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[導(dǎo)讀]在太陽能利用上,單晶硅和多晶硅也發(fā)揮著巨大的作用。要使太陽能發(fā)電具有較大的市場,被廣大的消費者接受,就必須提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率,降低生產(chǎn)成本。從國際太陽電池的發(fā)展過程可以看出其發(fā)展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。

太陽能利用上,單晶硅和多晶硅也發(fā)揮著巨大的作用。要使太陽能發(fā)電具有較大的市場,被廣大的消費者接受,就必須提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率,降低生產(chǎn)成本。從國際太陽電池的發(fā)展過程可以看出其發(fā)展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。

多晶硅危害及應(yīng)用價值

單晶硅和多晶硅的區(qū)別是,當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時,硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒,則形成單晶硅。如果這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則形成多晶硅。多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如在力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面,多晶硅均不如單晶硅。多晶硅可作為拉制單晶硅的原料冶金級硅的提煉并不難。它的制備主要是在電弧爐中用碳還原石英砂而成。這樣被還原出來的硅的純度約98-99%,但半導(dǎo)體工業(yè)用硅還必須進(jìn)行高度提純(電子級多晶硅純度要求11N,太陽能電池級只要求6N)。而在提純過程中,有一項“三氯氫硅還原法(西門子法)”的關(guān)鍵技術(shù)我國還沒有掌握,由于沒有這項技術(shù),我國在提煉過程中70%以上的多晶硅都通過氯氣排放了,不僅提煉成本高,而且環(huán)境污染非常嚴(yán)重。我國每年都從石英石中提取大量的工業(yè)硅,以1美元/公斤的價格出口到德國、美國和日本等國,而這些國家把工業(yè)硅加工成高純度的晶體硅材料,以46-80美元/公斤的價格賣給我國的太陽能企業(yè)。得到高純度的多晶硅后,還要在單晶爐中熔煉成單晶硅,以后切片后供集成電路制造等用。可以用于二極管級、整流器件級、電路級以及太陽能電池級單晶產(chǎn)品的生產(chǎn)和深加工制造,其后續(xù)產(chǎn)品集成電路和半導(dǎo)體分離器件已廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域,在軍事電子設(shè)備中也占有重要地位。

1)氫氣:與空氣混合能形成爆炸性混合物,遇熱或明火即會發(fā)生爆炸。氣體比空氣輕,在室內(nèi)使用和儲存時,漏氣上升滯留屋頂不易排出,遇火星會引起爆炸。氫氣與氟、氯、溴等鹵素會劇烈反應(yīng)。2)氧氣:助燃物、可燃物燃燒爆炸的基本要素之一,能氧化大多數(shù)活性物質(zhì)。與易燃物(如乙炔、甲烷等)形成有爆炸性的混合物。3)氯氣:有刺激性氣味,能與許多化學(xué)品發(fā)生爆炸或生成爆炸性物質(zhì)。幾乎對金屬和非金屬都起腐蝕作用。屬高毒類。是一種強烈的刺激性氣體。4)氯化氫:無水氯化氫無腐蝕性,但遇水時有強腐蝕性。能與一些活性金屬粉末發(fā)生反應(yīng),放出氫氣。遇氰化物能產(chǎn)生劇毒的氰化氫氣體。5)三氯氫硅:遇明火強烈燃燒。受高熱分解產(chǎn)生有毒的氯化物氣體。與氧化劑發(fā)生反應(yīng),有燃燒危險。極易揮發(fā),在空氣中發(fā)煙,遇水或水蒸氣能產(chǎn)生熱和有毒的腐蝕性煙霧。燃燒(分解)產(chǎn)物:氯化氫、氧化硅。6)四氯化硅:受熱或遇水分解放熱,放出有毒的腐蝕性煙氣。7)氫氟酸:腐蝕性極強。遇H發(fā)泡劑立即燃燒。能與普通金屬發(fā)生反應(yīng),放出氫氣而與空氣形成爆炸性混合物。8)硝酸:具有強氧化性。與易燃物(如苯)和有機物(如糖、纖維素等)接觸會發(fā)生劇烈反應(yīng),甚至引起燃燒。與堿金屬能發(fā)生劇烈反應(yīng)。具有強腐蝕性。9)氮氣:若遇高熱,容器內(nèi)壓增大。有開裂和爆炸的危險。10)氟化氫:腐蝕性極強。若遇高熱,容器內(nèi)壓增大,有開裂和爆炸的危險。

冶金法制備太陽能級多晶硅(Solar Grade Silicon簡稱SOG—Si),是指以冶金級硅(MetallurgicalGrade Silicon簡稱MG-Si)為原料(98.5%~99.5%)。經(jīng)過冶金提純制得純度在99.9999%以上用于生產(chǎn)太陽能電池的多晶硅原料的方法。冶金法在為太陽能光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)服務(wù)上,存在成本低、能耗低、產(chǎn)出率高、投資門檻低等優(yōu)勢,通過發(fā)展新一代載能束高真空冶金技術(shù),可使純度達(dá)到6N以上,并在若干年內(nèi)逐步發(fā)展成為太陽能級多晶硅的主流制備技術(shù)。

不同的冶金級硅含有的雜質(zhì)元素不同,但主要雜質(zhì)基本相同,主要包括Al、Fe、Ti、C、P、B等雜質(zhì)元素。而且針對不同的雜質(zhì)也研究了一些有效的去除方法。自從1975年Wacker公司用澆注法制備多晶硅材料以來,冶金法制備太陽能級多晶硅被認(rèn)為是一種有效降低生產(chǎn)成本、專門定位于太陽多級多晶硅的生產(chǎn)方法,可以滿足光伏產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展需求。針對不同的雜質(zhì)性質(zhì),制備太陽能多晶硅的技術(shù)路線。

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