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[導(dǎo)讀]2021年閃存逐漸從96層過渡到了128層為主,再往下就是170層到200層的了,每家閃存廠商的方案都有所不同,西數(shù)將在明年底量產(chǎn)BiCS6代3D閃存,堆棧層數(shù)提升到162,而且接口速度翻倍。在閃存市場上,西數(shù)跟東芝是合作研發(fā)、生產(chǎn)的,BiCS技術(shù)其實主要是來自東芝,目前量產(chǎn)的主...


2021年閃存逐漸從96層過渡到了128層為主,再往下就是170層到200層的了,每家閃存廠商的方案都有所不同,西數(shù)將在明年底量產(chǎn)BiCS6代3D閃存,堆棧層數(shù)提升到162,而且接口速度翻倍。
在閃存市場上,西數(shù)跟東芝是合作研發(fā)、生產(chǎn)的,BiCS技術(shù)其實主要是來自東芝,目前量產(chǎn)的主力是BiCS5,2019年2月份發(fā)布,堆棧層數(shù)112層,核心容量512Gbit,接口速度1.066Gbps。
BiCS6閃存是下一代產(chǎn)品,堆棧層數(shù)最終確定為162層,而非之前所說的170 層,核心容量也提升到了1Tbit,另外就是接口速度也將達(dá)到2.0Gbps,相比上代翻倍,不過距離三星最新的8代V-NAND閃存的2.4Gbps還有點距離。
根據(jù)西數(shù)的計劃,BiCS6閃存將從明年初開始生產(chǎn),但真正大規(guī)模量產(chǎn)要到2022年底了,現(xiàn)在的BiCS5閃存還要過渡至少一年。

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電源系統(tǒng)設(shè)計

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