Vishay
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Power Metal Strip電阻系列（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的采用3921和5931外形尺寸的表面貼裝Power Metal Strip®電阻 --- WSLP3921和WSLP5931，電阻具有5W～10W的高功率等級和低至0.0003Ω的極低阻值。WSLP392
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Vishay官方網(wǎng)站發(fā)布5個光電子產(chǎn)品在線講座
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，為幫助客戶了解固態(tài)照明、光耦可控硅、光電二極管、高速光耦和環(huán)境光傳感器的應(yīng)用及關(guān)鍵參數(shù)，Vishay在其網(wǎng)站上的視頻中心(http://www.vishay.com)中加入5個新的光電子產(chǎn)品在
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IHLP系列小外形、高電流電感器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款采用6767外形尺寸的IHLP®小外形、高電流電感器。IHLP-6767DZ-11具有4.0mm的超薄厚度，還具有高效率和低至2.05mΩ的DCR，以及1.0μH～47.0μH的寬范圍
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非對稱雙通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR® 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術(shù)的非對稱雙通道TrenchFET®功率MOSFET --- SiZ710DT，新器件比前一代器件的導(dǎo)通電阻減小43%，同時具有
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非對稱雙通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR® 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術(shù)的非對稱雙通道TrenchFET®功率MOSFET --- SiZ710DT，新器件比前一代器件的導(dǎo)通電阻減小43%，同時具有
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Vishay官方網(wǎng)站發(fā)布5個光電子產(chǎn)品在線講座
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為幫助客戶了解固態(tài)照明、光耦可控硅、光電二極管、高速光耦和環(huán)境光傳感器的應(yīng)用及關(guān)鍵參數(shù)，Vishay在其網(wǎng)站上的視頻中心(http://www.vishay.com)中加入5個新的光電子產(chǎn)品
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Vishay官方網(wǎng)站發(fā)布5個光電子產(chǎn)品在線講座
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為幫助客戶了解固態(tài)照明、光耦可控硅、光電二極管、高速光耦和環(huán)境光傳感器的應(yīng)用及關(guān)鍵參數(shù)，Vishay在其網(wǎng)站上的視頻中心(http://www.vishay.com)中加入5個新的光電子產(chǎn)品
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600V、47A N溝道功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的超低最大導(dǎo)通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。柵極電荷與導(dǎo)通電
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植入式醫(yī)療應(yīng)用的功率MOSFET系列（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，將為業(yè)內(nèi)首個用于植入式醫(yī)療應(yīng)用的功率MOSFET系列增添兩款新器件 --- SMMA511DJ 和 SMMB912DK。這些MOSFET采用強(qiáng)化的工藝流程制造，對制造工藝進(jìn)行了嚴(yán)格控制。今天發(fā)布的器
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植入式醫(yī)療應(yīng)用的功率MOSFET系列（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，將為業(yè)內(nèi)首個用于植入式醫(yī)療應(yīng)用的功率MOSFET系列增添兩款新器件 --- SMMA511DJ 和 SMMB912DK。這些MOSFET采用強(qiáng)化的工藝流程制造，對制造工藝進(jìn)行了嚴(yán)格控制。今天發(fā)布的器
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0.4W檢流電阻（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip®電阻 --- WSLP0603，該電阻是業(yè)界首款采用緊湊0603封裝尺寸的0.4W檢流電阻。WSLP0603電阻的阻值范圍非常低，只有10mΩ～100m&
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0.4W檢流電阻（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip®電阻 --- WSLP0603，該電阻是業(yè)界首款采用緊湊0603封裝尺寸的0.4W檢流電阻。WSLP0603電阻的阻值范圍非常低，只有10mΩ～100m&
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應(yīng)用于宇航領(lǐng)域的薄膜SMD電阻芯片（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.）宣布，擴(kuò)充其通過E/H MIL-PRF-55342認(rèn)證的薄膜表面貼裝電阻器芯片。這些芯片的外形尺寸為0505、1005、1505、0705、1206和1010，可為宇航級應(yīng)用提供“T”級可靠性。更
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新型高可靠性固鉭電容器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款TM8系列高可靠性、表面貼裝、具有低至200nA的超低直流泄露電流(DCL)的鉭電容器。在早期的醫(yī)療設(shè)備平臺中，直流泄漏僅僅是尚可的水平，然而現(xiàn)在則要求更低的直流泄漏
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緊湊0805封裝的0.5W檢流電阻（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip®電阻 --- WSLP0805。該器件是業(yè)界首款采用緊湊的0805封裝的0.5W檢流電阻，具有10mΩ～50mΩ的超低阻值范圍，高溫性能高達(dá)
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緊湊0805封裝的0.5W檢流電阻（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip®電阻 --- WSLP0805。該器件是業(yè)界首款采用緊湊的0805封裝的0.5W檢流電阻，具有10mΩ～50mΩ的超低阻值范圍，高溫性能高達(dá)
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高紋波電流的表面貼裝鋁電容器146 CTI（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出業(yè)界首款具有0.035Ω的超低阻抗和1.75A的高紋波電流的表面貼裝鋁電容器 --- 146 CTI，低阻抗和高紋波電流能夠?qū)崿F(xiàn)更好的濾波和更高的可靠性。該器件同時滿足嚴(yán)格的IPC/J
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新款長邊接頭厚膜電阻（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列長邊接頭厚膜貼片電阻 --- RCL e3。新電阻的外形尺寸為0612和1218，功率等級高達(dá)1.0W，可耐受高溫循環(huán)。RCL0612 e3和RCL1218 e3通過了AEC-Q200 Rev. C認(rèn)證，其寬
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采用超亮InGan技術(shù)的新款LED VLHW4100(Vishay)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款新型白光、無散射的3mm LED --- VLHW4100，該LED針對高端應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，可滿足應(yīng)用對極高發(fā)光強(qiáng)度的要求。VLHW4100使用超亮InGaN技術(shù)，在20mA電流下的發(fā)光強(qiáng)度為
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新系列微芯片NTC熱敏電阻（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列的微芯片負(fù)溫度系數(shù)(NTC)熱敏電阻。該熱敏電阻的最大物體檢測直徑非常小，只有1.6mm，在空氣和油中的響應(yīng)時間分別小于3s和0.7s。NTCLE305E4xxxSB器件能夠在寬溫范
