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STT-MRAM自旋磁阻內(nèi)存升級(jí)GF 12nm工藝
MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來(lái)一直都在研究，讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統(tǒng)內(nèi)存，但同時(shí)又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，綜合了傳統(tǒng)內(nèi)存、閃存的優(yōu)點(diǎn)。
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第二代STT-MRAM自旋磁阻內(nèi)存試產(chǎn)：不怕掉電 有望變革SSD
專注于MRAM(磁阻內(nèi)存)研究的Everspin最近宣布，繼去年底首次提供預(yù)產(chǎn)樣品之后，現(xiàn)在已經(jīng)開(kāi)始試產(chǎn)第二代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存)。MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)，其前景被廣泛看好，In
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