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[導(dǎo)讀]專注于MRAM(磁阻內(nèi)存)研究的Everspin最近宣布,繼去年底首次提供預(yù)產(chǎn)樣品之后,現(xiàn)在已經(jīng)開始試產(chǎn)第二代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存)。MRAM是一種非易失性存儲,其前景被廣泛看好,In

專注于MRAM(磁阻內(nèi)存)研究的Everspin最近宣布,繼去年底首次提供預(yù)產(chǎn)樣品之后,現(xiàn)在已經(jīng)開始試產(chǎn)第二代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存)。

MRAM是一種非易失性存儲,其前景被廣泛看好,Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來一直都在研究,讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統(tǒng)內(nèi)存,當同時又是非易失性的,也就是可以斷電保存數(shù)據(jù),綜合了傳統(tǒng)內(nèi)存、閃存的有點。

STT-MRAM則進一步通過自旋電流實現(xiàn)數(shù)據(jù)寫入,具備結(jié)構(gòu)簡單、成本低、損耗小、速度快等一系列優(yōu)點,但容量密度提升困難。

早在2012年的時候,Everspin就發(fā)布了第一代STT-MRAM,40nm工藝制造,封裝在一顆DDR3標準模塊中,兼容JEDEC DDR3-800,但容量只有256Mb(32MB),使其主要只能用于嵌入式領(lǐng)域。

最新的第二代STT-MRAM用上了GlobalFoundries 28nm制造工藝,封裝于DDR4,支持8-bit或者16-bit界面,傳輸率1333MT/s(667MHz),容量增大到了1Gb(128MB),翻了兩番。

這或許能讓MRAM走進更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,但要想追上DRAM內(nèi)存的存儲密度還有很長的路要走,更別說媲美NAND閃存了。

因此,在很長一段時間內(nèi),都不太可能看到機遇STT-MRAM的內(nèi)存或存儲產(chǎn)品,但或許能實現(xiàn)混合式SSD,比如講部分或全部DRAM緩存更換成MRAM,性能更強,還不怕掉電變磚。

事實上,IBM、希捷都在這么做了,近兩年還都展示了一些原型。

Everspin還有一個獨特優(yōu)勢,那就是唯一一個能提供獨立MRAM芯片的廠商,而在未來路線圖上,他們計劃下一步應(yīng)用GlobalFoundries 22nm FD-SOI工藝,進一步提升STT-MRAM的性能和容量。

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