英特爾:重構(gòu)FinFET
FinFETs + FD-SOI 方案:可以更節(jié)省電力
臺(tái)積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈,積極投入2nm研發(fā):終于告別FinFET
英特爾第三次專利無效申請失敗!中科院微電子所再度獲勝
Nerissa Draeger博士:全包圍柵極結(jié)構(gòu)將取代FinFET
車用SoC如何克服多重圖形與FinFET挑戰(zhàn)
物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用帶動(dòng)FD-SOI制程快速增長
三星將加速推動(dòng)5G商用化
中芯國際披露第二代14nm:性能提升20%、功耗降低60%
摩爾定律延壽數(shù)十年 FinFET晶體管發(fā)明人胡正明獲IEEE榮譽(yù)獎(jiǎng)?wù)?/p>
現(xiàn)有產(chǎn)品添加LoRaWAN、BACnet和MQTT等xiey
預(yù)算:¥20000