使用雙向 GaN 開關(guān)實(shí)現(xiàn)單級功率轉(zhuǎn)換
通過自動動態(tài)開關(guān)測試研究 p-GaN HEMT 上的電應(yīng)力
雙向GaN功率IC有何用途?
提高 GaN HEMT 功率器件的短路耐受時間
集成電路 p 柵極 GaN HEMT 中的柵極過壓穩(wěn)定性
我們能獲得更好的音頻放大器嗎?是的,用氮化鎵!
利用阻性負(fù)載增強(qiáng)LNA穩(wěn)定性(上)
利用阻性負(fù)載增強(qiáng)LNA穩(wěn)定性(下)
氮化鎵功率技術(shù)大熱,Transphorm創(chuàng)新HEMT結(jié)構(gòu)“劍走偏鋒”高壓器件
現(xiàn)有產(chǎn)品添加LoRaWAN、BACnet和MQTT等xiey
預(yù)算:¥20000