華為麒麟1020新說：5nm成就每平方毫米1.713億個(gè)晶體管

高通驍龍865發(fā)布了，性能輕取安卓陣營桂冠，而善于打時(shí)間差的華為下一代麒麟旗艦也開始頻繁曝料，不出意外將在明年下半年的Mate 40系列上首發(fā)。

麒麟990 5G處理器采用了臺(tái)積電7nm EUV工藝，集成103億個(gè)晶體管，移動(dòng)SoC中首次過百億，芯片面積為113.31平方毫米，算下來每平方毫米大約9090萬個(gè)晶體管。

華為下一代旗艦SoC據(jù)說會(huì)叫做麒麟1020，代號(hào)巴爾的摩(Baltimore)，曝料稱相比于麒麟990性能可提升多達(dá)50％，主要原因是CPU架構(gòu)從A76跨代升級(jí)到A78，領(lǐng)先高通驍龍865、聯(lián)發(fā)科天璣1000里使用的A77，同時(shí)標(biāo)配集成5G基帶。

麒麟1020幾乎鎖定采用臺(tái)積電5nm工藝，晶體管密度自然將大大提升，最新消息稱每平方毫米有望達(dá)到1.713億個(gè)左右，對(duì)比麒麟990 5G增加了接近90％。

5nm將是臺(tái)積電的又一個(gè)重要工藝節(jié)點(diǎn)，使用第五代FinFET晶體管技術(shù)，EUV極紫外光刻技術(shù)也擴(kuò)展到10多個(gè)光刻層，并分為N5、N5P兩個(gè)版本，前者相比于N7 7nm工藝性能提升15％、功耗降低30％，后者在前者基礎(chǔ)上繼續(xù)性能提升7％、功耗降低15％。

臺(tái)積電目前正在試產(chǎn)5nm，測(cè)試芯片平均良品率高達(dá)80％，最高可超90％，預(yù)計(jì)在明年上半年投入大規(guī)模量產(chǎn)。