三星率先開發(fā)出12層3D硅穿孔堆疊：HBM存儲芯片容量提至24GB

10月20日，三星電子宣布率先在業(yè)內(nèi)開發(fā)出12層3D-TSV（硅穿孔）技術(shù)。

隨著集成電路規(guī)模的擴(kuò)大，如何在盡可能小的面積內(nèi)塞入更多晶體管成為挑戰(zhàn)，其中多芯片堆疊封裝被認(rèn)為是希望之星。三星稱，他們得以將12片DRAM芯片通過60000個TSV孔連接，每一層的厚度僅有頭發(fā)絲的1/20。

總的封裝厚度為720μm，與當(dāng)前8層堆疊的HBM2存儲芯片相同，體現(xiàn)了極大的技術(shù)進(jìn)步。

這意味著，客戶不需要改動內(nèi)部設(shè)計就可以獲得更大容量的芯片。同時，3D堆疊也有助于縮短數(shù)據(jù)傳輸?shù)臅r間。

三星透露，基于12層3D TSV技術(shù)的HBM存儲芯片將很快量產(chǎn)，單片容量從目前的8GB來到24GB。