[導(dǎo)讀]?▲關(guān)注公眾號:工程師看?!蠹液?,我是蝸牛。今天跟大家分享一個(gè)實(shí)際案例,一個(gè)關(guān)于驅(qū)動(dòng)芯片替代的實(shí)驗(yàn)。一、背景:面臨著芯片的漲價(jià)和缺貨,芯片的替代選型和實(shí)驗(yàn)就成了一項(xiàng)必不可少的工作。正好有幾款可以替代公司的驅(qū)動(dòng)芯片??墒牵瑤追N芯片封裝不兼容,怎么辦呢?為了又快又好的完成這件事,我...
大家好,我是蝸牛。今天跟大家分享一個(gè)實(shí)際案例,一個(gè)關(guān)于驅(qū)動(dòng)芯片替代的實(shí)驗(yàn)。
一、背景:
面臨著芯片的漲價(jià)和缺貨,芯片的替代選型和實(shí)驗(yàn)就成了一項(xiàng)必不可少的工作。正好有幾款可以替代公司的驅(qū)動(dòng)芯片。
可是,幾種芯片封裝不兼容,怎么辦呢?
為了又快又好的完成這件事,我在主板上畫了一種驅(qū)動(dòng),其它封裝的驅(qū)動(dòng)都畫成一個(gè)小板,通過排針連接,使用的時(shí)候?qū)⑿“逯苯硬逶谥靼迳暇涂梢粤?。這樣的好處是:主板只有一個(gè),更換小板比較方便。
二、調(diào)試:
拿到樣板,手工焊好后,我們開始了調(diào)試。(以下是板子局部圖片,小板包含驅(qū)動(dòng)芯片及外圍電路,通過排針的方式連接):
圖一 樣板成品局部圖
首先,供電正常,確保沒有虛焊或短路。但當(dāng)我測試Vgs波形的時(shí)候,有點(diǎn)不敢相信自己的眼睛,如下圖。一般來說,MOS管驅(qū)動(dòng)波形出現(xiàn)振蕩是很正常的現(xiàn)象,但是振蕩的這么厲害,波形根本沒法看,不能正常工作。
圖二 樣板驅(qū)動(dòng)波形
用紅外測試儀監(jiān)測了MOS管溫度,溫升瞬間升到幾十度,還好我反應(yīng)快,馬上就斷掉了開關(guān),不然辦公室又得開始放鞭炮了。
三、原因查找:
我猜想會(huì)不會(huì)是驅(qū)動(dòng)芯片本身有問題?
于是我用示波器直接測了驅(qū)動(dòng)芯片的輸出波形,如下圖,波形正常。
圖三 驅(qū)動(dòng)芯片輸出波形
那問題會(huì)不會(huì)出在驅(qū)動(dòng)布板上,仔細(xì)查看了驅(qū)動(dòng)部分的PCB,MOS管的回路盡量短,也都進(jìn)行了包地處理,跟之前布板差別不大,所以排除PCB布板的問題。
于是我又嘗試調(diào)整了驅(qū)動(dòng)電阻的阻值,因?yàn)檫@個(gè)電阻的大小對管子的振蕩影響很大。多測調(diào)試無果。
那唯一的不同之處在于驅(qū)動(dòng)部分單獨(dú)做成一個(gè)小板插在主板上。我判斷大概率問題出在這里,于是重新打板將驅(qū)動(dòng)直接畫在主板上。事實(shí)證明我的判斷是正確的,測得驅(qū)動(dòng)波形如下圖,波形很漂亮,有木有?
圖四 PCB更改后樣板驅(qū)動(dòng)波形
四、原因分析:
先簡單介紹一下我們所使用的驅(qū)動(dòng)電路。如下所示。該電路一直量產(chǎn)至少上萬片,所以這個(gè)電路肯定是沒問題的。
當(dāng)驅(qū)動(dòng)PWM為高時(shí),通過R3→D1→C2→R2→GND,給MOS管充電。
當(dāng)驅(qū)動(dòng)PWM為低時(shí),通過C2→R4→Q1→GND,MOS管放電。
管子做到快開慢關(guān)。一般電阻R3小于R4,阻值為幾歐姆。
R1的作用是防止靜電擊穿,為靜電提供釋放回路,一般為10K左右。
圖五 驅(qū)動(dòng)電路圖
再回到我們的問題上,為什么將驅(qū)動(dòng)插在小板上,驅(qū)動(dòng)波形會(huì)變差,會(huì)振蕩的那么厲害呢?
實(shí)際上這個(gè)振蕩是由R3,L1和C2串聯(lián)振蕩引起的。其中,L1是驅(qū)動(dòng)芯片輸出到柵極之間的寄生電感,這個(gè)距離越遠(yuǎn),L1越大。驅(qū)動(dòng)做成小板通過插針的形式連接,其實(shí)就是增大了這個(gè)距離,也就是增大了電感L1,所以就振蕩的特別厲害。
電阻R3的作用主要起到阻尼振蕩的作用,讓管子導(dǎo)通的不那么快,吸收管子的振蕩尖峰。阻值越大,振蕩越小,但效率也會(huì)降低。
圖六 驅(qū)動(dòng)電路中的寄生電感
最后,驅(qū)動(dòng)電路部分一定要注意的幾個(gè)細(xì)節(jié):
1.布局時(shí),驅(qū)動(dòng)部分一定要靠近MOS管且MOS管的驅(qū)動(dòng)回路面積要盡量短,減小寄生電感的影響。
2.MOS管選型時(shí),輸入電容C2和密勒電容C1盡量選擇容值比較小的。
3.調(diào)試時(shí),可通過改變R3的阻值來改變驅(qū)動(dòng)波形的振蕩。
今天的分享就到這里,希望對你有幫助。
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