三星研發(fā)7.3Gbps的LPDDR5內(nèi)存 8nm工藝

去年7月，三星就宣布成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，基于10nm級工藝，單顆容量8Gb（1GB），去年10月的在港舉辦的高通4G/5G峰會上，三星人士透露，LPDDR5內(nèi)存計劃2020年商用。

今年2月底，JEDEC（固態(tài)存儲協(xié)會）正式發(fā)布了JESD209-5，即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗內(nèi)存標準。

相較于2014年發(fā)布的第一代LPDDR4標準，LPDDR5的I/O速度從3200 MT/s 提升到6400 MT/s（DRAM速度6400Mbps），直接翻番。

如果匹配高端智能機常見的64bit bus，每秒可以傳送51.2GB數(shù)據(jù)；要是PC的128bit BUS，每秒破100GB無壓力。

6.4Gbps的LPDDR5內(nèi)存遠不是終點，三星作為全球第一大內(nèi)存芯片廠商，現(xiàn)在已經(jīng)在研究更高標準的LPDDR5芯片了，在VLSI 2019大會上，他們公布了8nm工藝的LPDDR5 Phy物理層芯片，一舉將速率提升到了7.3Gbps，而且功耗只有790mW。

除此之外，三星還在繼續(xù)提升LPDDR4X內(nèi)存的速率，目前LPDDR4X-4266Mbps內(nèi)存已經(jīng)有了，三星的目標是5Gbps的LPDDR4X內(nèi)存。