一直以來，智能功率級都是大家的關注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)鞟DI LTC7051智能功率計的相關介紹，詳細內(nèi)容請看下文。
LTC7051單芯片功率級在電氣和熱優(yōu)化封裝中完全集成了高速驅動器、低電阻半橋電源開關以及全面的監(jiān)控和保護電路。該功率級采用適當?shù)母哳l率控制器，形成了具有先進效率和瞬態(tài)響應的緊湊型高電流電壓穩(wěn)壓器系統(tǒng)。
SilentMOS技術采用第二代Silent Switcher 2架構，可降低EMI和開關節(jié)點電壓過沖，同時較大限度地提高在高開關頻率下的效率。
高速電流檢測可提供低延遲開關電流信息，從而實現(xiàn)嚴格的電流平衡和即時過流保護。散熱增強型封裝提供70A額定輸出連續(xù)電流能力。
LTC7051 是一款用于 DC/DC 降壓應用的單通道集成驅動器半橋功率 MOSFET 級。 它設計用于同步開關架構，控制器采用 3.3V 或 5V PWM 三態(tài)輸出。
在正常操作中，PWMHI 打開高端 MOSFET，PWMLO 打開低端 MOSFET。 SW 節(jié)點跟隨 PWM 引腳，具有典型的 10ns 延遲。 SW 從 PGND 上升到 VIN 之前有 <1ns 的死區(qū)時間，SW 下降后有典型的 3ns 死區(qū)時間。
高端 MOSFET 驅動器通過內(nèi)部集成開關和電容器從內(nèi)部 BST 節(jié)點供電至 SW，這使得壓降比使用典型二極管可實現(xiàn)的壓降更低，并且工作頻率更高。
在電流檢測方面，實時電流檢測放大器提供按比例縮小的 SW 電流。在 PWMHI 或 PWMLO 期間，ISNS 引腳根據(jù) SW 電流方向提供或吸收等于瞬時 SW 電流 1/100,000 的電流。
相關的電流比較器標記高側 MOSFET 正過流 (OC) 和低側 MOSFET 負過流 (OCN) 相關的電流比較器也檢測到兩個 MOSFET 的零電流。
在溫度監(jiān)控器和過熱故障方面，通常，TMON 輸出 0.6V 至 1.8V 的電壓，對應于 0°C 至 150°C 的芯片溫度范圍。TMON 由可以提供電流但吸收能力有限的放大器驅動。這允許多個 TMON 引腳并聯(lián)，并報告最高溫度。 過熱在 150°C(典型值)時觸發(fā)，并導致 TMON 引腳被拉高至 VCC。 一旦內(nèi)部溫度低于閾值 20°C(典型值)，過熱故障將被清除。 TDIO 引腳在內(nèi)部連接到 P/N 結二極管的陽極，而陰極連接到 SGND。它為控制器(例如 LTC3884-1)提供了另一種管芯溫度測量，以使用直接 VBE 方法測量管芯溫度 或 ΔVBE 方法。
我們再來看看電壓故障條件，當 VCC 或 PVCC 處于 UVLO 或 VIN 處于 OVLO 時，SW 不會響應 PWM，頂部 MOSFET 和底部 MOSFET 均關閉。 當 BST-to-SW 電壓處于 UVLO 時，SW 不會響應 PWMHI，直到提供 PWMLO 以使 BSTto-SW 電壓充分充電。
在過流故障條件方面，當高端 MOSFET 導通時，>180A 的瞬時 SW 電流(流出 SW 的凈電流)將使過流 (OC) 比較器跳閘并設置內(nèi)部 OC 狀態(tài)。 發(fā)生這種情況時，無論 PWM 引腳狀態(tài)如何，高端 MOSFET 將關閉，低端 MOSFET 將開啟，直到 SW 電流降至 10A，此時 OC 狀態(tài)將被重置。正常的 PWMHI 至高端 MOSFET 和 PWMLO 至低端 MOSFET 的操作恢復。當?shù)投?MOSFET 導通時，<–90A 的瞬時 SW 電流(流入 SW 的凈電流)將使 OCN 比較器跳閘。 發(fā)生這種情況時，無論 PWM 引腳狀態(tài)如何，低端 MOSFET 將關閉，高端 MOSFET 將開啟，直到 SW 電流增加到 –16A，此時 OCN 狀態(tài)將被重置。 PWMHI 至高端 MOSFET 和 PWMLO 至低端 MOSFET 的正常運行恢復。
在有源二極管模式下，如果 PWM 從高電平變?yōu)?Hi-Z 狀態(tài)，而大 (>10A) 電流仍在從 VIN 流經(jīng)頂部 MOSFET 到 SW，則頂部 MOSFET 將關閉，底部 MOSFET 將導通以續(xù)流電流，直到達到被降低了。 如果 PWM 從高電平變?yōu)?Hi-Z 狀態(tài)，而大 (≥16A) 電流仍在從 SW 流經(jīng)頂部 MOSFET 到 VIN，則頂部 MOSFET 將不會關閉，直到電流斜坡下降。 類似地，如果 PWM 從低電平變?yōu)?Hi-Z 狀態(tài)，而大 (≥16A) 電流仍然流經(jīng)底部 MOSFET 從 SW 到 PGND，底部 MOSFET 將關閉，頂部 MOSFET 將開啟以續(xù)流電流直到 它已經(jīng)下降。如果 PWM 從高電平變?yōu)?Hi-Z 狀態(tài)，而大 (>10A) 電流仍在從 PGND 流經(jīng)底部 MOSFET 到 SW，則底部 MOSFET 將不會關閉，直到電流斜坡下降。
最后，小編誠心感謝大家的閱讀。你們的每一次閱讀，對小編來說都是莫大的鼓勵和鼓舞。最后的最后，祝大家有個精彩的一天。
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