （SMPS） 、不斷電系統(tǒng) （UPS）、反相器和DC馬達驅(qū)動器等工業(yè)應用提供極低的閘電荷 （Qg）。與其它競爭
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150V和200V HEXFET功率MOSFET（IR）
國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開關(guān)模式電源 （SMPS） 、不斷電系統(tǒng) （UPS）、反相器和DC馬達驅(qū)動器等工業(yè)應用提供極低的閘電荷 （Qg）。與其它競爭
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150V和200V HEXFET功率MOSFET（IR）
國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開關(guān)模式電源 （SMPS） 、不斷電系統(tǒng) （UPS）、反相器和DC馬達驅(qū)動器等工業(yè)應用提供極低的閘電荷 （Qg）。與其它競爭
