[導(dǎo)讀]關(guān)注星標(biāo)公眾號(hào)，不錯(cuò)過(guò)精彩內(nèi)容直接來(lái)源?|電子電路二極管在我們電路板中是最常見的元器件之一，那么，在選型的時(shí)候，有考慮因素呢？1正向?qū)▔航祲航担憾O管的電流流過(guò)負(fù)載以后相對(duì)于同一參考點(diǎn)的電勢(shì)（電位）變化稱為電壓降，簡(jiǎn)稱壓降。導(dǎo)通壓降：二極管開始導(dǎo)通時(shí)對(duì)應(yīng)的電壓。正向特性：在二極...
直接來(lái)源 | 電子電路
二極管在我們電路板中是最常見的元器件之一，那么，在選型的時(shí)候，有考慮因素呢？
1正向?qū)▔航?
壓降：二極管的電流流過(guò)負(fù)載以后相對(duì)于同一參考點(diǎn)的電勢(shì)（電位）變化稱為電壓降，簡(jiǎn)稱壓降。
導(dǎo)通壓降：二極管開始導(dǎo)通時(shí)對(duì)應(yīng)的電壓。
正向特性：在二極管外加正向電壓時(shí)，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)的阻擋作用，正向電流幾乎為零。當(dāng)正向電壓大到足以克服PN結(jié)電場(chǎng)時(shí)，二極管正向?qū)?，電流隨電壓增大而迅速上升。
反向特性：外加反向電壓不超過(guò)一定范圍時(shí)，通過(guò)二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。反向電壓增大到一定程度后，二極管反向擊穿。
正向?qū)▔航蹬c導(dǎo)通電流的關(guān)系
在二極管兩端加正向偏置電壓時(shí)，其內(nèi)部電場(chǎng)區(qū)域變窄，可以有較大的正向擴(kuò)散電流通過(guò)PN結(jié)。只有當(dāng)正向電壓達(dá)到某一數(shù)值(這一數(shù)值稱為“門檻電壓”，鍺管約為0.2V，硅管約為0.6V)以后，二極管才能真正導(dǎo)通。但二極管的導(dǎo)通壓降是恒定不變的嗎?它與正向擴(kuò)散電流又存在什么樣的關(guān)系?通過(guò)下圖1的測(cè)試電路在常溫下對(duì)型號(hào)為SM360A的二極管進(jìn)行導(dǎo)通電流與導(dǎo)通壓降的關(guān)系測(cè)試，可得到如圖2所示的曲線關(guān)系：正向?qū)▔航蹬c導(dǎo)通電流成正比，其浮動(dòng)壓差為0.2V。從輕載導(dǎo)通電流到額定導(dǎo)通電流的壓差雖僅為0.2V，但對(duì)于功率二極管來(lái)說(shuō)它不僅影響效率也影響二極管的溫升，所以在價(jià)格條件允許下，盡量選擇導(dǎo)通壓降小、額定工作電流較實(shí)際電流高一倍的二極管。
在我們開發(fā)產(chǎn)品的過(guò)程中，高低溫環(huán)境對(duì)電子元器件的影響才是產(chǎn)品穩(wěn)定工作的最大障礙。環(huán)境溫度對(duì)絕大部分電子元器件的影響無(wú)疑是巨大的，二極管當(dāng)然也不例外，在高低溫環(huán)境下通過(guò)對(duì)SM360A的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)表1與圖3的關(guān)系曲線可知道：二極管的導(dǎo)通壓降與環(huán)境溫度成反比。在環(huán)境溫度為-45℃時(shí)雖導(dǎo)通壓降最大，卻不影響二極管的穩(wěn)定性，但在環(huán)境溫度為75℃時(shí)，外殼溫度卻已超過(guò)了數(shù)據(jù)手冊(cè)給出的125℃，則該二極管在75℃時(shí)就必須降額使用。這也是為什么開關(guān)電源在某一個(gè)高溫點(diǎn)需要降額使用的因素之一。
表 1 導(dǎo)通壓降與導(dǎo)通電流測(cè)試數(shù)據(jù)
2額定電流、最大正向電流IF額定電流IF指二極管長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)，根據(jù)運(yùn)行溫升折算出來(lái)的平均電流值。目前最大功率整流二極管的IF值可達(dá)1000A。
是指二極管長(zhǎng)期連續(xù)工作時(shí)，允許通過(guò)的最大正向平均電流值，其值與PN結(jié)面積及外部散熱條件等有關(guān)。因?yàn)殡娏魍ㄟ^(guò)管子時(shí)會(huì)使管芯發(fā)熱，溫度上升，溫度超過(guò)容許限度（硅管為141左右，鍺管為90左右）時(shí)，就會(huì)使管芯過(guò)熱而損壞。所以在規(guī)定散熱條件下，二極管使用中不要超過(guò)二極管最大整流電流值。例如，常用的IN4001－4007型鍺二極管的額定正向工作電流為1A。
3最大平均整流電流Io最大平均整流電流IO：在半波整流電路中，流過(guò)負(fù)載電阻的平均整流電流的最大值。折算設(shè)計(jì)時(shí)非常重要的值。
4最大浪涌電流IFSM運(yùn)行流過(guò)的過(guò)量的正向電流。不是正常的電流，而是瞬間電流，這個(gè)值相當(dāng)大。
5最大反向峰值電壓VRM即使沒有反向電流，只要不斷地提高反向電壓，遲早會(huì)使二極管損壞。這種能加上的反向電壓，不是瞬時(shí)電壓，而是反復(fù)加上的正反向電壓。因給整流器加的是交流電壓，它的最大值是規(guī)定的重要因子。最大反向峰值電壓VRM指為避免擊穿所能加的最大反向電壓。目前最高的VRM值可達(dá)幾千伏。
6最大反向電壓VR上述最大反向峰值電壓是反復(fù)加上的峰值電壓，VR是連續(xù)加直流電壓的值。用于直流電流，最大直流反向電壓對(duì)于確定允許值和上限值是很重要的。
7最高工作頻率fM由于PN結(jié)的結(jié)電容存在，當(dāng)工作頻率超過(guò)某一值時(shí)，它的單向?qū)щ娦詫⒆儾?。點(diǎn)接觸式二極管的fM值較高，在100MHz以上；整流二極管的fM較低，一般不高于幾千Hz。
8反向恢復(fù)時(shí)間Trr當(dāng)正向工作電壓從正向電壓變成反向電壓時(shí)，二極管工作的理想情況是電流能瞬時(shí)截止。實(shí)際上，一般要延遲一點(diǎn)點(diǎn)時(shí)間。決定電流截止延時(shí)的量，就是反向恢復(fù)時(shí)間。
9最大功率P二極管中有電流流過(guò)，就會(huì)吸熱，而使自身溫度升高。最大功率P為功率的最大值。具體講就是加載二極管兩端的電壓乘以流過(guò)的電流。這個(gè)極限參數(shù)對(duì)穩(wěn)壓二極管，可變電阻二極管顯得特別重要。
10反向飽和漏電流IR指在二極管兩端加入反向電壓時(shí)，流過(guò)二極管的電流，該電流與半導(dǎo)體材料和溫度有關(guān)。在常溫下，硅管的IR為nA（10-9A）級(jí)，鍺管的IR為mA（10-6A）級(jí)
11降額（結(jié)溫降額）降額可以提高產(chǎn)品可靠性，延長(zhǎng)使用壽命，根據(jù)溫度降低10℃壽命增加一倍的理論，下面列出了不同額定結(jié)溫的管子最小降額結(jié)溫?cái)?shù)據(jù)。
表1 二極管降額
|
額定值TjM
|
125℃
|
150℃
|
175℃
|
200℃
|
|
降額后可使用的TjM
|
110℃
|
135℃
|
160℃
|
185℃
|
12安規(guī)在選型階段應(yīng)該考慮到器件是否通過(guò)了安規(guī)認(rèn)證，主要應(yīng)該考慮功率器件。一般為各國(guó)廣泛接受的安規(guī)認(rèn)證類型有UL（北美）、CSA（加拿大）、TUV（德國(guó)）、VDE等
13可靠性設(shè)計(jì)正確選用器件及器件周邊的線路設(shè)計(jì)、機(jī)械設(shè)計(jì)和熱設(shè)計(jì)等來(lái)控制器件在整機(jī)中的工作條件，防止各種不適當(dāng)?shù)膽?yīng)力或者操作給器件帶來(lái)?yè)p傷，從而最大限度地發(fā)揮器件的固有可靠性。
14容差設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)單板時(shí)，應(yīng)放寬器件的參數(shù)允許變化的范圍（包括制造容差、溫度漂移、時(shí)間漂移），以保證器件的參數(shù)在一定范圍內(nèi)變化時(shí)，單板能正常工作。
15禁止選用封裝禁止選用軸向插裝的二極管封裝、禁止選用Open-junction二極管。
O/J是OPEN JUNCTION的晶圓擴(kuò)散工藝，在晶圓擴(kuò)散后切片成晶粒，晶粒的邊緣是粗糙的，電性能不穩(wěn)定，需要用混合酸（主要成分為氫氟酸）洗掉邊緣，然后包以硅膠并封裝成型，可信賴性較差。
GPP是Glassivation passivation parts的縮寫，是玻璃鈍化類器件的統(tǒng)稱，該產(chǎn)品就是在現(xiàn)有產(chǎn)品普通硅整流擴(kuò)散片的基礎(chǔ)上對(duì)擬分割的管芯P/N結(jié)面四周燒制一層玻璃，玻璃與單晶硅有很好的結(jié)合特性，使P/N結(jié)獲得最佳的保護(hù)，免受外界環(huán)境的侵?jǐn)_，提高器件的穩(wěn)定性，可信賴性極佳。
O/J的散熱性沒有GPP的好，兩者本質(zhì)結(jié)構(gòu)截然不同:O/J芯片需要經(jīng)過(guò)酸洗后加銅片焊接配合硅膠封裝，內(nèi)部結(jié)構(gòu)上顯得比GPP的大；GPP芯片造的整流橋免去了酸洗、上硅膠等步驟，直接與整流橋的銅連接片焊接。內(nèi)部結(jié)構(gòu)顯的比O/J芯片制造而成的小。才造成直觀的、習(xí)慣性的誤解。
GPP芯片和OJ芯片的綜合評(píng)價(jià)：
1、GPP芯片在wafer階段即完成玻璃鈍化，并可實(shí)施VR的probe testing，而OJ芯片只有在制得成品后測(cè)試VR。
2、VRM為1000V的GPP芯片，通常從P 面開槽和進(jìn)行玻璃鈍化，臺(tái)面呈負(fù)斜角結(jié)構(gòu)(表面電場(chǎng)強(qiáng)度高于體內(nèi))，而OJ芯片的切割不存在斜角。
3、GPP芯片的玻璃鈍化分布在pn結(jié)部分區(qū)域(不像GPRC芯片對(duì)整個(gè)斷面實(shí)施玻璃鈍化，而OJ芯片對(duì)整個(gè)斷面施加硅橡膠保護(hù)。
4、GPP芯片由于機(jī)械切割的原因留下切割損傷層，而OJ芯片的切割損傷層可經(jīng)化學(xué)腐蝕去除掉。
5、GPP芯片采用特殊高溫熔融無(wú)機(jī)玻璃膜鈍化，Tjm及HTIR穩(wěn)定性高于用有機(jī)硅橡膠保護(hù)的OJ制品。
6、GPP芯片適合小型化、薄型化、LLP封裝，而OJ芯片適合引出線封裝。
在制作工藝上的區(qū)別：
（1）OJ的芯片必須經(jīng)過(guò)焊接、酸洗、鈍化、上白膠、成型固化烘烤等步驟,其電性（反向電壓）與封裝酸洗工藝密切相關(guān)，常規(guī)封裝形式為插件式。
（2）而GPP在芯片片制造工藝中已包含酸洗、鈍化。其電性由芯片片直接決定，常見封狀形式為貼片式。
聲明：
本文素材來(lái)源網(wǎng)絡(luò)，版權(quán)歸原作者所有。如涉及作品版權(quán)問(wèn)題，請(qǐng)與我聯(lián)系刪除。
------------ END ------------
欲知詳情，請(qǐng)下載word文檔
下載文檔
本站聲明： 本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布，目的在于傳遞更多信息，并不代表本站贊同其觀點(diǎn)，本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系該專欄作者，如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益，請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系本站刪除。
為增進(jìn)大家對(duì)二極管的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)功率二極管的10個(gè)問(wèn)題予以解答。
關(guān)鍵字：
二極管
指數(shù)
功率二極管
為增進(jìn)大家對(duì)二極管的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)整流二極管損壞的原因，以及各類二極管的代換方法予以介紹。
關(guān)鍵字：
二極管
指數(shù)
穩(wěn)壓二極管
為增進(jìn)大家對(duì)二極管的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)整流二極管、整流二極管的選用、整流二極管的常用參數(shù)予以介紹。
關(guān)鍵字：
整流二極管
指數(shù)
二極管
摘要:電袋復(fù)合除塵器是繼電除塵器、袋式除塵器后一種新型的高效除塵設(shè)備,已廣泛應(yīng)用于電力、水泥、鋼鐵、化工等高污染行業(yè)。電袋復(fù)合除塵器結(jié)合靜電除塵和過(guò)濾除塵兩種機(jī)理,充分發(fā)揮兩種除塵技術(shù)各自的優(yōu)勢(shì),具有除塵效率高且穩(wěn)定的特...
關(guān)鍵字：
電袋復(fù)合除塵器
高壓電源
選型
為增進(jìn)大家對(duì)二極管的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)混頻二極管予以介紹。通過(guò)本文，您將對(duì)混頻二極管、混頻二極管的應(yīng)用有所了解。
關(guān)鍵字：
混頻二極管
指數(shù)
二極管
摘要:主斜井帶式輸送機(jī)是煤礦的關(guān)鍵設(shè)備,決定了煤礦的生產(chǎn)能力。根據(jù)某煤礦主斜井井筒的長(zhǎng)度、傾角和帶式輸送機(jī)的運(yùn)量等參數(shù),對(duì)主斜井帶式輸送機(jī)的技術(shù)方案進(jìn)行了分析、比選,并對(duì)該帶式輸送機(jī)的主要部件進(jìn)行了計(jì)算選型。
關(guān)鍵字：
帶式輸送機(jī)
技術(shù)方案
選型
摘要:結(jié)合地鐵電客車客室車門的實(shí)際運(yùn)用,介紹了電客車客室車門的類型,分析了內(nèi)藏嵌入式移門、外掛式移門和塞拉門的結(jié)構(gòu)和原理,并對(duì)三類車門進(jìn)行了性能對(duì)比,為客室車門的選型提供了支持。
關(guān)鍵字：
塞拉門
對(duì)比
選型
Bourns?SMD表面貼裝器件PTVS1 和 PTVS2 系列，采用最小 DFN 封裝，可滿足日益增長(zhǎng)的電路保護(hù)需求，其浪涌電流高達(dá)1kA和2kA
關(guān)鍵字：
Bourns
二極管
DFN
摘要:民用建筑中,為保證消防報(bào)警系統(tǒng)、消防設(shè)備、應(yīng)急照明、疏散照明、電梯、供水設(shè)備以及智能化系統(tǒng)正常運(yùn)行,一般配備滿足要求的發(fā)電機(jī)組作為備用或應(yīng)急電源。現(xiàn)結(jié)合美倫·陽(yáng)光新城項(xiàng)目提出高層住宅小區(qū)備用發(fā)電機(jī)組在選配、自啟動(dòng)與...
關(guān)鍵字：
發(fā)電機(jī)組
選型
自啟動(dòng)
2022 年 6 月 23 日，中國(guó) – 意法半導(dǎo)體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，同時(shí)優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制和配電電路的能...
關(guān)鍵字：
意法半導(dǎo)體
晶體管
二極管
基于TrEOS的保護(hù)技術(shù)可提供行業(yè)領(lǐng)先的插入損耗和回波損耗，有助于滿足有限的系統(tǒng)預(yù)算要求
關(guān)鍵字：
Nexperia
二極管
信號(hào)中繼器
從概念中我們可以得知ESD和TVS都有保護(hù)器件的作用，那么TVS管與ESD保護(hù)二極管的區(qū)別有哪些呢？
關(guān)鍵字：
EDD
TVS管
二極管
靜電阻抗器
北京2022年6月13日 /美通社/ -- 對(duì)于中國(guó)出海企業(yè)來(lái)說(shuō)，疫情伴隨的這幾年充滿了不確定性。 安全合規(guī)、海外市場(chǎng)把握、產(chǎn)業(yè)鏈重組以及國(guó)際局勢(shì)變化等因素，成為了懸在征戰(zhàn)海外市場(chǎng)企業(yè)頭頂?shù)倪_(dá)摩克里斯之劍，不少企業(yè)將&...
關(guān)鍵字：
CRM
選型
SUGAR
集成
根據(jù)我們正在處理的應(yīng)用，較小的偏移電壓并不總是意味著更高的精度或更好的直流性能。首先，我們需要確定最主要的錯(cuò)誤來(lái)源。如果確實(shí)是輸入失調(diào)電壓，那么斬波穩(wěn)定(零漂移)運(yùn)算放大器 (op amps) 會(huì)派上用場(chǎng)。它們?yōu)槲覀兲峁?..
關(guān)鍵字：
精密放大器
選型
摘要:針對(duì)化工企業(yè)流量?jī)x表選型困難的問(wèn)題,介紹了旋進(jìn)流量計(jì)與轉(zhuǎn)子流量計(jì)的工作原理,并將這兩種流量計(jì)進(jìn)行了特性對(duì)比,得出了在中小管徑中含顆粒物的化工介質(zhì)、密度發(fā)生變化的介質(zhì)工況下,旋進(jìn)流量計(jì)比轉(zhuǎn)子流量計(jì)更有優(yōu)勢(shì)的結(jié)論。
關(guān)鍵字：
轉(zhuǎn)子流量計(jì)
選型
優(yōu)勢(shì)
【2022年5月30日，德國(guó)慕尼黑訊】Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG推出具有內(nèi)部續(xù)流二極管(FWD)、采用陶瓷平板封裝的全新壓接式IGBT(PPI)，進(jìn)一步...
關(guān)鍵字：
英飛凌
IGBT
二極管
