SMPS
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實(shí)現(xiàn)數(shù)字電源轉(zhuǎn)換的方法
模擬工程師以前在設(shè)計(jì)需要具有多路輸出、動(dòng)態(tài)負(fù)載共享、熱插拔或廣泛故障處理能力的電源時(shí)，往往需要與復(fù)雜性抗?fàn)帯＠媚M電路來實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)控制功能并非總是經(jīng)濟(jì)有效或靈活的。采用模擬技術(shù)設(shè)計(jì)電源需要使用“過
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實(shí)現(xiàn)數(shù)字電源轉(zhuǎn)換的方法
模擬工程師以前在設(shè)計(jì)需要具有多路輸出、動(dòng)態(tài)負(fù)載共享、熱插拔或廣泛故障處理能力的電源時(shí)，往往需要與復(fù)雜性抗?fàn)帯＠媚M電路來實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)控制功能并非總是經(jīng)濟(jì)有效或靈活的。采用模擬技術(shù)設(shè)計(jì)電源需要使用“過
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實(shí)現(xiàn)數(shù)字電源轉(zhuǎn)換的方法
模擬工程師以前在設(shè)計(jì)需要具有多路輸出、動(dòng)態(tài)負(fù)載共享、熱插拔或廣泛故障處理能力的電源時(shí)，往往需要與復(fù)雜性抗?fàn)?。利用模擬電路來實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)控制功能并非總是經(jīng)濟(jì)有效或靈活的。采用模擬技術(shù)設(shè)計(jì)電源需要使用“過
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以高瓦數(shù)數(shù)字放大器進(jìn)行設(shè)定
數(shù)字放大器功率級提供的功率如今提升到各通道 10 W 到 315 W 的程度。功率經(jīng)過提升后，使得更多種消費(fèi)性電子產(chǎn)品或其它電子產(chǎn)品能夠運(yùn)用數(shù)字放大器的優(yōu)點(diǎn) (高效率及數(shù)字信號完整性等)，然而，此一功率級等比增加有其
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準(zhǔn)諧振SMPS控制器L6565功能原理及應(yīng)用
1概述ST公司在近期推出的L6565單片IC，是適用于準(zhǔn)諧振（QR）零電壓開關(guān)（ZVS）回掃變換器電流型初級控制器。QR操作依靠變壓器退磁感測輸入獲得，變換器功率容量隨主線電壓變化通過線路電壓前饋補(bǔ)償。在輕載時(shí)，L6565
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準(zhǔn)諧振SMPS控制器L6565功能原理及應(yīng)用
1概述ST公司在近期推出的L6565單片IC，是適用于準(zhǔn)諧振（QR）零電壓開關(guān)（ZVS）回掃變換器電流型初級控制器。QR操作依靠變壓器退磁感測輸入獲得，變換器功率容量隨主線電壓變化通過線路電壓前饋補(bǔ)償。在輕載時(shí)，L6565
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功率MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)詳解
功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn)，因而非常適合用作開關(guān)電源(switch-mode powersupplies，SMPS)的整流組件，不過，在選用MOSFET時(shí)有一些注意事項(xiàng)。功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大，在
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RDFC——低成本單電壓輸入開關(guān)電源
離線式 AC/DC 電源廠商日益感受到成本增加的壓力,必須停止生產(chǎn)體積大、效率低的線性電源轉(zhuǎn)換器,并以結(jié)構(gòu)更小、更輕及效率更高的開關(guān)電源(SMPS)產(chǎn)品來取代。 反激式(Flyback)及自激式轉(zhuǎn)換器(Ringing choke convert
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SMPS可實(shí)現(xiàn)更高效率的方法
由于技術(shù)的不斷進(jìn)步以及推薦性和強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)的推出，電源的能效正在不斷提高。據(jù)估計(jì)，僅美國一個(gè)國家，正在使用的電子產(chǎn)品數(shù)量就達(dá)到25億件，而每年又有4～5億個(gè)新電源售出，所以改善電源效率對于能源效率達(dá)標(biāo)、降低
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全新HEXFET功率MOSFET產(chǎn)品（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來實(shí)現(xiàn)
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全新HEXFET功率MOSFET產(chǎn)品（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來實(shí)現(xiàn)
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全新HEXFET功率MOSFET產(chǎn)品（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來實(shí)現(xiàn)
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解決SMPS應(yīng)用中電流模式控制的設(shè)計(jì)問題
本文討論了在SMPS應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)電流模式控制的各種方法（使用或不使用模擬比較器）。帶合適外設(shè)的DAC在實(shí)現(xiàn)SMPS時(shí)提供了多種選擇。從模擬SMPS控制到數(shù)字SMPS控制的轉(zhuǎn)換過程中的一個(gè)重要步驟是要意識到電流模式控制的期望功能是完全可以在DSC中通過各種技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。
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150V和200V HEXFET功率MOSFET（IR）
國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開關(guān)模式電源 （SMPS） 、不斷電系統(tǒng) （UPS）、反相器和DC馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器等工業(yè)應(yīng)用提供極低的閘電荷 （Qg）。與其它競爭
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150V和200V HEXFET功率MOSFET（IR）
國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開關(guān)模式電源 （SMPS） 、不斷電系統(tǒng) （UPS）、反相器和DC馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器等工業(yè)應(yīng)用提供極低的閘電荷 （Qg）。與其它競爭
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150V和200V HEXFET功率MOSFET（IR）
國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開關(guān)模式電源 （SMPS） 、不斷電系統(tǒng) （UPS）、反相器和DC馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器等工業(yè)應(yīng)用提供極低的閘電荷 （Qg）。與其它競爭
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開關(guān)電源的測量中安全性解決方案
前言 電源幾乎對于每種外接電源的電子產(chǎn)品都必不可少，開關(guān)電源系統(tǒng)(SMPS)已成為數(shù)字計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)、通信系統(tǒng)中的主流結(jié)構(gòu)。開關(guān)電源的性能(或者故障)就可能對一個(gè)昂貴的大型系統(tǒng)產(chǎn)生重要影響?！ ∫_保即將實(shí)現(xiàn)的
