▌第一步:撿拾石子
▲ 圖1.1 撿拾這種亮晶晶的石子,其中包含有石英(二氧化硅)成分▌第二步:粉碎石子
▲ 圖1.2 人類從舊石器時(shí)代(300萬年年)就會(huì)敲擊石子,但現(xiàn)在愛德使用鐵錘將石子粉碎▌第三步:提純二氧化硅
▲ 圖1.3 篩選出色澤白皙石英粉末,它們是純度為98%的二氧化硅▲ 圖1.4 這是純度為99.9%的二氧化硅,這是制作多晶硅的原料▌第四步:還原多晶硅
▲ 圖1.5 將純凈二氧化硅通過還原過程形成多晶硅,純度達(dá)到99.9999999%▌第五步:放入坩堝
▲ 圖1.6 往后,大家只能意會(huì)愛德的藝術(shù)行為了:將多晶硅放入坩堝(鐵鍋)內(nèi)準(zhǔn)備加熱▌第六步:加熱坩堝
▲ 圖1.7 將前面的坩堝(鐵鍋)通過電熱絲(電磁爐)加熱到1698°K▌第七步:加入結(jié)晶種料
▲ 圖1.8 使用一小塊單晶硅作為結(jié)晶種料輕輕沾入熔硅坩堝內(nèi)▌第八步:提拉單晶硅
▲ 圖1.9 將晶體緩慢提拉出坩堝,并進(jìn)行冷卻,就會(huì)得到一條長(zhǎng)柱型的單晶硅▌第九步:切割晶圓片
▲ 圖1.10 純度極高的單晶硅現(xiàn)在已經(jīng)閃亮登場(chǎng)▲ 圖1.11 大家別忘了最上面是開始用于結(jié)晶籽料的原始單晶硅。那么問題來了,這個(gè)籽料單晶硅是怎么制作的呢?▲ 圖1.12 將單晶硅切割成薄片用作后期芯片制作原料。這種切火腿的姿勢(shì)看得我直流口水▌第十步:晶片摻雜
▲ 圖1.13 經(jīng)過切割、拋光后的晶圓片會(huì)亮瞎你的狗眼▲ 圖1.14 用于晶片摻雜的元素硼元素▲ 圖1.15 在普通的火柴中包含有摻雜元素磷▌第十一步:涂抹光刻膠
▲ 圖1.16 將光刻膠涂抹在硅圓片上??粗@瓶像可樂的水瓶,感到口發(fā)干▌第十二步:掩膜曝光
▲ 圖1.17 將所需電路走線制作鍍鉻光腐蝕晶體掩膜,通過一束激光將其投影在晶圓片上的光刻膠上▲ 圖1.18 晶片上出現(xiàn)了曝光的集成電路圖案▌第十三步:曝光顯影
▲ 圖1.19 在曝光過程中,掩膜影子則會(huì)控制硅片不同部位表面的感光膠的化學(xué)變化。這一點(diǎn)還依賴于所使用的感光膠是極性▌第十四步:勾兌顯影劑
▲ 圖1.20 勾兌出光致抗蝕劑▌第十五步:腐蝕暴露硅片
▲ 圖1.21 使用酸性腐蝕劑將暴露的硅片進(jìn)行腐蝕??粗@桶白醋,讓我想起了熱騰騰的餃子▌第十六步:循環(huán)往復(fù)折騰
▲ 圖1.22 經(jīng)過無數(shù)遍的重復(fù)過程:均相外延,異相外延,偽外延,擴(kuò)散摻雜,銅連接層,機(jī)械化學(xué)拋光,施加抗蝕層,酸腐蝕,掩膜曝光等▲ 圖1.23 最終形成所需要的電路表面結(jié)構(gòu)▌第十七步:芯片切割
▲ 圖1.24 這是完成所有工藝步驟的成品硅片,上面往往具有成千上萬個(gè)相同的芯片▲ 圖1.25 下面就是切蛋糕的時(shí)刻了,將它們一一分割開來。感受愛德的小刀下面還應(yīng)該有剛剛吹滅的蠟燭▌第十八步:綁定引線
▲ 圖1.26 這是分割后的電路芯片▲ 圖1.27 將它們放在芯片外殼中心,利用金絲將芯片引腳與外殼引腳相連▲ 圖1.28 電路芯片上的引腳與外殼進(jìn)行了綁定▌第十九步:芯片封裝
▲ 圖1.29 在芯片外再增加保護(hù)材料將電路封裝并進(jìn)行管腳的固定上面的介紹僅僅是集成電路制作的粗略框架,實(shí)際上遠(yuǎn)比上面復(fù)雜得多,很多的工藝過程并沒有被提及?,F(xiàn)代集成電路制作的工藝還在不斷的更新演變,甚至有些尚未被正式公開。至于是否真的個(gè)人可以在家中完成半導(dǎo)體芯片的制作,在一些小眾的團(tuán)體中是有人給出了精簡(jiǎn)的解決方案,并在不斷的完善過程中。