X波段

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一種高增益寬頻帶圓極化微帶陣列天線的研制

摘要：針對(duì)微帶天線阻抗匹配帶寬一般較窄的自身缺陷，基于相控陣?yán)走_(dá)天線的應(yīng)用背景，設(shè)計(jì)了一種工作在X波段的雙層圓極化微帶天線結(jié)構(gòu)，且優(yōu)化發(fā)現(xiàn)，其各電磁參數(shù)良好。為提高其增益，還在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)并最終制作了雙層22結(jié)構(gòu)的微帶天線陣列，其實(shí)測(cè)，性能與設(shè)計(jì)值相符，增益達(dá)到10.7dB，帶寬1.2GHz，相應(yīng)軸比為4dB，符合圓極化要求。

《物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)》雜志
2021-10-21

相控陣?yán)走_(dá)天線 X波段微帶天線陣圓極化
X波段GaN基微波功率放大器的設(shè)計(jì)

摘要：給出了一種X波段GaN基功率放大器的設(shè)計(jì)方法。研究了相關(guān)的偏置電路、匹配網(wǎng)絡(luò)以及穩(wěn)定性網(wǎng)絡(luò)，實(shí)現(xiàn)了6個(gè)GaNHEMT器件的功率合成。該方法在偏置VGS=-3.2V,VDS=6V,/DS=200mA,頻率為8GHz時(shí)，可以仿真得到的放大器增益為20.380dB,飽和輸出功率可以達(dá)到35.268dBm(約為3.36W)。

《物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)》雜志
2021-09-07

功率放大器 GaNHEMT 功率合成 X波段
微帶發(fā)夾型帶通諧振器的設(shè)計(jì)

摘要：探討分析了新型平面結(jié)構(gòu)微帶發(fā)夾式諧振器的平面化、小型化及性能穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)。以相關(guān)理論為基礎(chǔ)，并基于HFSS,給出了一個(gè)X波段發(fā)夾形帶通諧振器的設(shè)計(jì)方法。利用該方法設(shè)計(jì)的帶通諧振器具有很好的品質(zhì)因數(shù)，可在射頻微波領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，具有很強(qiáng)的工程實(shí)用價(jià)值。

《物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)》雜志
2021-08-22

品質(zhì)因數(shù) 微帶發(fā)夾結(jié)構(gòu) 帶通諧振器 X波段
高隔離度X波段RF MEMS電容式并聯(lián)開(kāi)關(guān)

0 引言 RF MEMS開(kāi)關(guān)在隔離度、插入損耗、功耗以及線性度等方面，具有比FET或pin二極管傳統(tǒng)微波固態(tài)開(kāi)關(guān)無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)，從而獲得了廣泛的關(guān)注，并顯示出在微波應(yīng)用領(lǐng)域

功率器件
2018-08-29

mems 電源技術(shù)解析 x波段 cpw 0rf 電容式并聯(lián)開(kāi)關(guān)

X波段

一種高增益寬頻帶圓極化微帶陣列天線的研制

X波段GaN基微波功率放大器的設(shè)計(jì)

微帶發(fā)夾型帶通諧振器的設(shè)計(jì)

高隔離度X波段RF MEMS電容式并聯(lián)開(kāi)關(guān)

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