西數(shù)明年底量產(chǎn)BiCS6閃存：162層堆棧、接口速度翻倍

時間：2021-12-08 17:05:26

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[導(dǎo)讀]2021年閃存逐漸從96層過渡到了128層為主，再往下就是170層到200層的了，每家閃存廠商的方案都有所不同，西數(shù)將在明年底量產(chǎn)BiCS6代3D閃存，堆棧層數(shù)提升到162，而且接口速度翻倍。在閃存市場上，西數(shù)跟東芝是合作研發(fā)、生產(chǎn)的，BiCS技術(shù)其實(shí)主要是來自東芝，目前量產(chǎn)的主...

2021年閃存逐漸從96層過渡到了128層為主，再往下就是170層到200層的了，每家閃存廠商的方案都有所不同，西數(shù)將在明年底量產(chǎn)BiCS6代3D閃存，堆棧層數(shù)提升到162，而且接口速度翻倍。
在閃存市場上，西數(shù)跟東芝是合作研發(fā)、生產(chǎn)的，BiCS技術(shù)其實(shí)主要是來自東芝，目前量產(chǎn)的主力是BiCS5，2019年2月份發(fā)布，堆棧層數(shù)112層，核心容量512Gbit，接口速度1.066Gbps。
BiCS6閃存是下一代產(chǎn)品，堆棧層數(shù)最終確定為162層，而非之前所說的170 層，核心容量也提升到了1Tbit，另外就是接口速度也將達(dá)到2.0Gbps，相比上代翻倍，不過距離三星最新的8代V-NAND閃存的2.4Gbps還有點(diǎn)距離。
根據(jù)西數(shù)的計劃，BiCS6閃存將從明年初開始生產(chǎn)，但真正大規(guī)模量產(chǎn)要到2022年底了，現(xiàn)在的BiCS5閃存還要過渡至少一年。

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