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[導(dǎo)讀]TTL電路(1)電源電壓范圍TTL電路的工作電源電壓范圍很窄。S,LS,F(xiàn)系列為5V±5%;AS,ALS系列為5Y±10%。(2)頻率特性TTL電路的工作頻率比4000系列的高。

TTL電路(1)電源電壓范圍TTL電路的工作電源電壓范圍很窄。S,LS,F(xiàn)系列為5V±5%;AS,ALS系列為5Y±10%。(2)頻率特性TTL電路的工作頻率比4000系列的高。標準TTL電路的工作頻率小于35MHz;LS系列TTL電路的工作頻率小 于40MHz;ALS系列電路的工作頻率小于70MHz;S系列電路的工作頻率小于125MHz;AS系列電路的工作頻率 小于200MHz.(3)TTL電路的電壓輸出特性當工作電壓為十5V時,輸出高電平大于2.4V,輸人高電平大于2.0V;輸出低電平小于0.4V,輸人低電平 小于0.8V。(4)最小輸出驅(qū)動電流標準TTL電路為16mA;LS-TTL電路為8mA;S-TTL電路為20mA;ALS-TfL 電路為8mA;AS-TTL電路為⒛ mA。大電流輸出的TTL電路:標準TTL電路為48mA;LS-TTL電路為24mA;S-TTL電路為64mA;ALS-TTL電 路為24/48mA;AS-TTL電路為48/64mA。(5)扇出能力(以帶動LS-TTL負載的個數(shù)為例)標準TTL電路為40;IS-TTL電路為20;S-TTL電路為50;ALS-TTL電路為 20;AS-TTL電路為50。大電流 輸出的TTL電路:標準TTL電路為120;LS-TTL電路為60;S-TTL電路為160;ALS-TTL電路為60/120;AS -TTL電路為120/160。對于同一功能編號的各系列TTL集成電路,它們的引腳排列與邏輯功能完全相同。比如,7404,74LS04, 74A504,74F04,74ALS04等各集成電路的引腳圖與邏輯功能完全一致,但它們在電路的速度和功耗方面存 在著明顯的差別。

CM0S電路(1)電源電壓范圍集成電路的工作電源電壓范圍為3~18V,74HC系列為2~6V。(2)功耗當電源電壓VDD=5V時,CM0S電路的靜態(tài)功耗分別是:門電路類為2.5~5μW;緩沖器和觸發(fā)器類為5~20μW;中規(guī)模集成電路類為25~100μW,(3)輸人阻抗CM05電路的輸入阻抗只取決于輸人端保護二極管的漏電流,因此輸人阻抗極高,可達108~1011Ω以上。所以,CM0S電路幾乎不消耗驅(qū)動電路的功率。(4)抗干擾能力因為它們的電源電壓允許范圍大,因此它們輸出高低電平擺幅也大,抗干擾能力就強,其噪聲容限最大值為45%VDD保證值可達30%VDD,電源電壓越高,噪聲容限值越大。(5)邏輯擺幅CM0S電路輸出的邏輯高電平“1”非常接近電源電壓VDD邏輯低電平“0”接近電源Vss,空載時,輸出高電平VOH=VCC-0.05V,輸出低電平VOL=0.05V。因此,CM0S電路電源利用系數(shù)最高。(6)扇出能力在低頻工作時,一個輸出端可驅(qū)動50個以上CM0S器件。(7)抗輻射能力CMOS管是多數(shù)載流子受控導(dǎo)電器件,射線輻射對多數(shù)載流子濃度影響不大。因此,CM0S電路特別適用于航天、衛(wèi)星和核試驗條件下工作的裝置。CM0S集成電路功耗低,內(nèi)部發(fā)熱量小,集成度可大大提高。又因為電路本身的互補對稱結(jié)構(gòu),當環(huán)境溫度變化時,其參數(shù)有互相補償作用,因而其溫度穩(wěn)定性好。(8)CM0S集成電路的制造工藝CM0S集成電路的制造工藝比TTL集成電路的制造工藝簡單,而且占用硅片面積也小,特別適合于制造大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路。

①不允許在超過極限參數(shù)的條件下工作。電路在超過極限參數(shù)的條件下工 作,就可能工作不正常,且容 易引起損壞。TTL集成電路的電源電壓允許變化范圍比較窄,一般在4.5~5.5V之間,因此必須使用+5V穩(wěn) 壓電源;CM0S集成電路的工作電源電壓范圍比較寬,有較大的選擇余地。選擇電源電壓時,除首先考慮到 要避免超過極限電源電壓外,還要注意到,電源電壓的高低會影響電路的工作頻率等性能。電源電壓低, 電路工作頻率會下降或增加傳輸延遲時間。例如CM0S觸發(fā)器,當電源電壓由+15V下降到十3V時,其最高 工作頻率將從10MHz下降到幾十千赫。②電源電壓的極性千萬不能接反,電源正負極顛倒、接錯,會因為過大電流而造成器件損壞。③CM0S電路要求輸人信號的幅度不能超過VDD~VSS,即滿足VSS=V1=VDD。當 CM0S電路輸入端施加的電 壓過高(大于電源電壓)或過低(小于0V),或者電源電壓突然變化時,電路電流可能會迅速增大,燒壞器件,這種現(xiàn)象稱為可控硅效應(yīng)。預(yù)防可控硅效應(yīng)的措施 主要有:·輸入端信號幅度不能大于VDD和小于0V;·消除電源上的干擾;·在條件允許的情況下,盡可能降低電源電壓,如果電路工作頻率比較低,用+5V電源供電最好;·對使用的電源加限流措施,使電源電流被限制在30mA以內(nèi)。④對多余輸人端的處理。對于CM0S電路,多余的輸人端不能懸空,否則,靜電感應(yīng)產(chǎn)生的高壓容易引起 器件損壞,這些多余的輸人端應(yīng)該接yDD或yss,或與其他正使用的輸人端并聯(lián)。這3種處置方法,應(yīng)根據(jù) 實際情況而定。對于TTL電路,對多余的輸人端允許懸空,懸空時,該端的邏輯輸入狀態(tài)一般都作為“1”對待,雖然 懸 空相當于高電平,并不影響與門、與非門的邏輯關(guān)系,但懸空容易受干擾,有時會造成電路誤動作。因此 ,多余輸人端要根據(jù)實際需要做適當處理。例如,與門、與非門的多余輸人端可直接接到電源上;也可將 不同的輸人端公用一個電阻連接到電源上;或?qū)⒍嘤嗟妮斎硕瞬⒙?lián)使用。對于或門、或非門的多余輸人端 應(yīng)直接接地。⑤多余的輸出端應(yīng)該懸空處理,決不允許直接接到VDD或VSS,否則會產(chǎn)生過大的短路電流而使器件 損壞 。不同邏輯功能的CM0S電路的輸出端也不能直接連到一起,否則導(dǎo)通的P溝道MOS場效應(yīng)管和導(dǎo)通的N溝道 MOS場效應(yīng)管形成低阻通路,造成電源短路而引起器件損壞。除三態(tài)門、集電極開路門外,TTL集成電路的 輸出端不允許并聯(lián)使用。如果將幾個集電極開路門電路的輸出端并聯(lián),實現(xiàn)“線與”功能時,應(yīng)在輸出端 與電源之間接人上拉電阻。⑥由于CM0S電路輸人阻抗高,容易受靜電感應(yīng)發(fā)生擊穿,除電路內(nèi)部設(shè)置保護電路外,在使用和存放時 應(yīng)注意靜電屏蔽;焊接CM0S電路時,焊接工具應(yīng)良好接地,焊接時間不宜過長,焊接溫度不要太高。更不 能在通電的情況下,拆卸,拔、插集成電路。⑦多型號的數(shù)字電路之問可以直接互換使用,如國產(chǎn)的CC4000系列可與CD4000系列、MC14000系列直接互 換使用。但有些引腳功能、封裝形式相同的IC,電參數(shù)有一定差別,互換時應(yīng)注意。⑧注意設(shè)計工藝,增強抗干擾措施。在設(shè)計印制線路板時,應(yīng)避免引線過長,以防止信號之間的竄擾和 對信號傳輸?shù)难舆t。此外要把電源線設(shè)計得寬一些,地線要進行大面積接地,這樣可減少接地噪聲干擾。 在CM0S邏輯系統(tǒng)設(shè)計中,應(yīng)盡量減少電容負載。電容負載會降低CM0S集成電路的工作速度和增加功耗。

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