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三星發(fā)現(xiàn)全新半導(dǎo)體材料：內(nèi)存、閃存迎來(lái)革命

三星電子宣布，三星先進(jìn)技術(shù)研究院(SAIT)聯(lián)合蔚山國(guó)家科學(xué)技術(shù)院(UNIST)、英國(guó)劍橋大學(xué)，發(fā)現(xiàn)了一種全新的半導(dǎo)體材料“無(wú)定形氮化硼”(amorphous boron nitride)，簡(jiǎn)稱a-B

充電吧
2020-07-27

三星內(nèi)存半導(dǎo)體閃存無(wú)定形氮化硼 a-bn

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