Vishay推出高效80 V MOSFET，導通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數(shù)達到同類產品最佳水平

賓夕法尼亞、MALVERN — 2020年2月10日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE股市代號：VSH）宣布，推出新款6.15 mm x 5.15?mm PowerPAK^? SO-8單體封裝的---SiR680ADP，它是80 V TrenchFET^?第四代n溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP專門用來提高功率轉換拓撲結構和開關電路的效率，從而節(jié)省能源，其導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為129 mW*nC，達到同類產品最佳水平。

?

日前發(fā)布的器件10 V條件下導通電阻典型值降至2.35 mΩ，超低柵極電荷僅為55 nC，C_OSS為614 pF。這些改進后的技術規(guī)格，經(jīng)過調校最大限度降低開關、通道導通和二極管導通功耗，從而提高能效。這款MOSFET的導通電阻與柵極電荷乘積優(yōu)值系數(shù)（FOM）比緊隨其后的競爭產品低12.2 %，比前代器件低22.5 %，使其成為典型48 V輸入，12 V輸出DC/DC轉換器最高效的解決方案。

?

SiR680ADP可作為模塊用于各種DC/DC和AC/DC轉換應用，如同步整流、原邊開關、降壓-升壓轉換器，諧振回路開關轉換器以及系統(tǒng)OR-ing功能，適用于電信和數(shù)據(jù)中心服務器電源、太陽能微型逆變器、電動工具和工業(yè)設備電機驅動控制、電池管理模塊的電池切換。

?

新款MOSFET經(jīng)過100 % R_G和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。

?

SiR680ADP現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產，供貨周期為12周。

?