給力！紫光進(jìn)軍內(nèi)存市場 國產(chǎn)內(nèi)存最后的障礙掃除

6月30日晚間，紫光集團(tuán)發(fā)布公告稱，決定組建紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群，全力加速發(fā)展國產(chǎn)內(nèi)存。根據(jù)通知，紫光集團(tuán)委任刁石京為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群董事長，委任高啟全為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群CEO。

對于紫光，目前我們都知道他們是國內(nèi)發(fā)展NAND閃存的重要力量，在武漢及成都分別投資240億美元建設(shè)存儲芯片國家基地，一期工程建成之后，將月產(chǎn)10萬片，三期都完成后將擁有月產(chǎn)30萬片的一個(gè)生產(chǎn)能力。

技術(shù)上，紫光旗下的長江存儲有自研的X-Stacking堆棧技術(shù)，去年小規(guī)模試產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存，今年下半年要量產(chǎn)64層堆棧閃存，明年要進(jìn)軍128層堆棧的3D閃存，跳躍式發(fā)展有望讓紫光在2020年縮短與三星、東芝、美光等公司的差距。

在DRAM內(nèi)存芯片上，紫光原計(jì)劃2014年就開始介入內(nèi)存生產(chǎn)，不過最終決定優(yōu)先發(fā)展閃存，內(nèi)存事業(yè)推遲到了現(xiàn)在。

在國內(nèi)的DRAM發(fā)展中，主要是有合肥長鑫及福建晉華兩大陣營，不過晉華是與臺聯(lián)電合資的，因?yàn)闋可娴搅伺c紫光公司的專利糾紛中而被美國公司制裁，晉華的內(nèi)存發(fā)展陷入了困境。

合肥長鑫的內(nèi)存進(jìn)展比晉華的要順利一些，其技術(shù)來源于已破產(chǎn)的奇夢達(dá)公司，合肥長鑫通過與奇夢達(dá)合作，將一千多萬份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數(shù)據(jù)收歸囊中，這也是公司最初的技術(shù)來源之一。長鑫存儲在所接收技術(shù)和國際合作的基礎(chǔ)上，利用專用研發(fā)線，展開世界速度的快速迭代研發(fā)，已持續(xù)投入晶圓超過15000片。

至于紫光的內(nèi)存，目前在技術(shù)研發(fā)上紫光旗下有紫光國微半導(dǎo)體，前身為西安華芯半導(dǎo)體有限公司，是由原奇夢達(dá)科技（西安）有限公司2009年5月改制重建的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，2009年，浪潮集團(tuán)收購原德國奇夢達(dá)科技（西安）有限公司進(jìn)行改制重建并更名為西安華芯半導(dǎo)體有限公司。2015年，紫光集團(tuán)旗下紫光國芯股份有限公司收購西安華芯半導(dǎo)體有限公司并更名為西安紫光國芯半導(dǎo)體有限公司。

說起來就是紫光旗下的紫光國微半導(dǎo)體技術(shù)來源也是已破產(chǎn)的奇夢達(dá)公司，在該公司官網(wǎng)上提到可以供應(yīng)DDR、DDR2、DDR3及DDR4芯片和裸晶圓。不過紫光國微此前也在互動易上確認(rèn)公司的DDR3內(nèi)存正在銷售中，DDR4內(nèi)存芯片及模組還在研發(fā)中，計(jì)劃在明年逐步推向市場。

此外，對紫光國微來說，除了技術(shù)研發(fā)之外，最大的問題就是國內(nèi)沒有DRAM晶圓廠，產(chǎn)能無法保證，導(dǎo)致產(chǎn)品銷量不大，產(chǎn)品主要用于國產(chǎn)服務(wù)器及計(jì)算機(jī)等消費(fèi)電子領(lǐng)域。

基于這一點(diǎn)，可以理解紫光進(jìn)軍DRAM行業(yè)的動機(jī)了，那就是旗下的DDR4內(nèi)存芯片研發(fā)已經(jīng)不是瓶頸了，而紫光擅長的是大規(guī)模投資，其DRAM事業(yè)部未來無疑會像NAND閃存那樣大手筆投資建廠，解決國內(nèi)DDR4內(nèi)存有研發(fā)無生產(chǎn)的現(xiàn)象。