已到10nm級(jí)別，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)談未來DRAM技術(shù)之路

在深圳舉辦的中國(guó)閃存技術(shù)峰會(huì)上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士進(jìn)行了《DRAM技術(shù)趨勢(shì)與行業(yè)應(yīng)用》的演講。

平爾萱博士表示，隨著數(shù)據(jù)量的增加，數(shù)據(jù)處理能力就需要相應(yīng)的加強(qiáng)，因此需要更強(qiáng)大的CPU，同時(shí)存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)容量、讀寫速度也需要加強(qiáng)。因此近年來對(duì)DRAM的要求也在持續(xù)提高。

今年5月15日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)兼CEO朱一明曾表示，從技術(shù)來源角度，合肥長(zhǎng)鑫與奇夢(mèng)達(dá)合作，并結(jié)合了長(zhǎng)鑫自己的技術(shù)。通過與奇夢(mèng)達(dá)合作，將一千多萬份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件（約2.8TB數(shù)據(jù)）收歸囊中。

在此次會(huì)議上，平爾萱博士對(duì)奇夢(mèng)達(dá)DRAM也有提及。他表示，在DRAM技術(shù)的演進(jìn)過程中，曾經(jīng)的DRAM巨頭奇夢(mèng)達(dá)提出的埋入式電柵三極管概念給整個(gè)產(chǎn)業(yè)帶來了巨大的貢獻(xiàn)。

DRAM技術(shù)在發(fā)明之后的幾十年里，經(jīng)歷了從平面結(jié)構(gòu)向空間爭(zhēng)取表面積的溝槽式電容及堆疊式電容的架構(gòu)。

而奇夢(mèng)達(dá)DRAM技術(shù)也是利用空間，將三極管的性能提升，這種提升隨著線寬的減少越來越重要。此外，近代DRAM產(chǎn)品也都沿用了這個(gè)概念。

在談到DRAM技術(shù)未來發(fā)展時(shí)，平爾萱博士表示，DRAM是有極限的，通過改進(jìn)可以將極限推遲，例如導(dǎo)入EUV及HKMG三極管以縮小線寬及加強(qiáng)外圍電路性能。此外，EUV主要是針對(duì)陣列，外圍線路的增強(qiáng)及微縮也是近來DRAM技術(shù)發(fā)展的另一個(gè)機(jī)會(huì)。

平爾萱博士也強(qiáng)調(diào)，繼續(xù)推進(jìn)DRAM技術(shù)的發(fā)展，還需要在新材料、新架構(gòu)上進(jìn)行更多探索，也需要加強(qiáng)與其他企業(yè)的合作。回顧過去幾十年的DRAM發(fā)展，證明IDM是發(fā)展DRAM的必然選擇，而這正是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)從一開始建立就堅(jiān)持的。

此外，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)借助先進(jìn)的設(shè)備已經(jīng)把將奇夢(mèng)達(dá)的46納米DRAM推進(jìn)到了10納米級(jí)別。