第二代STT-MRAM自旋磁阻內(nèi)存試產(chǎn)：不怕掉電 有望變革SSD

專注于MRAM(磁阻內(nèi)存)研究的Everspin最近宣布，繼去年底首次提供預(yù)產(chǎn)樣品之后，現(xiàn)在已經(jīng)開始試產(chǎn)第二代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存)。

MRAM是一種非易失性存儲，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來一直都在研究，讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統(tǒng)內(nèi)存，當(dāng)同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，綜合了傳統(tǒng)內(nèi)存、閃存的有點。

STT-MRAM則進(jìn)一步通過自旋電流實現(xiàn)數(shù)據(jù)寫入，具備結(jié)構(gòu)簡單、成本低、損耗小、速度快等一系列優(yōu)點，但容量密度提升困難。

早在2012年的時候，Everspin就發(fā)布了第一代STT-MRAM，40nm工藝制造，封裝在一顆DDR3標(biāo)準(zhǔn)模塊中，兼容JEDEC DDR3-800，但容量只有256Mb(32MB)，使其主要只能用于嵌入式領(lǐng)域。

最新的第二代STT-MRAM用上了GlobalFoundries 28nm制造工藝，封裝于DDR4，支持8-bit或者16-bit界面，傳輸率1333MT/s(667MHz)，容量增大到了1Gb(128MB)，翻了兩番。

這或許能讓MRAM走進(jìn)更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，但要想追上DRAM內(nèi)存的存儲密度還有很長的路要走，更別說媲美NAND閃存了。

因此，在很長一段時間內(nèi)，都不太可能看到機(jī)遇STT-MRAM的內(nèi)存或存儲產(chǎn)品，但或許能實現(xiàn)混合式SSD，比如講部分或全部DRAM緩存更換成MRAM，性能更強(qiáng)，還不怕掉電變磚。

事實上，IBM、希捷都在這么做了，近兩年還都展示了一些原型。

Everspin還有一個獨(dú)特優(yōu)勢，那就是唯一一個能提供獨(dú)立MRAM芯片的廠商，而在未來路線圖上，他們計劃下一步應(yīng)用GlobalFoundries 22nm FD-SOI工藝，進(jìn)一步提升STT-MRAM的性能和容量。