華為布局第三代半導(dǎo)體材料 爭(zhēng)奪5G時(shí)代主動(dòng)權(quán)

9月9日，日前，華為公司通過旗下的哈勃科技投資有限公司投資了山東天岳公司，占股10%，后者是一家以碳化硅為主的半導(dǎo)體材料公司，這意味著華為正在布局新一代半導(dǎo)體技術(shù)。

在半導(dǎo)體材料上其實(shí)有一、二、三代的說法。其中第一代半導(dǎo)體材料是以硅（Si）為代表，第二代以砷化鎵（GaAs）為代表，第三代則是以以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）等為代表。

據(jù)了解，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料在制造高溫、高頻、抗輻射及大功率器件方面有優(yōu)勢(shì)，可廣泛應(yīng)用于大功率高頻電子器件、半導(dǎo)體發(fā)光二極管（LED）、5G通訊、汽車IGBT芯片、物流網(wǎng)等微波通訊領(lǐng)域。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為在5G和人工智能時(shí)代，第三代半導(dǎo)體材料將會(huì)迎來大發(fā)展。

華為沒有公布投資碳化硅技術(shù)的具體內(nèi)容，不過碳化硅主要應(yīng)用市場(chǎng)與華為現(xiàn)在及未來的很多業(yè)務(wù)有關(guān)。此前華為在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的布局一直以IC設(shè)計(jì)業(yè)為主，擁有自有的第三代半導(dǎo)體材料渠道，對(duì)于華為而言可以讓其在芯片材料供應(yīng)上不受限制，助其在5G時(shí)代擁有更多的主動(dòng)權(quán)。