Vishay推出業(yè)界首款符合AEC-Q101要求的PowerPAK? SO-8L非對(duì)稱雙芯片封裝60 V MOSFET
Vishay推出采用PowerPAK? 1212 8S封裝的-30 V P溝道MOSFET,RDS(ON)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平,提高功率密度,降低便攜式電子設(shè)備功耗
Vishay推出高效80 V MOSFET,導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數(shù)達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平
Vishay推出采用小型5x5 PowerPAK封裝的新款同步降壓穩(wěn)壓器具有高效率、高功率密度和優(yōu)異的熱設(shè)計(jì)等優(yōu)點(diǎn)
Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET,提高功率密度和效率
Vishay推出采用小型5x5 PowerPAK封裝的新款同步降壓穩(wěn)壓器具有高效率、高功率密度和優(yōu)異的熱設(shè)計(jì)等優(yōu)點(diǎn)
需要制作一個(gè)時(shí)間控制繼電器開關(guān)的程序
預(yù)算:¥10004G通訊控制報(bào)警電路板開發(fā),要求一個(gè)月內(nèi)交付合格產(chǎn)品
預(yù)算:¥4000