21ic新聞大爆炸：特斯拉將開(kāi)放所有專(zhuān)利，鼓勵(lì)同行研發(fā)先進(jìn)電動(dòng)車(chē)

1、特斯拉將開(kāi)放所有專(zhuān)利，鼓勵(lì)同行研發(fā)先進(jìn)電動(dòng)車(chē)

近日消息，特斯拉CEO伊隆·馬斯克宣布，該公司將出人意料地采取“開(kāi)源模式”，對(duì)外開(kāi)放所有專(zhuān)利，鼓勵(lì)其他企業(yè)開(kāi)發(fā)先進(jìn)的電動(dòng)汽車(chē)。特斯拉被視作當(dāng)今電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的領(lǐng)頭羊，在相關(guān)的電池、電子設(shè)備和軟件領(lǐng)域均擁有很強(qiáng)的實(shí)力，專(zhuān)利總數(shù)大約為200項(xiàng)。馬斯克表示，這些專(zhuān)利都會(huì)對(duì)外開(kāi)放。除了汽車(chē)外，特斯拉還在建設(shè)高速充電站網(wǎng)絡(luò)。他打算開(kāi)放特斯拉超級(jí)充電站系統(tǒng)的設(shè)計(jì)技術(shù)，以便建立其他電動(dòng)汽車(chē)制造商都能采用的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，但其他電動(dòng)汽車(chē)商需要接受特斯拉超級(jí)充電站的經(jīng)營(yíng)模式。

21ic編輯視點(diǎn)：“開(kāi)源模式”在科技行業(yè)并不算激進(jìn)，但是在汽車(chē)市場(chǎng)卻十分罕見(jiàn)。特斯拉之所以會(huì)開(kāi)放專(zhuān)利，一方面，電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)售并不是很景氣，電動(dòng)汽車(chē)在美國(guó)汽車(chē)銷(xiāo)量中的占比仍然不足1%。另一方面，開(kāi)方專(zhuān)利會(huì)加速電動(dòng)汽車(chē)的研發(fā)?？磥?lái)特斯拉這次是下了血本了。

2、Energous無(wú)線充電技術(shù)實(shí)現(xiàn)4.7米范圍內(nèi)移動(dòng)充電

無(wú)線充電技術(shù)又再度出現(xiàn)新突破，由Energous公司推出的新技術(shù)，有別于一般磁共振技術(shù)，其改將無(wú)線電波傳送至欲充電裝置，并且號(hào)稱(chēng)可讓裝置在4.7米范圍內(nèi)移動(dòng)充電。 據(jù)報(bào)導(dǎo)，Energous無(wú)線充電技術(shù)可在4.7公尺范圍內(nèi)傳輸10瓦(watt)功率訊號(hào)，且該技術(shù)并具有隨時(shí)追蹤欲充電裝置位置的功能，Energous并預(yù)計(jì)于2015年1月在美國(guó)的消費(fèi)性電子展(CES)上與廠商合作推出新產(chǎn)品。

21ic編輯視點(diǎn)：無(wú)線充電常見(jiàn)技術(shù)為磁共振技術(shù)，像WiTricity等推出的采磁共振的Rezence無(wú)線充電技術(shù)，已獲得英特爾及高通等大廠支持。但磁共振技術(shù)目前因受物理?xiàng)l件限制，相對(duì)阻礙其發(fā)揮無(wú)線技術(shù)的潛能。Energous無(wú)線充電技術(shù)給無(wú)線充電的發(fā)展帶來(lái)了更多選擇方向。最重要的是，更多競(jìng)爭(zhēng)能讓無(wú)線充電更快普及，消費(fèi)者也能從中獲益。

3、韓國(guó)研發(fā)可彎曲傳感器 或引發(fā)顯示屏革命

6月17日，據(jù)國(guó)外媒體消息，韓國(guó)電子通訊研究院日前透露，其首次研發(fā)出輕薄可彎曲可測(cè)定力量大小的觸覺(jué)傳感器。根據(jù)韓國(guó)電子通訊研究透露的消息，該觸覺(jué)傳感器是透明的，且厚度僅為為0.05毫米，比頭發(fā)還細(xì)，材質(zhì)類(lèi)似于塑料，即使纏在類(lèi)似于圓珠筆芯大小的桿上也能正常啟動(dòng)。其不僅是單純開(kāi)關(guān)的按鈕功能，還可以通過(guò)一個(gè)傳感器感知力量的大小或分布等使用者的觸覺(jué)信息。接觸部位沒(méi)有電器電子裝置，可以不受彎曲的影響，并可在水中使用。這項(xiàng)新技術(shù)的問(wèn)世，或引發(fā)顯示屏界的革命。

21ic編輯視點(diǎn)：可彎曲屏，可彎曲的電視、電腦、手機(jī)等等，似乎可彎曲成了下一代電子設(shè)備的一個(gè)方向。如若要實(shí)現(xiàn)電子產(chǎn)品的可彎曲性，必然對(duì)于產(chǎn)品里面的電子元件有著非常多的要求。新可彎曲傳感器的研發(fā)，對(duì)于電子器件能否實(shí)現(xiàn)可彎曲性有著非常重要的意義。

4、工信部：物聯(lián)網(wǎng)重點(diǎn)推進(jìn)傳感器及芯片技術(shù)研發(fā)

工信部近日披露了露了2014年物聯(lián)網(wǎng)工作要點(diǎn)，表示要通過(guò)加強(qiáng)統(tǒng)籌規(guī)劃和行業(yè)指導(dǎo)，突破核心關(guān)鍵技術(shù)，推進(jìn)應(yīng)用示范，培育龍頭骨干企業(yè)，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，強(qiáng)化安全保障，推進(jìn)我國(guó)物聯(lián)網(wǎng)有序健康發(fā)展。工作要點(diǎn)明確指出，2014年要突破核心關(guān)鍵技術(shù)，包括推進(jìn)傳感器及芯片技術(shù)、傳輸、信息處理技術(shù)研發(fā);支持物聯(lián)網(wǎng)標(biāo)識(shí)體系及關(guān)鍵技術(shù)研發(fā);開(kāi)展物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)典型應(yīng)用與驗(yàn)證示范;構(gòu)建科學(xué)合理的標(biāo)準(zhǔn)體系。

21ic編輯視點(diǎn)：隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設(shè)備的逐漸走向成熟，物聯(lián)網(wǎng)的基本構(gòu)成要素已經(jīng)具備，物聯(lián)網(wǎng)的輪廓也漸漸清晰。我國(guó)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)在一些方面已經(jīng)取得的不錯(cuò)的成果，但是在基礎(chǔ)芯片以及高端傳感器領(lǐng)域，我國(guó)的核心技術(shù)依然不足。特別是物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)芯片領(lǐng)域，我國(guó)依然沒(méi)有布局。而Intel、博通、高通等國(guó)際廠商紛紛推出專(zhuān)門(mén)針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)的低功耗專(zhuān)用芯片產(chǎn)品搶占市場(chǎng)。要想取得物聯(lián)網(wǎng)的先機(jī)，國(guó)家對(duì)物聯(lián)網(wǎng)的"態(tài)度"尤為重要。

5、日美共同證實(shí)萬(wàn)能存儲(chǔ)器碳納米管“NRAM” 特性

日本中央大學(xué)理工學(xué)部電氣電子信息通信工程專(zhuān)業(yè)的教授竹內(nèi)健的研究小組與美國(guó)Nantero公司共同證實(shí)，使用碳納米管的新型非易失性存儲(chǔ)器“NRAM”具備出色的特性，可滿(mǎn)足從主內(nèi)存到存儲(chǔ)設(shè)備的廣泛用途。通過(guò)采用適合NRAM的寫(xiě)入方法，可實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)元件的高速、低功耗、高可靠性運(yùn)行。

使用直徑140nm的存儲(chǔ)元件實(shí)施驗(yàn)證的結(jié)果顯示，在20ns的短寫(xiě)入脈沖下，能夠以20μA以下的電流值寫(xiě)入數(shù)據(jù)。擦寫(xiě)時(shí)電阻值會(huì)發(fā)生100倍以上的變化，因此還有望實(shí)現(xiàn)閃存廣泛使用的MLC(多值存儲(chǔ))工作。另外，作為可靠性指標(biāo)的可擦寫(xiě)次數(shù)達(dá)到了1011次。這一數(shù)值相當(dāng)于閃存的約1000萬(wàn)倍，顯示出了應(yīng)用于主內(nèi)存的可能性。

21ic編輯視點(diǎn)： NRAM的“萬(wàn)能”存儲(chǔ)器特性以前曾備受期待。但是，由于在寫(xiě)入方法方面一直沒(méi)能針對(duì)LSI的實(shí)際使用條件進(jìn)行優(yōu)化，因此其潛力并未充分發(fā)揮出來(lái)。此次開(kāi)發(fā)出了使施加于NRAM存儲(chǔ)單元的電壓分階段增加的新的寫(xiě)入方法，抑制了特性不均的影響，使其能夠穩(wěn)定擦寫(xiě)。

6、中國(guó)成功制備二維黑磷場(chǎng)效應(yīng)晶體管

近日消息，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)和復(fù)旦大學(xué)合作研究，在二維類(lèi)石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究中取得重要進(jìn)展，成功制備出具有幾個(gè)納米厚度的二維黑磷場(chǎng)效應(yīng)晶體管。他們成功制備出基于具有能隙的二維黑磷單晶的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。與其他二維晶體材料相比，二維黑磷單晶材料更加穩(wěn)定，但其單晶在常壓下不容易生長(zhǎng)。實(shí)驗(yàn)表明，二維黑磷場(chǎng)效應(yīng)晶體管在納米電子器件應(yīng)用方面具有極大的潛力。[!--empirenews.page--]

21ic編輯視點(diǎn)：單層原子厚度的石墨烯的發(fā)現(xiàn)，標(biāo)志著二維晶體作為一類(lèi)可能影響人類(lèi)未來(lái)電子技術(shù)的材料問(wèn)世。然而二維石墨烯的電子結(jié)構(gòu)中不具備能隙，在電子學(xué)應(yīng)用中不能實(shí)現(xiàn)電流的“開(kāi)”和“關(guān)”，這就弱化了其取代計(jì)算機(jī)電路中半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的用途?？茖W(xué)家們開(kāi)始探索替換材料，希望克服石墨烯的缺陷。二維黑磷場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研發(fā)對(duì)進(jìn)一步探索具有新型功能并可實(shí)際應(yīng)用的二維材料具有十分重要的意義。