寧德時(shí)代設(shè)立“芯片設(shè)計(jì)”子公司,注冊(cè)資金32億元;美國(guó)FTC要求停止英偉達(dá)收購(gòu)ARM的交易
掃描二維碼
隨時(shí)隨地手機(jī)看文章
5.加拿大多家電信公司要求政府賠償損失12月3日消息,環(huán)球新聞爆料稱,加拿大多家電信公司因?yàn)檎故褂萌A為網(wǎng)絡(luò)設(shè)備而被迫更新設(shè)備,成本大增,目前,這些電信公司已經(jīng)和聯(lián)邦政府接洽,要求政府進(jìn)行賠償。據(jù)了解,加拿大多家電信公司已經(jīng)在華為設(shè)備上花費(fèi)7億多美元,由于加拿大政府認(rèn)為華為5G設(shè)備的接入將會(huì)對(duì)國(guó)家利益構(gòu)成安全威脅,因此,加拿大政府一直在猶豫是否要全面禁止華為參與加拿大的5G建設(shè)。此前,包括美國(guó)、英國(guó)和澳大利亞多個(gè)國(guó)家在內(nèi)的五眼聯(lián)盟已經(jīng)全面禁止或嚴(yán)格限制華為設(shè)備存在于國(guó)家內(nèi)。目前,作為五眼聯(lián)盟同盟國(guó)之一的加拿大還在猶豫是否要完全禁止華為參與國(guó)內(nèi)5G網(wǎng)絡(luò)的建設(shè),此前有消息稱如果禁用華為設(shè)備,加拿大的電信運(yùn)營(yíng)商拆除正在使用中的華為網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,因此,加拿大政府和電信供應(yīng)商將有可能陷入10億加元的“補(bǔ)償之爭(zhēng)”,并且會(huì)增加其5G網(wǎng)絡(luò)部署的成本,也會(huì)使得對(duì)消費(fèi)者的服務(wù)更加昂貴。根據(jù)公開(kāi)信息顯示,目前全球5G基站已建成超過(guò)165萬(wàn)座,而國(guó)內(nèi)建成5G基站超115萬(wàn)座,占到了全球已建成5G基站數(shù)量的70%,5G終端用戶更是占據(jù)全球的80%以上,達(dá)到了4.5億戶,國(guó)內(nèi)所有地級(jí)市城區(qū),超過(guò)97%的縣城城區(qū)和40%的鄉(xiāng)鎮(zhèn)鎮(zhèn)區(qū)均實(shí)現(xiàn)5G網(wǎng)絡(luò)覆蓋。截止到2021年8月1日,我國(guó)有超過(guò)703528個(gè)5G基站由華為承建,占到了所有已建設(shè)5G基站59%的份額,在10月4日,中國(guó)移動(dòng)再次對(duì)外公布了2021年4G/5G融合核心網(wǎng)采購(gòu)招標(biāo)數(shù)據(jù),華為再次拿下了高達(dá)74億元的5G大訂單,訂單份額依舊高達(dá)60%,閱讀詳情請(qǐng)點(diǎn)擊:《禁用華為?加拿大多家電信公司要求政府賠償損失》6.京東方或向蘋(píng)果提供5000萬(wàn)塊OLED顯示面板11月30日消息,據(jù)外媒報(bào)道,國(guó)際知名研究機(jī)構(gòu)UBI Research預(yù)計(jì)在2022年,當(dāng)前已經(jīng)進(jìn)入蘋(píng)果產(chǎn)業(yè)鏈的國(guó)內(nèi)顯示面板廠商京東方,預(yù)計(jì)在2022年將繼續(xù)為蘋(píng)果提供約5000萬(wàn)塊OLED面板。在此之前,京東方預(yù)計(jì)在今年將為蘋(píng)果提供1800萬(wàn)塊OLED顯示屏,其中1500 萬(wàn)塊將用于 iPhone 12,余下 300 萬(wàn)塊用于 9 月份推出的 iPhone 13。一直以來(lái),在OLED顯示屏市場(chǎng)里,三星的市場(chǎng)占有率都保持著絕對(duì)的優(yōu)勢(shì),根據(jù)公開(kāi)信息顯示,在2020年,全球OLED面板總出貨量達(dá)5.7788億塊,其中,三星的出貨量占了絕大部分,高達(dá)3.9億塊,市場(chǎng)份額為68.2%,排名全球第一。排名第二的是韓國(guó)的LG,市場(chǎng)份額為21%,而京東方市場(chǎng)份額僅有5.7%,位列第三。雖然OLED面板當(dāng)前主要應(yīng)用于智能手機(jī)領(lǐng)域,但隨著各大面板廠商的良率和產(chǎn)能利用率提升及綜合成本下降,柔性O(shè)LED面板價(jià)格有機(jī)會(huì)進(jìn)一步降低以擴(kuò)張應(yīng)用市場(chǎng)。如今,OLED面板技術(shù)不斷成熟,并已經(jīng)開(kāi)始逐漸向多個(gè)新興行業(yè)滲透,廣泛應(yīng)用于智能穿戴設(shè)備、VR設(shè)備及自動(dòng)駕駛等行業(yè)。根據(jù)公開(kāi)數(shù)據(jù)顯示,2018年在新興行業(yè)OLED面板的出貨量為6540萬(wàn)片,根據(jù)預(yù)測(cè)2020年OLED面板在新興行業(yè)的出貨量為8690萬(wàn)片,未來(lái)OLED面板應(yīng)用場(chǎng)景廣闊。閱讀詳情請(qǐng)點(diǎn)擊:《再獲大單!京東方或向蘋(píng)果提供5000萬(wàn)塊OLED顯示面板》7.三星千億美元欲收購(gòu)多家國(guó)際半導(dǎo)體大廠11月29日,臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》爆料稱三星或?qū)⑹召?gòu)國(guó)際多家半導(dǎo)體大廠,據(jù)悉,在三星電子副會(huì)長(zhǎng)李在镕在赴美商談建廠事宜返韓之后,網(wǎng)上有消息稱三星或?qū)⒊鲑Y逾千億美元收購(gòu)入股包括德州儀器、瑞薩、恩智浦、英飛凌、意法半導(dǎo)體等多家半導(dǎo)體大廠,這些企業(yè)大部分都是臺(tái)積電重要客戶,三星或?qū)⑼ㄟ^(guò)此舉來(lái)實(shí)現(xiàn)其“2030年半導(dǎo)體成長(zhǎng)全球第一”的目標(biāo)。值得一提的是,此前有韓國(guó)媒體爆料稱三星正在積極推動(dòng)其半導(dǎo)體領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展計(jì)劃,三星曾提出過(guò)“三年內(nèi)展開(kāi)有意義的并購(gòu)計(jì)劃”里昂證券駐首爾的研究主管保羅·蔡(Paul Choi)表示:“對(duì)三星來(lái)說(shuō),收購(gòu)一家非存儲(chǔ)公司非常重要。三星是存儲(chǔ)芯片的全球領(lǐng)導(dǎo)者,但非存儲(chǔ)市場(chǎng)要大得多。結(jié)合當(dāng)前市場(chǎng)來(lái)看,存儲(chǔ)芯片行情被質(zhì)疑快到天花板,邏輯芯片和晶圓代工則景氣度很高。” 根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)公布的數(shù)據(jù)顯示,2021年前三季度全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售額為3979億美元,同比增長(zhǎng)24.6%。 國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)預(yù)測(cè)到,2021年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值可望成長(zhǎng)超過(guò) 20%,設(shè)備市場(chǎng)也將隨著成長(zhǎng)逾 30%。截止到2021年5月,三星公司對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)的投資已增至1510億美元,較先前的承諾提高了了29%。另外,在11月24日,三星電子正式宣布,將在得克薩斯州泰勒市新建一半導(dǎo)體制造工廠,投資規(guī)模高達(dá)170億美元。三星投入的170億美元的投資包括場(chǎng)地、物業(yè)改善、機(jī)器設(shè)備,該廠將成為三星在美國(guó)有史以來(lái)最大的投資,也將使三星在美國(guó)的總投資超過(guò)470億美元。在芯片代工制造最新的3nm制程工藝上,三星宣布將在2022年上半年開(kāi)始為客戶生產(chǎn)首批基于3nm的芯片,這時(shí)間要比臺(tái)積電宣布的2022年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)3nm芯片要早。閱讀詳情請(qǐng)點(diǎn)擊:《追擊臺(tái)積電!傳三星千億美元收購(gòu)多家國(guó)際半導(dǎo)體大廠》財(cái)經(jīng)動(dòng)態(tài)1.2021年第三季全球半導(dǎo)體制造設(shè)備出貨金額達(dá)268億美元12月2日,SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))于今日發(fā)布的“全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)報(bào)告”中指出,2021年第三季全球半導(dǎo)體制造設(shè)備出貨金額持續(xù)攀升,較去年同期成長(zhǎng)38%,相比第二季也有8%的增長(zhǎng),達(dá)268億美元,連續(xù)五季創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄。從各個(gè)區(qū)域來(lái)看,今年三季度,臺(tái)灣半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)銷售金額達(dá)73.3億美元,環(huán)比增長(zhǎng)45%,同比增長(zhǎng)54%,超越韓國(guó)及中國(guó)大陸,躍居全球最大半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售市場(chǎng)。 中國(guó)大陸半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)銷售金額為72.7億美元,與一季度環(huán)比下滑了12%,同比增長(zhǎng)了29%,位居第二位。韓國(guó)半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)銷售金額為55.8億美元,環(huán)比下滑16%,為全球第三大半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)。北美及日本半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)銷售金額分別為22.9億及21.1億美元,環(huán)比分別增長(zhǎng)36%、19%,為全球第四及第五大市場(chǎng)。2. Q3全球前十大晶圓代工廠商營(yíng)收排名出爐市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦咨詢(TrendForce)發(fā)布的最新報(bào)告顯示,第三季晶圓代工產(chǎn)值高達(dá)272.8億美元,季增11.8%,已連續(xù)九個(gè)季度創(chuàng)下歷史新高。對(duì)于晶圓代工產(chǎn)值再創(chuàng)新高的原因,集邦咨詢認(rèn)為是晶圓代工廠新增產(chǎn)能逐步放量,以及平均售價(jià)持續(xù)調(diào)漲。從廠商排名上看,臺(tái)積電在蘋(píng)果iPhone新機(jī)發(fā)表帶動(dòng)下,第三季營(yíng)收達(dá)148.8億美元,季增11.9%,穩(wěn)居龍頭;排名第二的是三星,營(yíng)收為48.1億美元,季增11%,受益于主要手機(jī)客戶陸續(xù)發(fā)表新機(jī)刺激相關(guān)SoC、DDI需求,加上位于美國(guó)得州奧斯汀Line S2營(yíng)收貢獻(xiàn)回歸正軌及韓國(guó)平澤市Line S5新產(chǎn)能開(kāi)出;聯(lián)電以20.4億美元的營(yíng)收排名第三,季增12.2%,該廠商受益于28/22nm擴(kuò)增產(chǎn)能陸續(xù)開(kāi)出,帶動(dòng)OLED driver IC等投片持續(xù)增加以及均價(jià)上漲等因素;格芯以17.1億美元的營(yíng)收排名第四,季增12%。 中國(guó)大陸廠商方面上榜兩位,其一是中芯國(guó)際以14.2億美元的營(yíng)收排名第五,受惠于PMIC、Wi-Fi、MCU、RF等產(chǎn)品需求穩(wěn)定,以及持續(xù)調(diào)漲晶圓價(jià)格等因素;華虹集團(tuán)則以7.99億美元的營(yíng)收排名第六,季增21.4%。3. 格芯第三季度營(yíng)收17億美元 同比增長(zhǎng)56%12月1日,格芯公布了其截至9月30日的2021年第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī),這是該公司自今年10月28日上市以來(lái)的首份財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示,該公司Q3營(yíng)收為17億美元,上年同期為10.91億美元,同比增長(zhǎng)56%;凈利潤(rùn)為500萬(wàn)美元,上年同期為虧損2.93億美元。產(chǎn)能方面,格芯表示,第三季12英寸晶圓出貨量為 60.9 萬(wàn)片,季增 2.5%,年增 27%。預(yù)計(jì)第四季將季增約 4%,年增 12%,德國(guó) Fab1 廠料將成長(zhǎng) 16%。目前新加坡廠正在擴(kuò)建,預(yù)計(jì)新產(chǎn)能 2022 年下半年?duì)I運(yùn),2023 年上半年投產(chǎn)。格芯首席執(zhí)行官 Tom Caulfield 表示,更高的晶圓產(chǎn)量主要推動(dòng)了收入增長(zhǎng)。4.上海積塔半導(dǎo)完成80億元人民幣戰(zhàn)略融資11月30日,華大半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“華大半導(dǎo)體”)旗下上海積塔半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“積塔半導(dǎo)體”)宣布完成80億元人民幣戰(zhàn)略融資。據(jù)悉,本輪融資由華大半導(dǎo)體領(lǐng)投,其他出資方包括:中電智慧基金、國(guó)改雙百基金、國(guó)調(diào)基金、中國(guó)互聯(lián)網(wǎng)投資基金、上汽集團(tuán)旗下尚頎資本、匯川技術(shù)、創(chuàng)維投資、小米長(zhǎng)江基金、交銀投資、上海自貿(mào)區(qū)基金、臨港新片區(qū)科創(chuàng)基金、浦東科創(chuàng)、上海浦科投資、中信產(chǎn)業(yè)基金、中金資本、國(guó)策投資、中航產(chǎn)投、中保投資、凱輝基金、中信建投資本、國(guó)泰君安、深投控、上海國(guó)盛、臨港集團(tuán)等。本輪融資將極大助力積塔半導(dǎo)體發(fā)揮自身車規(guī)級(jí)芯片制造優(yōu)勢(shì),加大車規(guī)級(jí)電源管理芯片、IGBT和碳化硅功率器件等方面制造工藝的研發(fā)力度,加快提升汽車電子制造產(chǎn)能,進(jìn)一步鞏固和發(fā)展積塔在車規(guī)級(jí)模擬和功率器件領(lǐng)域的制造優(yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)成為我國(guó)領(lǐng)先的特色工藝生產(chǎn)線目標(biāo),支撐我國(guó)“雙碳”戰(zhàn)略,緩解汽車電子缺貨的困局。技術(shù)/新品1.全球首款,阿里達(dá)摩院成功研發(fā)基于 DRAM 的 3D 鍵合堆疊存算一體芯片12 月 3 日消息,據(jù)阿里云官方微信公眾號(hào)發(fā)布,阿里達(dá)摩院成功研發(fā)出存算一體芯片。這是全球首款基于 DRAM 的 3D 鍵合堆疊存算一體芯片。該芯片突破了馮?諾依曼架構(gòu)的性能瓶頸,滿足人工智能等場(chǎng)景對(duì)高帶寬、高容量?jī)?nèi)存和極致算力的需求。在特定 AI 場(chǎng)景中,該芯片性能提升 10 倍以上,效能比提升高達(dá) 300 倍。為了拉近計(jì)算資源和存儲(chǔ)資源的距離,達(dá)摩院計(jì)算技術(shù)實(shí)驗(yàn)室創(chuàng)新性采用混合鍵合 (Hybrid Bonding) 的 3D 堆疊技術(shù)進(jìn)行芯片封裝 —— 將計(jì)算芯片和存儲(chǔ)芯片 face-to-face 地用特定金屬材質(zhì)和工藝進(jìn)行互聯(lián)。相比業(yè)內(nèi)常見(jiàn)的封裝方案 HBM,混合鍵合 3D 堆疊技術(shù)擁有高帶寬、低成本等特點(diǎn),被認(rèn)為是低功耗近存計(jì)算的完美載體之一;內(nèi)存單元采用異質(zhì)集成嵌入式 DRAM ,擁有超大內(nèi)存容量和超大帶寬優(yōu)勢(shì)。在計(jì)算芯片方面,達(dá)摩院研發(fā)設(shè)計(jì)了流式的定制化加速器架構(gòu),對(duì)推薦系統(tǒng)進(jìn)行“端到端”加速,包括匹配、粗排序、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計(jì)算、細(xì)排序等任務(wù)。這種近存架構(gòu)有效解決了帶寬受限的問(wèn)題,最終內(nèi)存、算法以及計(jì)算模塊的完美融合,大幅提升帶寬的同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了超低功耗,展示了近存計(jì)算在數(shù)據(jù)中心場(chǎng)景的潛力。達(dá)摩院表示,最終的測(cè)試芯片顯示,這種存算技術(shù)和架構(gòu)的優(yōu)勢(shì)顯著,能通過(guò)拉近存儲(chǔ)單元與計(jì)算單元的距離增加帶寬,降低數(shù)據(jù)搬運(yùn)的代價(jià),緩解由于數(shù)據(jù)搬運(yùn)產(chǎn)生的瓶頸,而且與數(shù)據(jù)中心的推薦系統(tǒng)對(duì)于帶寬/內(nèi)存的需求完美匹配。目前,該芯片的研究成果已被芯片領(lǐng)域頂級(jí)會(huì)議 ISSCC 2022 收錄。2.傳臺(tái)積電3nm工藝將進(jìn)入試產(chǎn)階段12月2日消息,據(jù)臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道,目前芯片代工廠龍頭企業(yè)臺(tái)積電已經(jīng)完成了Fab 18B工廠的4nm及3nm生產(chǎn)線的建設(shè),將于近期開(kāi)始進(jìn)行全新3nm芯片制程工藝測(cè)試芯片的正式下線投片的初期實(shí)驗(yàn)性生產(chǎn),預(yù)計(jì)將于2022年第四季度正式進(jìn)入量產(chǎn)階段,并進(jìn)一步拉升產(chǎn)能。另外,有相關(guān)業(yè)界人士透露,蘋(píng)果、英特爾、高通、聯(lián)發(fā)科、博通、超微等多個(gè)國(guó)際知名芯片廠商皆是臺(tái)積電3nm芯片制程工藝的主要客戶,在2022~2023年這些芯片廠商將會(huì)陸續(xù)完成自家的芯片設(shè)計(jì)定案并交由臺(tái)積電的3nm制程工藝進(jìn)行生產(chǎn)。據(jù)悉,臺(tái)積電的3nm芯片制程工藝采用的依舊是FinFET晶體管架構(gòu),這是當(dāng)前半導(dǎo)體芯片制造行業(yè)的主力軍,是當(dāng)前技術(shù)最成熟,性價(jià)比最高,能效最好,已經(jīng)有了支持高效能運(yùn)算的完整芯片開(kāi)發(fā)架構(gòu),并且已經(jīng)能完美運(yùn)用到智能手機(jī)中。據(jù)業(yè)界人士透露,臺(tái)積電近期已經(jīng)開(kāi)始在其Fab 18B工廠進(jìn)行3nm測(cè)試芯片的初期風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)。閱讀詳情請(qǐng)點(diǎn)擊:《三星壓力山大?傳臺(tái)積電3nm工藝將進(jìn)入試產(chǎn)階段》3.華為發(fā)布一項(xiàng)新專利,涉及芯片11月29日消息,筆者通過(guò)查閱愛(ài)企查官網(wǎng)發(fā)現(xiàn),華為技術(shù)有限公司近日新發(fā)布了多項(xiàng)專利信息,其中一項(xiàng)申請(qǐng)的發(fā)明專利內(nèi)容為“芯片封裝組件、電子設(shè)備及芯片封裝組件的制作方法”。發(fā)明人為彭浩、廖小景、侯召政,處于審中狀態(tài)。據(jù)專利申請(qǐng)當(dāng)中的摘要顯示,芯片封裝組件包括封裝基板、芯片和散熱部,封裝基板包括上導(dǎo)電層、下導(dǎo)電層和連接在上導(dǎo)電層和下導(dǎo)電層之間的導(dǎo)電部;芯片包括相背設(shè)置的正面電極和背面電極,芯片內(nèi)嵌在封裝基板內(nèi),導(dǎo)電部包圍芯片,正面電極與下導(dǎo)電層連接,背面電極與上導(dǎo)電層連接;散熱部連接于上導(dǎo)電層遠(yuǎn)離芯片的表面;上導(dǎo)電層、下導(dǎo)電層和導(dǎo)電部均具導(dǎo)熱性能。本申請(qǐng)通過(guò)設(shè)置芯片與封裝基板的上導(dǎo)電層以及下導(dǎo)電層連接,從而芯片產(chǎn)生的熱量可進(jìn)行雙向傳導(dǎo)散熱,并在上導(dǎo)電層上設(shè)置散熱部,使得芯片封裝組件能夠達(dá)到更優(yōu)的散熱效果。閱讀詳情請(qǐng)點(diǎn)擊:《華為發(fā)布一項(xiàng)新專利,涉及芯片!》4.高通推出旗下新款旗艦芯片—驍龍8Gen112月1日,高通在今日凌晨也如約地舉行了2021年驍龍技術(shù)峰會(huì),并正式推出了旗下新款旗艦芯片—驍龍8Gen1,這是全球第二款4nm芯片。據(jù)高通方面表示,這是迄今安卓陣營(yíng)最強(qiáng)的手機(jī)移動(dòng)處理器。官方數(shù)據(jù)顯示,驍龍8 Gen1的CPU性能提升20%,功耗降低30%,GPU性能提升30%,功耗降低25%。除此之外,高通還優(yōu)化了性能與功耗曲線,這樣做不僅可以釋放最高性能,并重點(diǎn)3-5W功耗范圍內(nèi)的表現(xiàn)。除了功耗方面的升級(jí),高通驍龍8 Gen1在5G網(wǎng)絡(luò)方面也將帶來(lái)更好的體驗(yàn)。據(jù)悉,驍龍8 Gen1平臺(tái)集成了FastConnect 6900網(wǎng)絡(luò)解決方案,這是高通最先進(jìn)的網(wǎng)絡(luò)支持,包括5G Releas 16標(biāo)準(zhǔn)及Wi-Fi 6/6E,5G在毫米波及Sub-6G下可達(dá)10Gbps,Wi-Fi速度則翻倍到3.6Gbps。另外,在拍照方面驍龍8 Gen1處理器也有大幅升級(jí)?,F(xiàn)在的Snapdragon Sight也繼承了3 ISP單元設(shè)計(jì),而且性能更強(qiáng)大,從14bit升級(jí)為18bit,數(shù)據(jù)量提升4096倍,每秒可處理3.2Gigapixels像素,動(dòng)態(tài)模式最多可增加4檔,夜景模式提升5倍。同時(shí),還增加了1個(gè)額外的ISP單元,并首次支持了8K HDR視頻拍攝,支持18bit RAW格式以及更好的AI拍照功能等等。END